电子元器件-二级管终篇：基本原理，元件作用与应用场景、参数/数据手册详解，类型介绍/实战

目录

一、基本原理

1.1 介绍

1.2 伏安特性曲线

1.3 符号

1.4 正负极判断

二、特性参数

开关电路注意的参数

极限特性

特性曲线

三、应用场景

稳压二极管

原理：

故障特点

连接方式区别

参数：

最大额定参数

电气特性

特性曲线

限流电阻怎么确定？

稳压二级管应用：

典型的串联型稳压电路

过压保护

稳压输出作用二极管的应用与选择

使用稳压管的注意事项：

肖特基二极管

原理：

应用：

发光二级管：

TVS二极管：

原理：

静电实验等级

选型要点

应用：

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通俗讲解二极管的8个作用，高中毕业就能理解！最简单的半导体-二极管！

9种二极管，认识3种算及格！来看看你知道几个！_哔哩哔哩_bilibili

❤️ 二极管工作的原理简单概括为：
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流;
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。
PN结具有单向导电性。

一、基本原理

1.1 介绍

一、认识导体、绝缘体、半导体：
导体：导体 conductor ，是指电阻率很小，且容易传导电流的物质。导体中存在大量可自由移动的带电粒子，也称为载流子。在外电场的作用下，载流子作定向运动，形成电流。

金属就是最常见的导体，因为金属原子最外层的价电子很容易脱离原子核的束缚，形成自由电子。因为金属中自由电子的浓度很大，所以金属的电导率比其他材料要大。

绝缘体：绝缘体相对于导体，不容易传导电流的物质称为绝缘体。绝缘体有时候也称为电介质。

半导体：半导体 semiconductor ,因为导体和绝缘体没有明显的界限，那么导电性能介于导体和绝缘体之间的物质就称为半导体。

常见的半导体有硅、锗、砷化镓。

二、认识本征半导体、P型半导体、N型半导体：

本征半导体 intrinsic semiconductor：是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。典型的本征半导体有硅、锗、砷化镓。

P型半导体：P型半导体也称为空穴型半导体，主要以带正点的空穴来导电。在纯硅中掺入微量的3价元素，如硼、铝等，因为3价元素最外层只有3个电子，与硅原子共价结合时缺少一个电子，也就形成了一个空穴。这个空穴相当于带正电的粒子。掺入的杂质越多，空穴的浓度就越高。

N型半导体：N型半导体也称为电子型半导体，主要靠电子来导电。在纯硅中掺入微量的5价元素，如磷，5价元素的原子与硅原子共价结合时，会多一个电子，就是靠这个多余的电子来导电。

三、认识PN结：

将P型半导体（图示的P-Region）和N型半导体（图示的N-Region） 放在一块，它们的交界线就是PN结（PN Junction）。

P型半导体的空穴（正电荷）多，N型半导体的电子多，在它们的交界线附近，正电荷和负电荷像磁铁一样相互吸引，如下图的运动趋势所示:

N区的自由电子，由于带电，移动到P区，填充了P区的空穴

运动的结果就导致了在P区一部分区域带负电，N区一部分区域带正电，这个区域叫做耗尽区（Depletion Zone），如下图所示

N区的电子不断地填充P区的空穴，导致耗尽区的电荷越来越多，这些电荷多到一定程度，就阻止了其它电荷的继续跑过来。

这可以分两个部分来看：

1、负电荷从N区跑到P区，累计的负电荷多了，就阻止其它的负电荷从N区跑过来；

2、正电荷从P区跑到N区，累计的正电荷多了，就阻止其它的正电荷从P区跑过来；

最终的结果就是耗尽层到一定程度，电子就不能再移动了。这个一定程度就是耗尽层的电压达到了0.7V。有点像那0.7%先富的人阻止其他的人来共同富裕。
 

四、二级管为什么单向导电？

反向偏置就是N区接正电，P区接负电。二极管的反向偏执就是二极管的正极接电源的负极，二极管的负极接电源的正极。

 电源的负极把P区的正电荷都吸过去了，电源的正极把N区的负电荷都吸过去了，这样的后果就是耗尽区越来越大，也可以理解成越来越宽。都这样了，电子就没法移动了，也就不会产生电流，这就是二极管反向不导通的原因。

凡事都有例外，有一个东西叫做击穿电压，就是反向偏执电压大到一定程度，二极管就被“捅穿了”，这个时候二极管是“导通的”，但是这个时候二极管也被干废了。

正向偏置就是给P区接正电，N区接负电，就是正向偏执。要想有电流通过，必须要干掉哪个阻止电子移动的0.7V，这个0.7V叫做势垒电压，也叫阈值电压。正向偏执的结果就是阴极将更多的电子推进N区，并进入耗尽区；

耗尽区的电子变多，空穴就变少了，耗尽层就回越来越薄。

当施加的电压达到0.7V,推进的电子就足够多了，耗尽层就搞没了 

 这样就再也没有什么东西阻碍电子的移动了，电子穿过PN结，并从P区溢出，直接到电源的正极。这就是二极管正向到点的根本原因。

虽然二极管正向导电，但是必须有0.7V（硅型二极管）的电压消耗 ，比如给电路提供一个9V的电源，二极管就吃掉了0.7V，供给电路使用的就只有8.3V了。

1.2 伏安特性曲线

• 正向特性：(外加正向电压，上图中X坐标的正半部分)

当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。
在室温下，硅管的Ｖth约为0.5V，锗管的Ｖth约为0.1V。
大于导通电压的区域称为导通区。
当流过二极管的电流Ｉ比较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，硅管约为0.6～0.8Ｖ（通常取0.7Ｖ），锗管约为0.2～0.3V（通常取0.2Ｖ）。

• 反向特性：(外加正向电压，上图中X坐标的负半部分)

在反向电压小于反向击穿电压的范围内，由少数载流子形成的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关。从图中可以看出，二极管加反向电压后，反向电流很小，基本在1uA以内，这就是二极管的反向截止特性。
此部分为截止区。
由二极管的正向与反向特性可直观的看出：①二极管是非线性器件；②二极管具有单向导电性。

