Win Semi宣布推出线性优化的GaN工艺

台湾化合物半导体代工巨头WIN Semiconductors在SiC衬底上成功研发出0.12μm栅长耗尽型（D-mode）GaN HEMT技术，犹如为高频电子领域打造了一把锋利的"射频宝剑"。这款名为NP12-1B的工艺专为K波段至V波段的高功率应用量身定制，其卓越性能宛如一位全能运动员，在射频与微波系统的竞技场上展现出惊人的爆发力——不仅具备业界领先的功率输出能力，更以出色的线性度、耐用性和可靠性著称，堪称下一代高功率前端解决方案的标杆。

这项技术犹如精密编织的电子神经网络，将广泛应用于多个尖端领域：从高功率微波和毫米波通信系统这座"信息高速公路"，到雷达系统这双"电子鹰眼"；从电子战和航空电子设备这类"空中卫士"，到无线基础设施这座"数字桥梁"；再到超宽带和宽带系统这条"数据激流"，以及测试和测量设备这套"电子听诊器"。NP12-01B工艺集成了多项晶体管优化技术，就像一位技艺精湛的工匠，在连续波高压缩工况下完美平衡了高击穿电压、卓越线性度与稳健运行这三重奏。

WIN公司特别指出，该技术采用先进的源耦合场板设计，如同为电子器件披上了一件"绝缘铠甲"，可实现120V的典型栅极-漏极击穿电压，既确保了高功率密度，又守护了系统可靠性。更令人称道的是，NP12-1B工艺还具备增强的耐湿性选项，使其在塑料封装应用中也能如"出水芙蓉"般保持稳定性能。整套技术由完备的工艺设计套件保驾护航，包括大信号和小信号模型这对"黄金组合"，为工程师们提供了全方位的设计支持。

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