C6.9:三极管的四种常用晶体管放大器的简述

  类型：CE放大器

  相移Φ：180°

  Av：中高 

  Ai：β

  Ap：高

  Zin：中等

  Zout：中等

  适合场景：通用放大器，具有电压增益和电流增益，比较均衡常用的结构。

  类型：CC放大器（射极跟随器）

  相移Φ：0°

  Av：约为1

  Ai：β

  Ap：中等

  Zin：高

  Zout：低 

  适合场景：缓冲器，阻抗匹配，隔离，大电流驱动的作用，没有电压放大的作用，因为是电压跟随功能。

  

  类型：CB放大器

  相移Φ：0°

  Av：中等

  Ai：β

  Ap：中等

  Zin：低

  Zout：高 

  适合场景：高频放大器，低阻到高阻的匹配，只有电压放大作用，没有电流放大，有电流跟随作用。

  

  类型：达林顿

  相移Φ：0°

  Av：≈1

  Ai：β1 * β2

  Ap：高

  Zin：非常高

  Zout：低

  适合场景：缓冲器，大电流驱动，放大器，适合微小信号控制大电流。

  从频率特性来看​​：CB > CE > CC > 达林顿，达林顿结构因两级结构，​​开关速度较慢​​ 。

  从功耗与散热​​来看：达林顿结构的​​饱和压降大​​（通常VCE > 0.9V），在大电流下自身功耗不容忽视，需注意​​散热​​ 。

  从稳定性来看​​：CE电路增益高，引入的相移可能使​​负反馈电路在某些频率下产生自激振荡​​，需进行补偿。

     注：以上仅个人观点，如有错误，恳请批评指正