封装技术生命周期 从CDIP到CSP到SiP先进封装
这张图展示了半导体封装技术的演化周期图，包括不同封装类型在其生命周期中的“萌芽期-成长期-成熟期-衰落期-逐步淘汰期”的演进轨迹。下方和图中列出的是各类封装的缩写（Package Type Abbreviations）
🟧 早期与传统封装（CDIP、PDIP 等）
| 缩写 | 全称 | 技术简介 |
|---|---|---|
| CDIP | Ceramic Dual In-line Package | 陶瓷双列直插封装，70年代常用于军工、早期微处理器，气密性强、散热好，成本高。 |
| PDIP | Plastic Dual In-line Package | 塑料双列直插封装，适合插入 PCB 孔中，曾广泛用于早期 MCU 与逻辑器件。 |
| LCC | Leadless Chip Carrier | 无引脚芯片载体，封装四周有金属垫片，体积更小，常用于高频器件。 |
| PGA | Pin Grid Array | 插针阵列封装，适用于大面积芯片，曾是高端 CPU 的主流封装。 |
🟨 成熟期引脚式封装（90年代）
| 缩写 | 全称 | 技术简介 |
|---|---|---|
| QFP | Quad Flat Package | 四边引脚扁平封装，广泛应用于消费电子、MCU、DSP。 |
| PLCC | Plastic Leaded Chip Carrier | 塑料引线芯片载体，类似 QFP，但用于插座或表贴更灵活。 |
| SOP | Small Outline Package | 小型外形封装，外形更紧凑，适用于中低引脚数的模拟和逻辑器件。 |
| SSOP | Shrink Small Outline Package | 缩小版 SOP，引脚间距更小，节省 PCB 空间。 |
| TSOP | Thin Small Outline Package | 超薄小型封装，常用于存储器（如 SDRAM）。 |
| TQFP/FQFP | Thin/Fine-pitch Quad Flat Package | 超薄/细间距 QFP，用于空间有限、需较高引脚密度的应用。 |
| SOJ | Small Outline J-lead | J 型引脚小外形封装，常用于 DRAM 存储器件。 |
| TAB | Tape Automated Bonding | 胶带自动键合封装，早期用于高频信号传输，现较少使用。 |
🟦 2000 年前后先进封装技术
| 缩写 | 全称 | 技术简介 |
|---|---|---|
| BGA | Ball Grid Array | 球栅阵列封装，信号通过焊球连接到底部，散热性和引脚密度优异，是现代主流封装之一。 |
| FC PKG | Flip-Chip Package | 倒装芯片封装，芯片倒置焊接在载体上，布线短、性能高、散热好。 |
| WLCSP | Wafer-Level Chip Scale Package | 晶圆级芯片封装，封装尺寸与裸芯片几乎相同，适合小型化、便携设备。 |
| CSP | Chip Scale Package | 芯片级封装，封装尺寸不超过裸芯片的1.2倍，适合手机、IoT等轻量产品。 |
🟩 新一代系统级与三维封装（2010s~）
| 缩写 | 全称 | 技术简介 |
|---|---|---|
| SiP | System in Package | 系统级封装，在一个封装内集成多个芯片（逻辑+存储+射频等），实现功能模块化。 |
| 3DP | 3D Package | 三维封装，通过 TSV（通孔硅）堆叠芯片，提升集成密度与带宽。 |
| 3D IC | 3D Integrated Circuit | 真正意义上的芯片级堆叠与互连，已用于高端 AI 芯片、HBM、异构集成场景。 |
🔁 演进规律简述：
- 封装形式从“引脚式” → “焊球式” → “堆叠式”；
- 设计目标从结构简洁转向高性能、高集成、高散热；
- 当前主流方向：SiP、3D IC、Chiplet-based封装（如Intel Foveros, TSMC CoWoS）。