Vertical Semiconductor融资1100万美元

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麻省理工旗下GaN分拆企业，押注人工智能芯片与数据中心电力增长新机遇

日前，从麻省理工学院（MIT）剥离而出的垂直半导体公司（Vertical Semiconductor）宣告成功获得1100万美元的种子资金。这笔资金将助力加速垂直GaN晶体管的研发进程，为数据中心的人工智能芯片注入下一轮强劲动力。

该公司所研发的GaN晶体管，旨在通过推动能量转换环节更趋近芯片，从而有效缓解数据中心面临的电源瓶颈问题。据称，此项技术能够将效率提升高达30%，并使人工智能数据中心机架的功耗降低50%。

“人工智能的发展速率，并非仅仅受限于算法。”垂直科技首席执行官兼联合创始人廖欣欣（Cynthia Liao）表示，“人工智能硬件领域最为关键的瓶颈在于，我们向芯片输送能量的速度究竟有多快。”她还强调，“我们所做的不仅仅是提升效率，更是通过大规模革新数据中心的电力输送模式，来推动下一轮创新浪潮的涌现。”

Vertical公司的技术，是基于麻省理工学院帕拉西奥斯集团（一个专注于氮化镓研究的实验室）长达十年的研究成果。该公司已运用标准硅CMOS半导体制造方法，在8英寸晶圆上成功演示了这项技术。这不仅实现了与现有工艺技术的有机集成，还为100V至1.2kV设备的实际应用做好了充分准备。

Playground Global风险合伙人Matt Hershenson评价道：“Vertical团队成功攻克了一个困扰行业多年的难题，即如何借助可扩展、可制造的解决方案，提供高电压、高效率的电力电子产品。他们不仅推动了科学的进步，还重塑了计算领域的经济格局。”

参与此次投资的机构还包括JIMCO技术风险投资、里程碑•资本以及信越化学。

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