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三极管MOS管

MOS管有 三个引脚名称:G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极

按材料分类,可以分为分为耗尽型和增强型:

增强型管:栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零;

耗尽型管:栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。

PMOS

PMOS晶体管的导通条件可以概括为一句话:

栅极(G)相对于源极(S)的电压 VGSVGS​ 必须小于(更负于)其阈值电压 VthVth​。

  • NMOS:工作在正电源下。导通需要 VGS>VthVGS​>Vth​(Vth>0Vth​>0),即栅极电压高于源极电压一个阈值。

  • PMOS:工作在负电源或相对于源极的低电压下。导通需要 VGS<VthVGS​<Vth​(Vth<0Vth​<0),即栅极电压低于源极电压一个阈值。

NMOS

vgsth:打开nmos所需要的电压

Rdson:mos管被完全打开时的DS电阻称为Rdson

Cgs:G和S之间的寄生电容

NMOS(N 沟道 MOSFET)的导通条件取决于栅极与源极之间的电压,通常指增强型 NMOS(最常用的类型)是 “高电平导通”

NMOS:AO3400 

PMOS:AO3401

LDO

小封装:SPX3819M5

ME6206A25M3G

或门

SN74LVC1G32DBVR

应用:按键控制电源开关 实现单片机自锁

485自动收发

按键控制单片机电源通断

这个电路实现功能通过按键S1来控制单片机供电,按下后开始供电 当再次按下断开供电

SN74LVC1G32DBVR为"或门"
SPX3819M5-3 为3.3V的LDO,可视为降压模块,SPX3819M5的引脚EN为控制降压模块是否工作
单片机3.3V供电
PB1_POW_C接在单片机的PB1引脚 配置为推挽输出
PB2_POWER_KEY_R 接在单片机的PB2引脚 配置为浮空输入

蜂鸣器

L298P

二极管

普通硅二极管正向压降约为0.6V~0.7V,而肖特基二极管通常只有0.2V~0.4V

在防反接保护电路场合基本都是使用的肖特基二极管,比如:SS34,SS12,B5819W 等。

在单片机系统中常见的TVS二极管有:SMBJ3.3A,SMBJ5.0A

肖特基二极管

型号平均整流电流 (IF(AV))反向重复峰值电压 (VRRM)典型正向压降 (VF)常见封装
SS121 A20 V~0.5V @ 1ASMA / DO-214AC
SS141 A40 V~0.5V @ 1ASMA / DO-214AC
SS161 A60 V~0.7V @ 1ASMA / DO-214AC
SS222 A20 V~0.55V @ 2ASMB / DO-214AA
SS242 A40 V~0.55V @ 2ASMB / DO-214AA
SS262 A60 V~0.7V @ 2ASMB / DO-214AA
SS323 A20 V~0.55V @ 3ASMC / DO-214AB
SS343 A40 V~0.55V @ 3ASMC / DO-214AB
SS363 A60 V~0.7V @ 3ASMC / DO-214AB
SS525 A20 V~0.6V @ 5ASMC / DO-214AB
SS545 A40 V~0.6V @ 5ASMC / DO-214AB
SS565 A60 V~0.7V @ 5ASMC / DO-214AB
特性肖特基二极管 (Schottky)普通整流二极管 (Rectifier)TVS二极管 (Transient Voltage Suppressor)
核心功能高频、高效率整流工频/低频电源整流瞬间过压保护(浪涌吸收)
工作原理金属-半导体结(肖特基势垒)PN结专门优化的PN结(雪崩击穿原理)
正向压降 (Vf)很低 (0.2V - 0.4V)较高 (0.6V - 0.7V)较高 (≈0.7V),但这不是关注点
开关速度极快 (ns级)很慢 (μs级)非常快 (ps到ns级)
反向耐压 (VRRM)较低 (<100V常见)很高 (可达1000V以上)范围广(从几V到几百V)
关键参数Vf, VRRM, IFVRRM, IF, trr击穿电压(Vbr),钳位电压(Vc),峰值脉冲功率(PPP)
像一个...灵敏的短跑运动员力量型的举重运动员坚固的防弹衣
典型应用开关电源输出整流、续流交流适配器、电源桥式整流USB端口ESD保护、电源浪涌保护、雷击防护

DC-DC

运算放大器

芯片LM358

Rs是一颗阻值非常小的采样电阻,用来检测系统的电流

同相放大器

反相放大器

http://www.dtcms.com/a/524090.html

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