Macom将生产HRL的GaN-on-SiC工艺

Macom将把先进的T3L高频半导体工艺转化为量产

Macom Technology已与HRL Laboratories达成协议，授权和制造HRL专有的40nm T3L GaN-on-SiC工艺技术。HRL和Macom将合作将这一专有半导体工艺从HRL的工厂快速转移到Macom的美国可信代工厂之一。

HRL由波音公司和通用汽车公司共同拥有，被认为是创新射频和微波GaN-on-SiC工艺技术研发的先驱。T3L采用专有的外延结构和先进的栅极设计，这有助于其在毫米波频率下的高性能和增强可靠性。

T3L由HRL在国防部副部长办公室（OUSD）的先进射频氮化镓（STARRY NITE）和DARPA的动态范围电子和材料（DREaM）项目下成熟，以及包括业主捐款在内的额外HRL资金。

“我们很高兴与HRL合作，并期待建立密切的工作关系。T3L是业内最先进的高频半导体工艺之一，我们预计这将增强我们现有的产品组合，并加速我们路线图的执行，”Macom总裁兼首席执行官Stephen G. Daly说。“我们不是‘星空之夜’或‘梦想’节目的一部分；然而，随着我们将这项技术产业化，Macom和我们的客户将很快成为结果的受益者。”

HRL总裁兼首席执行官Rob Vasquez表示：“与Macom的新合作关系展示了HRL在开发和验证技术概念并将其转化为生产方面的专业知识。“我们的GaN-on-SiC工艺技术是在多年的辛勤工作中建立起来的，我们很高兴现在与Macom合作，将这项工作推进到大批量生产。”

永霖光电-UVSIS-UVLED紫外线应用专家-独家发布