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中科君芯JFG150N40B 40V-N沟道增强模式功率驱动器

中科君芯JFG14N40G ‌40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET‌是种特定的功率场效应晶体管(MOSFET)主要应用在电池管理 、系统与电源管理,MOSFET由于其低导通电阻、大电流能力和逻辑电平驱动的特性,特别适用于需要高效、大电流驱动的电路,如汽车电子、工业控制等领域‌。其关键参数和特性如下:

功能特性:

  1. 设备额定电压VDS:=40V,连续工作时漏极电流上限 ID = 150A
  2.  导通电阻=2.7mΩ (typ.) 栅源电压= 10V, 漏极电流 = 20A
  3. •专有高密度沟槽技术
  4. 符合RoHS和无卤素 (不含卤素或卤素含量极低的材料或产品)
  5. 封装:TO-220-3L

电气特性:

  1. ‌VDS(Drain-Source Voltage)‌:40V
  2. ‌VGS(Gate-Source Voltage)‌:±20V
  3. ‌ID(Continuous Drain Current)‌:Tc=25°对应最大漏极电流上限150A,Tc=100°对应漏极电流上限最大值95A
  4. ‌IDM(Pulsed Drain Current):600A
  5. PD(Total Power Dissipation)‌:TC = 25℃ 对应1.4W,TA = 25℃对应2.15W
  6. EAS单脉冲雪崩能量:150mJ
  7. RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)热阻:58C\W
  8. RθJC:结到壳的热阻:1.2°C\W
  9. ‌TJ‌\TSTG‌:-55 to +150°C

除非另有说明,TC=25℃

————其他详细参数请联系深圳市泰凌微电子有限公司团队————————————

   


                    

     

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