layout版图设计学习笔记2_工艺流程
1. NW(TB)，Nwell，N阱
- P衬底为什么接低电平？N阱和P衬底构成寄生二极管，在CMOS电路中，衬底通常接最低电平，确保二极管处于反偏，防止电流流出，减小功耗。理想情况下，从衬底流出的电流为0。
- N阱作用？
制造PMOS；N阱掺杂浓度较低，电阻率高，用于制作阱电阻；还可以与衬底构成二极管，用于制造寄生PNP管（纵向PNP） - 邻阱效应（WPE）：N阱是扩散获得的，因此在边缘位置会存在离子浓度不均匀的情况，因此尽量不要在靠近阱的地方放置器件。
- 同样电位的阱放在一起，减少阱的个数。
2. AA（TO），有源区
- **1. 有源区主要用于制造N型器件和P型器件，也可以用于金属1和衬底或阱的接触。**从某种意义上说，有源区的掩模版主要用于打开离子注入的窗口；实际上有源区掩模版的意义在于作为制造硅局部氧化（LOCOS）和薄氧（封闭图形内形成薄氧，封闭图形外形成LOCOS）
- 硅局部氧化（LOCOS）是为了隔离不同的MOS器件，但是LOCOS生长场氧时，会想四周扩散，导致沟道长度变短。0.28um以下工艺使用浅槽隔离（STI）作为隔离。
- STI，需要挖槽，所以会有应力影响。
解决方法：使用源漏共用工艺，只需要最边上两个点加STI，可以减少STI影响；加dummy，防止边缘MOS被影响。
3. GT（Poly），栅极
- 作用
Poly主要用于制造栅极；
Poly1和Poly2可以一块用来做电容；
Poly电阻(常用)；
Poly互连，但是Poly导电能力较差，当可用金属层大于2层时，（模拟）一般不用Poly。 - Poly掺杂时可以起到掩模版的作用，因此下方不会掺杂。场氧是非常稀松的SiO2无法起到隔绝作用。
4. CT，接触孔；VIA，通孔
- CT：连接扩散层（源漏）与M1，栅极与M1；
- VIA：金属层之间的走线