• 反向击穿特性

当反向电压增加到某一数值ＶBR时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。
 

1.3 符号

肖特基二级管：

1.4 正负极判断

二极管怎么区分正负极性？图文结合，详细解答干货满满，其它的文章应该也是用的他的图。
一般贴片二极管有横杠、白色双杠的一端为负极；

在我们实际使用中，二极管的种类封装都很多，我们需要学会从样子判断一个二极管的正负极，以及使用万用表进行简单的测量。
1、一般来说，普通二极管有横杆或者色端标识的极是负极。

2、发光二极管判断的话，长脚是正极，短脚是负极。内部大的是负极，小的是正极。

3、原理图和PCB丝印
二极管有多种不同的分类（下面我们会说明），他的原理图图标也有些不同，大体上可以使用下列图标表示：

上面的原理图表示的二极管不是绝对的，只是做个示例。

原理图是很直观的就能看出二极管的正负极，那么在PCB板上通过丝印，如何判别二极管正负极呢？

• 有缺口的一端为负极；
• 有横杠或者双杠的一端为负极；
• 三角形箭头方向的一端为负极；

4、万用表测量
在现在的万用表中，都有二极管档位，所以测量的方式很简单：

万用表调整至二极管档位，红表笔接二极管 + 极，黑表笔接二极管 - 极，可以看到有一个电压值，就个电压值就是二极管的导通压降（0.2~0.8V 不同二极管电压值不同），反过来接，没有电压值显示（无穷大）。

实际测量效果图：

在不知道二极管方向的情况下，也可以根据此办法测量出二极管的方向。

如果是发光二极管，红表笔连接至发光二极管 + 极，黑表笔连接至 - 极，可以点亮发光二极管。

通过万用表，也可以判断二极管的好坏！

总的来说，外观上看二极管的负极会有标识（一般是横杆），现在的万用表可以很方便的测量出正负极，和二极管的好坏。

二、特性参数

开关电路注意的参数

正向电压(Vf)：
Vf 代表 Forward Voltage Drop，即正向电压降。这是二极管在正向偏置状态下，从阳极(Anode)到阴极（Cathode）所需的电压。当二极管正向偏置时，即阳极连接到正电源，阴极连接到负电源或地，电流会通过二极管。

二极管的正向电压降（Vf）通常是固定的，并且对于特定类型的二极管，其值通常在0.6到0.7伏特（V）之间。例如，硅二极管的正向电压降大约是0.7伏特，而锗二极管的正向电压降大约是0.3伏特。

反向恢复时间(Trr):
TRR 代表 Turn-off Reverse Recovery Time，即反向恢复时间。这是指二极管在从正向导通状态切换到反向截止状态时，从正向电流减少到零，再到反向电流出现的时间间隔。

正向恢复时间（tF）：正向恢复时间是二极管开始导通所需的时间，称为正向恢复时间。换句话说，二极管从关闭状态切换到开启状态所花费的时间称为正向恢复时间 （ t F ）。

在二极管的工作过程中，当电流从正向减小到零时，二极管内部的电荷载流子（电子和空穴）开始重新分布，以建立新的电场。这个过程中，二极管会经历一个短暂的恢复期，直到反向电压足够高，使得载流子能够重新注入，从而形成反向电流。

Trr 对于二极管在开关电路中的应用非常重要。如果二极管的反向恢复时间较长，它可能会在开关过程中产生较大的反向电流或者反向恢复时间较大，那么在负的信号来临时，二极管可能无法及时关断，这可能会对电路造成干扰，尤其是在高频开关应用中。因此，设计人员通常会选择具有较短 Trr 的二极管，以提高电路的性能和可靠性。

结电容（CT）
CT参数通常指的是二极管的总电容（Total Capacitance），也称为等效串联电容（Equivalent Series Capacitance, ESC）或结电容（Junction Capacitance）。这个参数是二极管在反向偏置状态下，由于其内部结构导致的电容效应。

总电容主要由两部分组成：

势垒电容（Barrier Capacitance）：这是由于二极管内部PN结的势垒区导致的电容效应。当施加反向偏置电压时，PN结的势垒区会存储电荷，形成一个电容。
扩散电容（Diffusion Capacitance）：这是由于二极管内部载流子（电子或空穴）在扩散过程中形成的电容效应。当施加反向偏置电压时，载流子会在PN结两侧扩散，形成一个电容。
总电容的值对于开关二极管来说非常重要，因为它会影响二极管的开关速度。总电容越大，开关速度越慢，因为二极管需要更长的时间来充放电电容。在高速开关应用中，设计人员通常会选择具有较小总电容的二极管，以提高电路的性能。

极限特性

VRM & VR
VR：这是二极管在反向偏置状态下可以承受的连续工作电压，也称为反向连续工作电压。这个参数代表了二极管在反向偏置状态下能够长时间承受的电压值，而不会发生损坏。在实际应用中，电路中的反向电压应该始终低于VRM值。

VRM：这是二极管在反向偏置状态下可以承受的瞬时峰值电压，也称为反向峰值电压。这个参数代表了二极管在反向偏置状态下可以承受的短暂高电压值，通常在电路的瞬态或脉冲情况下出现。瞬时峰值电压可能会超过连续工作电压，但这种超过是短暂的，不会对二极管造成永久损坏。

[持续80V/最大反向电压超过85V---->击穿；持续/平均80V以下/最大反向电压<85V，不会击穿]

注意余量设计，手册中它是80V，在一些极限的环境下它的反向电压也电或流，都会有所变化，那我们为了这个设备的可靠性，都会给它有一个打折，大概80%，也就是64V。

IFM &IO

IFM：这是二极管在正向偏置状态下可以承受的最大正向峰值电流。IFM是二极管的一个极限参数，表示在正向偏置状态下，二极管可以承受的最大电流值，超过这个值可能会导致二极管过热甚至损坏。在设计电路时，必须确保流过二极管的正向电流始终低于IFM值。
IO：这是二极管在正向偏置状态下可以承受的最大正向连续电流。IO 是二极管的一个工作参数，表示在正向偏置状态下，二极管可以长时间承受的电流值，而不会发生损坏。在实际应用中，电路中的正向电流应该始终低于IO值。
IFSM
最大浪涌电流 (Isurge)：在设计需要承受瞬时高电流的电路时，要确保二极管的最大浪涌电流大于电路中的浪涌电流，以避免二极管损坏。

