PCB之电源完整性之电源网络的PDN仿真CST---09

一，vrm芯片输出端口的C1210_47UF 的电容：CL32B476KQVVPNE，三星的电容，官网链接如下所示：

CL32B476KQVVPN#https://product.samsungsem.com/cn/mlcc/basic-search.do

其阻抗特性频率曲线如下所示：

下载这颗电容物料的S参数时候需要注意一下若是需要很准确的仿真结果，尽量使用上的那个精准的S参数的数据。

二，精准的S参数数据CL32B476KQVVPN_Series_Precise_DC0V_25degC

简单的S参数数据CL32B476KQVVPN_Series_Simple_DC0V_25degC

三，把这两种不同的类型的S参数的电容导入到仿真软件中去看下结果：

下面是官网提供的阻抗频率特性曲线图：

四，下面是导入了另外一种S参数模型

五，最终看下两种情况下的电源网络的PDN曲线的表现吧：

整体来看差别不是很大，精准的S参数数据CL32B476KQVVPN_Series_Precise_DC0V_25degC更加反应真实的工况，类似仿真的是worese 0case的情况。简单的S参数数据CL32B476KQVVPN_Series_Simple_DC0V_25degC这个其实差别不多。若是仿真的结果裕量很多的情况下这两个都是可以使用的，若是使用简单的S参数数据CL32B476KQVVPN_Series_Simple_DC0V_25deg的时候就PDN结果是已经压着限值曲线了，说明PCB设计上就需要做一些优化了。

好了，诸位道友们以上就是本期的所有内容了，我们下期文章不见不散。

 

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