英飞凌CoolSiC mosfet现在采用TO-247PLUS-4

英飞凌推出了采用TO - 247PLUS - 4 Reflow封装的CoolSiC mosfet 1400V G2器件。此类采用TO - 247PLUS - 4 Reflow封装的1400V器件，可支持更高的直流链路电压，且具备更优的热性能。

这些器件不仅能够支持更高的直流链路电压，还可有效改善热性能、缩小系统尺寸并增强可靠性。它们专为高功率应用量身定制，诸如电动汽车充电、电池储能系统，以及商业、建筑和农业车辆（CAV）等领域。

该封装技术可支持260°C的回流焊接，最多能承受三个周期，且能在结温高达200°C的情况下实现可靠运行，同时确保具备高峰值电流能力。借助英飞凌的XT互连技术，器件能展现出更卓越的热性能和更强的机械稳健性，以适应严苛的环境。

全新的1400V电压等级为更快速的开关操作提供了额外的裕量，同时简化了过电压保护措施。这不仅消除了功率降额的需求，还有助于提升整体系统的稳健性。CoolSiC mosfet的RDS（on）等级处于6至29 mΩ之间。

此外，英飞凌还提供采用高漏电率的TO - 247 - 4封装的1400V CoolSiC mosfet。该产品组合的RDS（on）等级范围为11至38 mΩ，其设备同样适用于光伏等应用场景。

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