浪涌电流又称过电压电流，是指瞬间产生的高幅值、高频率、短时限的暂态电流。在许多电气设备中，突然施加或断开电源会导致这些电流的产生。这些电流往往会对设备造成损坏，甚至严重影响设备的寿命

浪涌电流的产生原理是由于电路中存在感性元件或电容元件等元件而形成的。当这些电路元件上的电流或电压突然改变时，电路元件内部产生的电磁感应或电荷分布变化会产生反向电动势，从而导致瞬间产生高幅值、高频率、短时限的瞬态电流。

上图分析：假设12V/2A的元器件，现在开机冲激电流一下接近5A，那我们在设计电源的，要保证起5V的不出问题，或者做过压保护。

电气特性

在二极管的电气特性中，我们发现几个关键参数，这些参数对于理解二极管的工作特性至关重要。

• 首先是正向压降（Forward Voltage Drop, VF），它随着正向电流（Forward Current, If）的增加而增大。具体来说，当正向电流为1mA时，正向压降约为0.6V；当电流为10mA时，压降约为0.7V；而当电流达到100mA时，压降约为0.9V。这些数据表明，正向压降与正向电流成正比，这对于我们在电路设计中选择合适的二极管非常重要。
• 接下来是反向电流（Reverse Current, IR）/漏电流，它在二极管反偏截止时产生。反向电流类似于电容的漏电流，意味着即使在反偏状态下，二极管也会有一定的电流流过。例如，当反向电压为30V时，反向电流约为0.1mA；而当电压升高到80V时，电流增至0.5mA。这个值随着反向电压的增加而增加，但在电压超过80V之前，增加的速度相对较慢。
• 此外，二极管的总电容（Total Capacitance, Ct）也是重要的电气特性之一。它包括势垒电容和扩散电容，对于开关二极管来说尤为重要，因为它影响二极管的开关速度。总电容值越小，二极管的开关性能越好。
• 最后，反向恢复时间（Reverse Recovery Time, trr）是指二极管从正向导通状态切换到反向截止状态所需的时间。这个时间越短，二极管的开关速度越快。例如，如果一个负向方波的脉冲宽度为50ns，而二极管在导通后的截止时间小于1ns，那么这个方波信号在二极管上就不会被检测到，因为它被迅速截止了。这样的开关特性是我们使用二极管作为开关时的理想情况。

当二级管节间电容充电后，若有一个负的电压施加，反向截止尚未完全阻断前，会释放电容的电荷。从正向导通到完全截止的时间段，我们称之为反向恢复时间。在此期间，会有反向电流流过二极管。反向恢复时间是指正向导通电流为零到完全截止所需要的时间。如果反向恢复时间较大，那么在负的方波信号来临时，二极管可能无法及时关断，那么开关特性就不存在了(因为反向电压来的时候，没有及时截止)，所以反向恢复时间越短越好(节间总电容越小越好)

在二极管手册中，对电路设计影响最大的参数主要有以下几个：

• 额定电流（Forward Current）：这是指二极管在正向导通时可以安全通过的最大电流。如果流过二极管的电流超过这个值，可能会导致二极管烧毁。
• 最大反向电压（Reverse Voltage）：这是指二极管在反向工作时能承受的最大电压。超过这个电压，二极管可能会被击穿。
• 反向恢复时间（Reverse Recovery Time）：这是指二极管从正向导通状态转到反向阻断状态所需的时间。这个时间对高频电路的影响比较大。
• 结电容（Junction Capacitance）：这是指二极管内部的电容，它会影响电路的响应速度和稳定性。
• 开关速度（Switching Speed）/反向回复时间：这是指二极管在导通和截止之间切换的速度，对于高频电路来说，这是一个重要的参数。

在选择合适的二极管时，需要根据电路的实际情况，综合考虑这些参数，以确保电路的正常运行。

特性曲线

1. 正向电压与温度关系：随着温度的升高，二极管的正向电压会降低。这意味着在电路设计中，不能仅按照25度时的规格来考虑正向电压，而需要考虑在不同温度下的变化。例如，如果二极管在25度时正向电压为0.7V，那么在55度时，正向电压可能会更低。二极管选型和应用时，需要考虑到正向电压和正向电流随温度的变化曲线，正向压降/导通压降不能仅按25度考虑，在+85和+100度时的情况也都需要考虑。
2. 反向电流/漏电流与温度关系：随着温度的升高，二极管的反向电流会增大。这意味着在高温环境下，二极管的漏电流会显著增加。因此，在设计时需要考虑这一因素。例如，如果二极管在25度时反向电流为0.1mA，那么在55度时，反向电流可能会增加到0.2mA。制造设备时，若对漏电流敏感，特别是在二极管中，需注意数据手册中一般为常温下测得的参数(通常在25度下测量)，则我们还需要关注在高温如100度下的漏电流，高温下的电流可能会显著增加，从nA级变成了mA级，例如从20nA降至几个mA,增长了几十倍了。
3. 总电容与反向电压关系：随着反向电压的增大，二极管的总电容会减小。这意味着在实际应用中，需要根据实际的反向电压来确定二极管的实际电容值。例如，如果二极管在10V时总电容为2.2pF，那么在50V时，总电容可能会更小。所以要注意之前电气特性那边的参数都是在特点环境下测出来的，我们要去看实际实验得到的曲线图，自己去找到对应工作环境的实际参数指标，这样都设计出更合理的电路。
4. 反向恢复时间与正向电流关系：随着正向电流的增大，二极管的反向恢复时间也会增大。这意味着在设计开关电路时，需要考虑电流的大小，以确保二极管能够快速恢复到截止状态。例如，如果二极管在1mA时反向恢复时间为1ns，那么在100mA时，反向恢复时间可能会增加到10ns。我们肯定是想让反向恢复时间比较小，所以实际设计时，要考虑正向电流设计在多大合适

三、应用场景

稳压二极管

稳压二极管（Zener diode）又叫齐纳二极管。❤️利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 ❤️

此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。

稳压二极管 又叫齐纳二极管，工作在反向击穿区域的二极管，稳压值等于反向击穿电压，应用中需要串联一个限流电阻，因为一般来说稳压二极管的功率比较小。

稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。

原理：

在电路中，稳压二极管可以稳定电压。要让稳压二极管起稳压作用，必须将它反接在电路中（即稳压二极管的负极接电路中的高电位，正极接低电位），稳压二极管在电路中正接时的性质与普通二极管相同。

稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。
但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。

在反向击穿之前，稳压二级管的阻抗非常大，漏电流几乎为0；但击穿后，阻抗非常小，但阻抗小是有范围的，就在红圈标注的两点间,电流在几十mA到上百mA间，稳压二级管的电压基本稳定在员工固定值。电流是不能无限增大的[超过了红圈，那二级管就是真正的击穿烧坏了。(基本认为断路)]

故障特点

稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。

在二极管所承受反向电压大于其标称稳压值的情况下，稳压管会反向击穿，用以限定电压上限，击穿后稳压管两端电压为其稳压值这种击穿是可以恢复的，即在电压值降低以后，稳压管会脱离击穿状态，相当于开路。
如果是短路的话，说明稳压管已经损坏了，是电流超过稳压管承受电流造成，为热击穿，不可恢复的。

稳压管是靠齐纳击穿时限定击穿电流来做到可恢复击穿的，一般击穿稳压时都有最大击穿工作电流（Irmax），不同型号的齐纳二极管（主要是看封装大小与散热能力），其最大击穿工作电流不同，具体值需要查看对应规格书。当工作电流大于其最大击穿电流时，稳压管散热不够，最终热损坏，并且一般都是不可恢复的！
 

连接方式区别

❤️为了保护稳压二极管并使它有良好的稳压效果，需要给稳压二极管串接限流电阻

这是因为稳压二极管在反向击穿时，其阻值会迅速降低，允许大量的电流通过。如果电路中的电流没有限制，稳压二极管可能会因为过热而损坏。
限流电阻的作用是限制通过稳压二极管的电流，防止其超过额定电流。这样，即使稳压二极管处于击穿状态，流过它的电流也不会过大，从而保证了稳压二极管的安全。
此外，限流电阻还可以帮助提高稳压二极管的稳压精度。在稳压二极管击穿后，通过它的电流会增加，但由于限流电阻的存在，这个电流增加的幅度会受到限制，从而使得稳压二极管两端的电压变化不会太大，保持了较好的稳压效果。

稳压二极管能并联吗？

稳压二极管（也称为齐纳二极管）通常不能并联使用。这是因为并联的稳压二极管需要具有相同的稳压值（Zener Voltage），以确保每个二极管都能在相同的电压下击穿并开始稳压。如果稳压值不同，电流会通过稳压值较低的稳压二极管，这可能导致稳压值较低的二极管过热并损坏。即使两个相同参数的稳压二极管并联时，理论上电压应保持一致。但实际中，每个二极管的内阻不同。并联后，总内阻减小，可能导致电流分配不均，使某些二极管承受超过额定值的电流，进而因过热而损坏。
在某些情况下，稳压二极管可能需要串联使用，而不是并联。串联稳压二极管可以提供比单个稳压二极管更高的稳压值。例如，如果需要一个10伏的稳压值，可以串联两个5伏的稳压二极管来实现。在这种情况下，每个稳压二极管的稳压值都是5伏，但是它们的总电压将是10伏。

如果真的要并联稳压二极管时，需要注意的是，它们必须具有相同的稳压值，并且必须有足够的电流容量来处理并联后的总电流。此外，为了防止单个二极管过载，通常会在并联的稳压二极管之间添加限流电阻或分流电阻。

图1：10V和8V稳压管均击穿，VCC为两者稳压值的和，VCC=10+8=18V。
图2：10V稳压管正向导通，8V稳压管反向击穿稳压，VCC为8V稳压值加上10V稳压管的正向导通压降0.7V，VCC=8+0.7=8.7V。
图3：8V稳压管正向导通，10V稳压管反向击穿稳压，VCC为10V稳压值加上8V稳压管的正向导通压降0.7V，VCC=10+0.7=10.7V。
图4：8V和10V稳压管均正向导通，VCC为两者正向导通压降和，VCC=0.7+0.7=1.4V。

【正向串联电压相加，反向串联电压也相加；(稳定电流是取决于较小的那一个)】

图1：稳压值低的8V稳压管先击穿，10V稳压管处于开路状态，所以VCC=8V。
图2、图3、图4：至少有—个稳压管正向导通，所以VCC都为0.7V。
图5：相同值的稳压管并联，稳压值为10V，且承受电流的能力翻倍。

参数：

最大额定参数

FR5层压板是NEMA认证板，以其巨大的强度，耐化学性，优异的电气性能和低吸湿能力而闻名。]第一行：在FR5层压板的总功耗，在25度时，功耗为225mW;超过25度时，每一度降低1.8mW/度。

最大耗散功率是指稳压二极管通过反向电流时允许消耗的最大功率，它等于稳定电压和最大稳定电流的乘积。在使用中，如果稳压二极管消耗的功率超过该功率就容易损坏。

在电路设计中，稳压二极管的功耗计算是一个关键因素，因为它直接关系到二极管的温度控制和热管理。功耗（Power Dissipation）是指稳压二极管在工作时消耗的功率，通常用P表示，单位是瓦特（W）。稳压二极管的功耗计算公式是：

其中：
是稳压二极管的稳压值，即它在反向击穿时能够维持的电压。
是稳压二极管的反向稳压电流，即在稳压值下通过二极管的电流。

例如，如果一个稳压二极管的稳压值是5伏（V），反向稳压电流是20毫安（mA），那么它的功耗将是：
 

这就是说，在稳压值为5V的情况下，二极管消耗的功率是0.1W。

在稳压二极管的数据表中，通常会提供其功耗的最大值，例如225mW（毫瓦特）。这个值是在特定环境温度下（例如25°C）测得的。随着环境温度的升高，稳压二极管的功耗会降低，这是因为温度的升高会导致稳压二极管的阻值增加，从而降低功耗。

数据表中可能还会提供温度系数，例如1.8°C/W。这个值表示每升1°C，功耗将减少1.8mW。例如，如果稳压二极管在25°C时的功耗是225mW，那么在55°C时，功耗将减少：

