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2025年存储市场报告深度解读

news 2025/10/16 6:08:17

本文基于Yole Group于2025年8月在FMS发布报告《Memory Market Overview 2025 Update》展开解读，聚焦2024-2030年整个存储市场的技术演进与市场趋势，供各位读者参考！

2024年存储市场按技术细分的占比数据（DRAM含HBM 57%、NAND 40%、NOR 1.7%、新兴NVM 0.1%），揭示了当前存储行业的“成熟度差异”：

主流技术主导：DRAM与NAND合计占比97%，是行业收入的绝对支柱；
细分技术定位清晰：NOR Flash（1.7%）因“高速读取、低容量”特性，主要用于BIOS、物联网（IoT）设备，需求场景窄且规模小；EEPROM（0.63%）、(NV)SRAM/FRAM（0.4%）则聚焦“低功耗、高可靠性”小众场景（如工业控制）；
新兴NVM（0.1%）瓶颈：MRAM、RRAM等新兴非易失性内存虽具备“高速、低功耗”优势，但受限于良率低（<50%）、成本高（是NAND的3-5倍），尚未突破“实验室到量产”的临界点，短期无法撼动DRAM/NAND地位。

2020-2025年（含预测）的收入与增速曲线，清晰呈现了存储行业的“周期性特征”与“结构性变化”：

周期低谷（2022年）：收入同比-34%，核心原因是“供需失衡”——2021年厂商扩产（DRAM/NAND产能同比+15%）叠加消费电子需求疲软（PC出货量同比-16%、智能手机同比-11%），导致行业库存高企（库存周转天数超90天），被迫降价去库存；
复苏反弹（2023-2024年）：2024年收入同比+78%至170B，核心驱动力是“AI需求爆发”——HBM收入从2023年1B飙升至2024年$17B（同比+1600%），拉动DRAM整体增长；同时，数据中心服务器出货量同比+25%（AI服务器占比从5%升至15%），带动NAND需求回升；
2025年预测（$194B）：增速放缓至15%，反映“短期供需再平衡”——HBM产能逐步释放（三星、SK海力士2025年HBM产能同比+80%），价格涨幅收窄；消费电子需求仍处低位（PC/手机出货量预计同比+2%/-1%），拖累整体增速。

2024-2030年整体存储市场CAGR达12%，远高于半导体行业平均增速（5-7%），核心逻辑是“AI驱动的增量需求”——传统存储需求（PC、手机）增长平缓，但AI服务器（单台需8-16颗HBM）、智能汽车（单车存储容量从10GB升至50GB）等新兴场景带来“结构性增量”，推动市场规模从2024年170B增至2030年302B。