【氮化镓】关态下负栅压对 p-GaN HEMTs 单粒子效应的影响

2025 年 5 月，电子科技大学的 Xintong Xie 等人以及成都信息工程大学的 Xiaorong Luo 等人在《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》期刊发表了题为《Experimental Study of Heavy Ion Irradiation Hardness for p-GaN HEMTs Under Off-State With Negative Gate Voltage》的文章，基于实验和 Sentaurus TCAD 仿真方法，研究了在关断状态下负栅极电压（V GS）对 100-V E 模式 p-GaN HEMTs 单粒子效应（SEE）抗性的影响。实验采用回旋加速器产生的周期性束流作为重离子辐照源，利用 Ta 离子进行测试，仿真则构建了包含 p-GaN 层、AlGaN 障碍层等结构的模型，结果表明施加负 V GS 可显著降低单粒子瞬态电流（SET）峰值，提高单粒子烧毁（SEB）阈值电压，增强器件辐射鲁棒性，且负 V GS 能有效抑制辐照后的栅极电容（C G）、阈值电压（V th）和关断态漏极泄漏电流（I DSS）的偏移，该研究结果对指导 GaN