因此，在55°C时，功耗将是：

在设计电路时，需要考虑稳压二极管的功耗和温度系数，以确保其在预期的温度范围内不会过热。如果实际工作温度高于数据表中给出的温度，可能需要采取额外的散热措施，如使用散热片或风扇，以确保稳压二极管能够安全运行。

电气特性

• VZ(Nominal Zener Voltage)标称稳定电压：是稳压二极管最重要参数。没有之一。理想稳压管的稳定电压是一个固定的值，但实际的稳定电压会存在一定的波动，上图中MMBZ522BLT1G的稳定电压在2.28V-2.52V间波动；
• IZT 稳定电流：稳压管产生稳定电压时通过该的电流值，稳压二极管可以长时间稳定工作，且稳压性能最好时对应的工作电流。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。上图中MMBZ522BLT1G的稳定电流为20mA；
• Zzt：表示在标称稳压值和标称稳压电流值下的 稳压二极管阻抗；
• Izk： 表示 稳压二极管反向击穿拐点处VZ的电流；
• Zzk ：表示稳压二极管反向击穿拐点处VZ的阻抗；
• VR：表示稳压二极管的反向电压；
• IR：表示稳压二极管MMBZ522BLT1G在反向电压1V 情况下的漏电流为100u A；

特性曲线

图1展示了在-55°C至+150°C的温度范围内，MMBZ52xxBLT1G系列典型Tc值随Vz, Nominal Zener Voltage的变化情况。从图中可以看出，随着Vz的增加，Tc也逐渐增大。假设温度25度时稳定电压是7.5，温度波动是4mV，当到55度的时候，

图2同样也是在-55°C至+150°C的温度范围内，但该图主要展示了Vz, Nominal Zener Voltage对Tc的影响。与图1不同的是，图2中的曲线更为平缓，表明在这个范围内的Tc变化相对较小。

图3描绘了在不同的工作电流（Iz）下，Zener impedance（Zz）随Vz, Nominal Zener Voltage的变化情况。当Iz为1mA、5mA和20mA时，Zz呈现出不同的特性。这有助于了解在不同负载条件下Zener diode的性能表现。

图4则是在不同的环境温度下（-150°C至+150°C），Zener diode的前向电压（VF）与工作电流（IF）之间的关系。从图中可以看出，在不同温度下，VF随IF的变化趋势是相似的，但在不同温度点的具体数值会有所差异。
总结：在选型时，我们需要关注其电压稳定性与温度的关系，以及电压稳定与阻抗的关系。温度系数是一个重要参数，它表示环境温度每变化1度时，标称稳定电压的波动量。因此，为了获得更稳定的电压输出，我们应选择温度系数较小的稳压设备。

• 例如，某些系列中，若选择高稳压系数的型号，如12V时温度每变化一度波动10毫伏，这显然不太现实。因此，可以选择波动更小的型号，如5V时温度变化导致波动仅为1毫伏，这样的波动在温度变化一二十度时，也仅为一二十毫伏，是可以接受的。甚至可以选择3.3V或更低电压的型号，因其在整个温度范围内的温度系数较小，这样的选择较为合适。
• 再比如这个系列的二极管，由特性曲线图一可以得出，你如果选稳压电压为7.5的，它波动4mV/°C，但如果你选5V，它只波动1mV/°C，还是可以接受的。
• 另外，阻抗也是影响稳压效果的关键因素。阻抗越小，稳压效果越好。因此，在应用时，我们应选择阻抗较小的型号，并根据具体需求合理设计电路。

用一个稳压二极管去做一个电压基准出来，我选的是五点一伏的，为什么只有四点五伏啊？

稳压二极管的稳压值并不是在所有电流下都精确的。稳压值是在特定的反向电流（通常在数据表中给出）下测得的。如果流过稳压二极管的电流低于这个特定值，稳压二极管可能不会完全进入稳压状态，导致输出电压偏离标称值。

例如，如果一个稳压二极管的标称稳压值是5.1伏，并且它的数据表表明在20毫安（mA）的电流下达到稳压状态，那么当流过它的电流小于20mA时，稳压二极管可能不会完全进入稳压状态，输出电压可能会低于5.1伏。这就是为什么您测量到的电压只有4.5伏的原因。

此外，如果电流过小，稳压二极管可能无法有效工作，因为它的功耗不足以使其达到稳定状态。这会导致输出电压随电流的变化而变化。

为了解决这个问题，需要确保流过稳压二极管的电流至少等于或略高于它的标称稳压电流。如果电流太低，可以通过调整限流电阻，以确保电流保持在足够的水平。如果电流过高，稳压二极管可能会过热，因此需要选择一个合适的电流值。

限流电阻怎么确定？

稳压二极管的常规应用电路：

稳压二极管电路的关键是怎么选择限流电阻，假设有这么一个电路：

• 电源电压波动范围13--15V；
• 负载电阻变化范围300--500欧；
• 稳压管工作电流范围5--40mA;
• 稳压管工作电压6V。

限流电阻的阻值不能过大，过大会导致稳压管分得的电压过小，从而工作在反向截止区，起不到稳压的作用；

限流电阻的阻值不能过小，过小会导致稳压管的电流过大，烧坏稳压二极管；

因此限流电阻就有个上限值和一个下限值，让稳压二极管分别工作在最小电流和最大电流两种状态；

稳压管什么时候工作电流最小：输入电压最小，负载电流最大时，稳压管上电流最小

稳压管什么时候工作电流最大：输入电压最大，负载电流最小时，稳压管上电流最大

所以限流电阻选在173--280欧之间时合适的。

稳压二级管应用：

典型的串联型稳压电路

在此电路中，三极管T的基极被稳压二极管D稳定在13V，那么其发射极就输出恒定的13-0.7=12.3V电压了，在一定范围内，无论输入电压升高还是降低，无论负载电阻大小变化，输出电压都保持不变。这个电路在很多场合下都有应用。7805就是一种串联型集成稳压电路，可以输出5V的电压。7805-7824可以输出5-24V电压。在很多电器上都有应用。
(42 封私信 / 80 条消息) 一个很精妙的高精度电压基准电路 - 知乎

