4N80-ASEMI开关电源领域专用4N80
编辑:LL
4N80-ASEMI开关电源领域专用4N80
型号:4N80
品牌:ASEMI
封装:ITO-220AB
RDS(on):3.70Ω
批号:最新
引脚数量:3
封装尺寸:如图
特性:N沟道MOS管
工作结温:-55℃~150℃
4N80 MOS 管是一种 N 沟道增强型功率场效应晶体管,以下将从其基本参数、特点、工作原理、应用领域这几个维度展开详细介绍:
基本参数电压参数:最大漏源电压\(V_{DS}\)为 800V,最大栅源电压\(V_{GS}\)为 ±30V。
电流参数:最大漏极电流\(I_D\)为 4A。
功率参数:最大功耗\(P_D\)为 106W。
其他参数:上升时间\(t_r\)为 45ns,漏源电容\(C_d\)为 75pF,最大漏源导通电阻\(R_{DS(on)}\)为 2.3Ω。
特点开关速度快:能够快速地在导通和截止状态之间切换,适用于高频开关应用,可有效提高电路的工作频率和效率。
导通电阻低:在导通状态下,具有较低的漏源导通电阻\(R_{DS(on)}\),这意味着在电流通过时,产生的功耗较小,能够减少能量损失,提高电路的能效。
栅极电荷低:栅极电荷较低,使得对栅极的驱动要求相对较低,能够更容易地被驱动,并且可以减少栅极驱动电路的功耗,提高整体电路的性能。
电压承受能力高:能够承受高达 800V 的漏源电压,适用于一些需要处理高电压的电路场合。
雪崩能量指定:100% 雪崩能量指定,具有较好的雪崩耐受能力,在出现雪崩效应时,能够保持较好的稳定性和可靠性,不易损坏。
抗干扰能力强:具有较好的抗干扰能力,能够在一定程度上抑制噪声和干扰信号的影响,保证电路的稳定运行。
工作原理:4N80 MOS 管是 N 沟道增强型 MOS 管,当栅源电压\(V_{GS}\)为零时,漏源之间没有导电沟道,管子处于截止状态。当栅源电压\(V_{GS}\)逐渐增加到大于阈值电压\(V_{TH}\)时,在栅极下方的半导体表面形成反型层,即导电沟道,使得漏极和源极之间能够导通电流。随着\(V_{GS}\)的进一步增加,沟道电阻减小,漏极电流\(I_D\)也随之增加。在导通状态下,漏极电流\(I_D\)的大小主要由漏源电压\(V_{DS}\)和沟道电阻决定。
应用领域开关电源:在开关电源电路中,作为功率开关管,用于控制电源的通断和转换,实现将输入的直流电压转换为稳定的输出直流电压,广泛应用于各种电子设备的电源适配器、充电器等。
DC-DC 转换器:用于直流到直流的电压转换电路,能够将一种直流电压转换为另一种不同电压等级的直流电压,以满足不同电路模块对电源电压的需求。
PWM 电机控制:在脉冲宽度调制(PWM)电机控制电路中,通过控制 MOS 管的导通和截止时间,来调节电机的输入电压和电流,从而实现对电机转速和转向的控制,常用于各种电机驱动系统,如电动车、机器人等。
桥电路:可用于构成半桥、全桥等桥电路结构,在功率变换电路中起到重要作用,如在逆变器电路中,将直流电源转换为交流电源,为交流负载提供电力