esp32程序存储结构--自用笔记版

可能会有错误.....

一、前置知识：ROM、RAM、FLASH, EEPROM

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二、ESP32内存机制

1.ESP32的存储架构比传统单片机复杂得多，因为它具有双核处理器、多种内存总线以及超低功耗协处理器。

2.ESP32的所有内存（内部RAM、外部Flash芯片上的内容）都被映射到CPU的一个统一的4GB地址空间中。CPU通过访问不同的地址范围，就访问到了不同类型的存储器。

3.这些存储器区域的划分，主要是为了在性能、功耗和功能之间取得最佳平衡。

三、具体说明

DRAM (数据 RAM)

        功能：存储变量（全局变量、静态变量、堆栈等）。CPU 核心以最高速度在此进行数据读写。断电后数据丢失。保存非常量静态数据、初始化未0的数据

“noinit” DRAM

        功能：DRAM 中的一段特殊区域。芯片重启（如看门狗复位、软件复位）时，其中的数据不会被编译器初始化为零，得以保留。用于记录重启原因等场景。存放未初始化的全局变量

IRAM (指令 RAM)

        功能：存储需要高频访问或中断中执行的程序代码（函数）。CPU 可直接从 IRAM 高速取指执行，避免从较慢的 Flash 读取造成的延迟。ESP-IDF将内部SRAM（0、1、2）的部分区域SRAM（0、1）分配为指令RAM中断处理程序，一般放入指令RAM中、可以通过IRAM_ATTR宏在源码中指定放入IRAM的代码

IROM (指令 ROM)

        功能：存储应用程序代码。实际位于外部 Flash 中，但被内存映射到 CPU 的地址空间。CPU 可从这里直接读取代码执行，但速度比 IRAM 慢。如果一个函数没有被显示的声明在IRAM和RYC存储器中，则会默认放在flash中

DROM (数据 ROM)

        功能：存储常量数据（如字符串、查找表）。实际与 IROM 一样位于外部 Flash 中，作为数据访问的区域（通过内存映射）。用于存放只读数据

RTC_Slow_Memory

        功能：深度睡眠模式下唯一保持供电的慢速内存。容量小、速度极慢，用于在深度睡眠期间存储少量需要保留的数据（如状态标志）。代码无法在此执行。

RTC慢速存储器，RTC_NOINIT_ATTR属性宏可以将数据放入RTC_Slow_Memory。放入此类存储器的值从深度睡眠模式醒来后会保持不变

RTC_Fast_Memory

        功能：深度睡眠模式下保持供电的快速内存。除了存储数据，一小段代码（如深度睡眠唤醒程序）可加载到此内存中并由 ULP 协处理器执行，因为主 CPU 在睡眠时已断电。该区域既可以作为指令存储器也可以作为数据存储器进行访问。从深度睡眠模式唤醒后必须要运行的代码则要放在这里