过压保护

在许多场景中，例如在电源线上、电源控制线上，或是电源与内部电路之间的连接处，我们都需要防止因开关操作或热插拔产生的尖峰脉冲对设备造成损害。
当开关断开或闭合，或者进行热插拔时，可能会产生高能量的尖峰脉冲，这些脉冲的电压可能非常高，对芯片等敏感元件具有破坏作用。例如，如果一个芯片的额定电压是20伏，而标称工作电压是15伏，那么在某个瞬间，由于尖峰脉冲，电压可能瞬间升高到29伏，这对芯片是极其有害的。

为了解决这个问题，我们可以使用稳压二极管作为过压保护。当尖峰脉冲出现时，稳压二极管会迅速击穿导通，将过高的电压稳定在二极管的额定电压上。例如，如果我们选择的稳压二极管的额定电压是20伏，那么即使有29伏的尖峰脉冲，通过二极管的稳压作用，电压也会被限制在20伏以下。

这样一来，稳压二极管就有效地保护了芯片免受过高电压的损害。在选择稳压二极管时，我们需要根据具体的电路要求和芯片的额定电压来确定合适的稳压值，以确保电路的稳定性和安全性。

稳压输出作用二极管的应用与选择

以一个简单的例子来说明：假设有一个十伏的电压输入，需要稳定输出五伏的电压，同时负载电流最大为十毫安。

首先，计算电阻的参数。由于输入电压和输出电压的差值是五伏，我们可以选择一个电阻，使得在这五伏的电压下，电流为十毫安。根据欧姆定律，电阻值应为电压除以电流，即5V / 10mA = 500欧姆。但这里选择了250欧姆的电阻，这意味着电阻上的电流将是电压除以电阻，即5V / 250欧姆 = 20mA。

接下来，考虑稳压二极管的参数。稳压二极管在电路中起到稳定电压的作用，其两端的电压应等于所需的输出电压，即五伏。当负载电流为十毫安时，稳压二极管也将流过十毫安的电流。因此，稳压二极管的功耗可以通过电压乘以电流来计算，即5V * 10mA = 0.05W。

然而，当负载断开时，原本流过负载的十毫安电流将全部流过稳压二极管，此时稳压二极管的功耗将增加到0.1W。这是计算稳压二极管参数时需要考虑的极限情况，以确保二极管能够承受这种最大功耗。

在实际应用中，还需要考虑降额因素。降额是指在选择电子元器件时，为了确保其长期稳定运行，通常不会将元器件的工作条件设置在其额定值的极限，而是留出一定的裕量。

VCC=24V，则稳压二级管击穿，电压稳定在7V，接三极管的基极，则此时VB>VE，有0.7V的压降，则VE=6.3V，使用稳压管奖流过R1的电阻稳压在6.3V。

使用稳压管的注意事项：

1. 使用稳压管时，一定要串联一个限流电阻，用来保护稳压二极管并设置工作电流；
2. 稳压管可以串联使用，稳定的电压就累加了，但不推荐并联使用（没意义）；
3. 要获得理想的稳压效果，要让稳压管处于深度击穿状态，输入的电压值一般是稳定电压值的2到3倍，比如要使电压稳定在12V，而输入电压时18V，稳压管处于浅击穿状态，稳压效果不好；
4. 稳压管工作时，反向击穿电压并不高，像BTZ52C2V0也就5mA，所以大功率的场合不适用；
5. 稳压管的稳定电压时一个范围，要求高精度电压的地方是不合适的。
    

肖特基二极管

原理：

肖特基二极管是金属和半导体接触形成的金属半导体结，正向电压较低，节电容小，恢复时间快,其缺点：反向电流比普通二极管大(漏电流稍大些)，耐压比较低。肖特基二极管常用于单片机供电，具有更低的正向压降，可降低功耗。

两个特性：

• 由于肖特基二极管只有自由电子参与导电，空穴不参与导电，因此不存在少数载流子在PN结附近积累和消散的过程，所以电容效用非常小，工作速度非常块，适合高频与开关状态。
• 肖特基二极管只有在N型半导体一侧会出现耗尽区（金属是良好的导体）相对较薄，因此导通门坎电压和正向压降都要比PN结小（约为0.2V，电流越大压降越大），相对来说其反向击穿电压比较低，大多数不高于60V（最高100V）。反向漏电流偏大（温度越高，漏电流越大）。

[开关频率高，为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向压降低，正向导通压降仅0.4V左右(这是它最主要的特点)；耐压比较低，漏电流稍大些。]

用途：多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

应用：

1、电源切换电路：
(42 封私信 / 80 条消息) 聊聊电源自动切换电路（常用自动切换电路总结） - 知乎

(1)假设P3V3不存在，通过0欧电阻，由于该电源不存在，所以与MOS管栅极相连的点电位为0，此时栅极为低电平，PMOS管导通，+3.3V_AUX向GD32_3V3供电。

现在P3V3启动，由于0欧电阻连接，所以与MOS管栅极相连的点电位为3.3V，此时栅极为高电平，PMOS管截止，此时P3V3通过二级管D27给GD32_3V3供电；

电路功能：双电源切换，P3V3没有时，由+3.3V_AUX供电；P3V3供电时，+3.3V_AUX断电，由P3V3为GD32_3V3供电；

(2)B5817为肖特基二级管，我希望该二级管压降小一点，因为我们是给单片机供电。从下图数据手册我们看出，当电流为1A时，压降最大为0.45V；但实际我们只有100mA，从下曲线图我们看出100mA时，压降大概为0.2V左右

对于此电路的二级管选型要求：

• 压降要低；
• 开关速度要快：因为当P3V3供电时，MOS管会立刻断开，如果二级管导通时间过长，单片机供电会出现跌落，单片机可能就断电一会，这样之前的flash程序会被刷新；

双电源切换电路(主板常用，有电池来供电)

BAT54非常常见于RTC电源切换、电子开关；正向压降非常低(在这类小电流电路中，只有0.1V左右)，开关速度也很快；【此电路在过去的电子元器件文章中已经分析过了】

2、续流：

现在，让我们分析肖特基二极管在DC-DC电路中的作用：

(上图的下面相当于接地了)

