【氮化镓】GaN同质外延p-i-n二极管中星形与三角形扩展表面缺陷的电子特性

2025年7月23日，美国国家标准与技术研究院（NIST）与美国海军研究实验室的Andrew J. Winchester等人在《Applied Physics Letters》期刊发表了题为《Electronic properties of extended surface defects in homoepitaxial GaN diodes》的文章，基于光电发射电子显微术、导电原子力显微术及电致发光表征，对比研究了HVPE“dot-core”与氨热法GaN同质外延衬底上p-i-n二极管中的星形与三角形扩展表面缺陷的电子特性；实验结果表明，星形缺陷源于螺位错，增加漏电流并降低击穿电压，为“致命缺陷”，而三角形缺陷可能源于层错，随机分布导致器件性能离散与失效风险升高。该研究的结果对氨热法GaN衬底在缺陷控制与高压功率器件可靠性提升方面具有重要指导意义。

Winchester A J, Ortiz Jimenez V, Weiss D, Richter C A, Hamadani B H, Mastro M A, Anderson T J, Hite J K, Pookpanratana S. Electronic properties of extended surface defects in homoepitaxial GaN diodes[J]. Applied Physic