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与您探讨电子元器件结构陶瓷(陶瓷基板)的分类及结构陶瓷的应用

陶瓷基板按基材材料分类
氧化铝(Al₂O₃)主要特性:导热率适中(≈30 W/m·K),绝缘性好,成本相对低。典型应用:低端至中端功率模块、LED散热基板
氮化铝(AlN):主要特性:高导热率(≈170 W/m·K),热膨胀系数接近硅。典型应用:高功率IGBT、激光二极管、汽车电子。
氮化硅(Si₃N₄)‍主要特性:高强度、耐高温,导热率≈70 W/m·K。典型应用:高电流、大功率功率器件。
氧化铍(BeO)主要特性:极高导热率(≈200 W/m·K),但毒性较大。典型应用:高端散热需求的射频/微波模块。
碳化硅(SiC)主要特性:超高硬度、耐高温、导热率≈120 W/m·K。典型应用:高温功率器件、航空航天。
硼氮化物(BN)主要特性:绝缘性极好,导热率≈30 W/m·K。典型应用:需要高绝缘的微波/射频基板。
其他陶瓷(如SiC、Si₃N₄等)主要特性:兼具高导热与低热膨胀。典型应用:未来高功率/高频封装方向。
结构陶瓷凭借其高绝缘、高热导、尺寸稳定和耐腐蚀等优势,已成为电子元器件中不可或缺的材料,覆盖从 基板、封装、散热、绝缘到高频/高温专用部件 的全链路需求,并在新兴的 5G、AI、功率电子等领域保持快速增长。

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