续流作用：在DC-DC转换器中，肖特基二极管用于续流。当功率MOSFET关闭时，电感中的电流不能瞬间中断，因为电感会尝试维持电流的连续性。肖特基二极管提供了一个低阻抗路径，允许电感中的电流继续流动，从而防止电感产生过高的反向电压，这可能会损坏功率MOSFET或电路的其他部分。
电压钳位：肖特基二极管在MOSFET关闭时，将电感的电压钳位在接近零的水平。这有助于保护MOSFET，因为它防止了电感产生的反向电压对MOSFET的破坏。
提高效率：肖特基二极管因其低开启电压和快速切换特性，能够减少能量损耗，提高整个电路的效率。
在降压（buck）电路中，肖特基二极管的作用类似，也是用于续流和保护。在buck转换器中，当开关管（MOSFET）断开时，电感中的电流通过肖特基二极管继续流动，防止电感产生过高的反向电压。

肖特基二极管D4，应该只起到防反接保护作用，因为续流功能已由芯片内部下管MOSFET实现(这是LMR14030芯片已经集成了下管mos管)，故D4不应作为续流二极管。

3、逻辑开关：

所有二级管正极都是结3.3V的高电平，如果所有输入都是高电平，则所有二级管都不导通，通过上拉电阻，则1点处为高电平，NMOS管导通，发光二级管发光；如果有一个输入为低电平0，则二级管会把1点钳位在0.1V(导通为0.1V)，为低电平，则NMOS管断开了。

和上面一样，假设芯片引脚ALM_CPU为下拉输入模式，则二级管的负极都为低电平0，此时若有一个输入引脚输入高电平1，则二级管导通，会把ALM_CPU钳位在3.2V高电平状态，除非所有引脚都为低电平0，则芯片引脚无法得到高电平。

发光二级管：

发光二极管：LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。

在平时单片机上用的LED就是发光二极管，最简单的应用如下：

发光二极管需要注意，即便是同一厂家同一型号不同批次之间，颜色和亮度都可能会有明显的差异。在使用过程中，发光二极管发光的强弱 和 流过他的电流成正比，所以如果觉得光弱，可以降低和他串联的电阻，但是要注意他能够承受的最大电流，防止损坏。

发光二极管比较简单，发光强度与电流成正比。正向电流：小功率的一般最大20mA，使用时需要串联限流电阻

电阻总篇有对应放光二级管电路设计，主要还是计算限流电阻，来保证发光二级管正常工作。

TVS二极管：

原理：

什么是雪崩击穿？

雪崩击穿是有必要了解一下的，不然后面还有齐纳击穿，搞不懂原理，做事就没底气。

所谓雪崩击穿，想象一下雪崩的场景，开始是一小块，慢慢积累起来就是一大片。

二极管的雪崩击穿也是这样，这个只发生在二极管接反向电压时才可能发生；

假设大家已经知道了，二极管加反向电压，PN结附近的耗尽层会增大，也就是扩宽，耗尽层的电荷也更多，耗尽层的电场强度会变大。

再假设大家还知道，电场强度越大，电子在里面受力也越大，跑得就越快。那一不小心，电子撞到了晶格上的电子（晶格上的电子就是共价的电子对），还把晶格上的电子撞出来了，那耗尽层的电子就变多了，变多的电子一起加速继续撞，是不是有一生二，二生三，三生万物的感觉，这个感觉就是雪崩，所以雪崩基础就是加反向电压到一定程度，突然反向电流暴增，就这么回事。

TVS二极管的应用：
TVS二极管就是利用雪崩击穿这个特性，常规二极管发生雪崩击穿后，八成也就废了，但是TVS二极管有特殊的结构和工艺，发生雪崩击穿之后居然还能恢复。

TVS管在电路中就是工作于反向截止状态，电路正常的时候，有这个TVS二极管和没有TVS二极管是一样的，可以把这个TVS当空气。但是当电路受瞬间的高能量脉冲冲击时，这个TVS二极管先感受到冲击，迅速被反向击穿，吸收脉冲波的能量（其实是给脉冲波一个释放通道），将电路两端间的电压箝位在一个预定的数值上，这样就能保护后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。保护过程如下面的电路所示。

单向TVS二极管和双向TVS二极管的区别：(单向、双向指的是它的极性)

TVS二极管（Transient Voltage Suppressor，瞬态电压抑制器）是一种用于保护电子设备免受高电压瞬态脉冲损害的半导体器件。它分为单向TVS二极管和双向TVS二极管，这两种类型的TVS二极管在设计和应用上有显著的区别。

单向TVS二极管：
工作原理：单向TVS二极管在正向电压超过其击穿电压时导通，形成一个低阻抗路径，将过压信号迅速地引入地，从而保护电路中的其他组件。
保护范围：它主要用于保护直流信号或单向交流信号，如电源线或数据线上的单向脉冲电压。
特性曲线：单向TVS二极管的反向特性曲线从零电压开始，直到达到其反向击穿电压。正向特性曲线则是从零电压开始，直到达到其正向击穿电压。
应用场景：当电路需要保护的是单向脉冲或直流信号时，使用单向TVS二极管可以提供有效的保护。
双向TVS二极管：
工作原理：双向TVS二极管在正向和反向电压超过其击穿电压时都能迅速导通，形成低阻抗路径，将过压信号引入地。
保护范围：它适用于保护双向交流信号，如通信线或网络线上的双向脉冲电压。
特性曲线：双向TVS二极管的反向特性曲线从负电压开始，直到达到其反向击穿电压；正向特性曲线则从正电压开始，直到达到其正向击穿电压。
应用场景：当电路需要保护的是双向脉冲或交流信号时，使用双向TVS二极管可以提供有效的保护。

单管/单向TVS管与双管/双向TVS管区别：

保护信号类型不同，单向的只能保护单向、直流信号，双向的就能保护交流跨零、直流信号；而ESD浪涌信号也可能是双向的，单、双向都是行的，因为单向、双向都对正反向都有抑制作用，单向的抑制作用是不对称的，双向的是对称的，要关注单向的正向信号。
选择：

在选择使用单向还是双向TVS二极管时，需要根据电路的具体需求来确定。如果电路中的信号是单向的，如直流电源线，那么使用单向TVS二极管更为合适；如果信号是双向的，如通信线路，那么使用双向TVS二极管更为合适。此外，还需要考虑TVS二极管的浪涌能量吸收能力、最大反向工作电压、最大正向工作电流等参数，以确保TVS二极管能够满足电路的保护需求。

在实际应用中，如果电路的信号是单向的，但TVS二极管的反向击穿电压设置得过低，可能会导致在正常工作电压下TVS二极管经常导通，这可能会影响电路的正常工作。因此，选择合适的TVS二极管并设置适当的反向击穿电压是非常重要的。

TVS二极管 与 齐纳二极管相同点：

都是利用二极管的击穿原理去工作的。

作为二极管他们的基本特性相同，他们电路符号基本相同：

TVS二极管 与 齐纳二极管不同点：

工作区间不一样：

齐纳二极管 正常工作在 反向击穿区域， TVS二极管 正常工作 在截止区。

保护机制不一样：

TVS 保护瞬间的 非常高的异常电压，用于保护电路。
稳压管 保护电路中出现的 小波动电压，使得电压平稳，用于稳压电路。

击穿电流不一样：

TVS二极管的击穿电流低，齐纳二极管相对大一点

响应速度不一样：

TVS的响应速度更快，能达到 皮秒的级别

功率不一样：

TVS的功率较高，齐纳二极管功率相对较低

静电实验等级

在进行接口设计时，选择合适的TVS二极管至关重要。以下是选择TVS二极管时的逻辑步骤：

• 确定接口的ESD等级：首先，需要了解接口的ESD敏感度等级，这是由国际标准如IEC 61000-4-2定义的。这些等级包括静电放电的接触放电（CD）和空气放电（AD）等级。
• 选择合适的TVS二极管：根据接口的ESD等级，选择具有相应等级保护能力的TVS二极管。例如，如果接口的ESD等级是±8kV（接触放电）和±15kV（空气放电），那么需要选择能够承受这些电压等级的TVS二极管。
• 了解TVS二极管的实验方法：不同的TVS二极管制造商可能采用不同的实验方法来测试ESD性能。了解这些实验方法有助于确保所选TVS二极管能够提供预期的保护。
• 综合考虑器件参数：除了ESD等级，还需要考虑TVS二极管的其他参数，如浪涌能量吸收能力、最大反向工作电压、最大正向工作电流等，以确保器件能够满足电路的保护需求。
• 设计和验证：在设计电路时，应将TVS二极管正确地放置在电路中，以提供最佳的ESD保护。在完成PCB布局后，应进行测试验证，确保TVS二极管能够正常工作并提供预期的保护。

选型要点

反向截止电压（VRMA）：

当反向电压超过此值时，器件开始导通，即发生击穿。
选型要点：需确保反向截止电压大于或等于信号工作的最大电压，以保证正常工作时不被击穿，不影响电路正常工作。假设现在反向截止电压小于高电平，则当电路来高电平时，则TVS管击穿，强行将电路电平钳位在二级管钳位电压，如果钳位电压小于高电平最低值，则导致电路对电平判断出错。

击穿电压（VBR）：

TVS二极管的击穿电压；

到了这个电压，TVS二极管的反向电流开始增加，雪崩击穿快发生了；VBR一直到钳位电压VC为TVS管工作的电压/状态；

VC(钳位电压)/IPP(峰值脉冲电流)：

VC是TVS二极管的钳位电压，就是二极管击穿之后，二极管能保持的一个电压；

IPP是峰值脉冲电流，所对应的就是钳位电压，也就是TVS二极管被击穿后，达到钳位电压时，所对应的电流；

【VC不能大于芯片/电路的损坏电压，相当于二级管在处理浪涌电压时，把电压钳位在VC，但VC已经能够把电路/芯片损坏了】

IPPM（额定峰值脉冲电流）：

超过这个电流，TVS二极管就可能被干废了。

RDYN动态电阻：影响器件的稳压效果和信号完整性。
选型要点：动态电阻越小，对信号的干扰越小，稳压效果越好。

CT等效电容：器件的电容，影响响应时间和信号完整性。
选型要点：等效电容越小，对高速信号的影响越小，应选择小于等于特定接口标准要求的电容值。

【上图为不同USB需要的结电容大小，也就是需要的开关时间】

• 布局布线：TVS管在电路板上的放置位置，应尽量靠近连接器放置，以便更好地抑制ESD波形，保护后端电路。
• 降额设计：TVS管选择时，包保留功率/电压余量，防止超过器件的承受能力，确保长期稳定运行。

应用：

TVS管+二极管钳位电路的分析_钳位二极管和tvs-CSDN博客

有需要看看这个。感觉TVS管使用场景是比较固定的，就是接口用TVS管来防止外部干扰和静电（ESD）进入内部电路；

参考文章：

二极管工作原理

PN结原理，及各个二级管的电路符号认识一下

19 种典型二极管应用电路，电路图+工作原理，一文总结，快速搞懂_二极管保护电路-CSDN博客

(42 封私信 / 80 条消息) 二极管的七种应用电路及详解 - 知乎

【只是简单介绍，没什么深入，学了是学不会自己设计的，但可以看看，了解一下基础原理；但要注意不同应用最好采用适合类型的二级管，比如耳机做逻辑开关最好用肖特基二级管，开关速度快，你用普通二级管可能电路就失效了】

二极管：二极管的基本原理与常见二极管的应用_二极管原理-CSDN博客

【涉及简单稳压电路的稳压电阻选择？不知道有没有用】

二极管：TVS瞬态抑制二极管_tvs二极管-CSDN博客

聊一聊TVS管的电路使用_tvs电路-CSDN博客

硬件设计:电路防护--TVS管 - Wcat - 博客园

瞬态电压抑制二极管(TVS)典型应用电路图分析

TVS管+二极管钳位电路的分析_钳位二极管和tvs-CSDN博客

【TVS二级管参数与应用】

常见的九种二极管_二极管类型及符号-CSDN博客

【可以看看各种击穿的定义，了解了解】

详细讲解二极管的钳位电路和限幅电路_二极管钳位电路-CSDN博客

【对二级管钳位讲解，钳位其实是很简单的，不过在电路保护中也比较常用】

【硬件基础4】二极管（原理、特性、类型、电路分析）_为什么pn结正向偏置结电容大于反向平直-CSDN博客

【电子元器件篇】5.二极管_nominal zener voltage-CSDN博客

全面认识二极管，一篇文章就够了-CSDN博客

【结合这篇一起看，知识点基本就全了，重点关注他的参数解读部分】