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降压电路LDO

几乎所有LDO都是基于此拓扑结构

图 拓扑结构

LDO属于线性电源,通过控制开关管的导通程度实现稳压,输出纹波小,无开关噪声

线性电源,Iout=Iin,发热功率P=电压差△U*电流I,转换效率=Vo/Vi

LDO不适合电压差过大的场合

比如输入24V,输出3.3V,如果电流20mA,发热功率=20.7*20=0.54W,效率只有13.75%

LDO不适合电流大的场合

电流大,发热功率相对较大,同时,压差大,可能导致电压下拉,具体看datasheet的电压降,比如1V/1A

(电流1A时,压降最少1V,输入电压4V,输出最大3V)

根据经验

SOT-23封装发热功率<0.3W;

SOT-89封装发热功率<0.5W;

如果发热功率过大,可以考虑使用BUCK降压电路,

必须使用LDO的话,可以串联电阻,分担一部分功耗,注意LDO电压降必满足要求

元器件选型

项目实战以78L05ME6211C33M5GHT7333-3

LDO项目实战

78L05

由此图得,78L05芯片的压降>2V

此时Vout=12V,电阻分压3V(电阻串联分功耗),压降12-3-5=4v,功率0.4W<0.5W

HT7333-3

静态电流很低,所以静态功耗也低

RT9018A

图中红色公式源于 LDO(低压差线性稳压器,此处为 RT9018A)的反馈调压原理,具体分析如下

AP2127K-ADJTRG1

电阻分压原理和上述相同

ME6211C18M5G-N


反激式开关电源

反激变换器基本电路图

工作原理

当Q1导通时(反相感生

整流二极管D1、D2反向截止,输出电容给负载供电

T1相当于一个纯电感,流过Np的电流线性上升,达到峰值Ip

当Q1关断时

所有绕组电压反向,此反激电压使输出二极管D1、D2导通

同时初级存储的能量1/2LIp²传送到次级,提供负载电流,给C0充电

输入保护

F1

保险丝

Mov1

压敏电阻,用来防雷击(提供回路,保护电网)

RT1

热敏电阻,

抑制浪涌电流:电路接通瞬间,由于电容等储能元件的存在,会产生较大浪涌电流。NTC热敏电阻在常温下阻值较高,能限制开机瞬间的浪涌电流,避免过大电流冲击整流桥(如D4)、变压器(如L2)等元件,保护电路。随着电流通过,NTC自身发热,阻值迅速降低,正常工作时其上损耗较小,不影响电路正常运行。

CX1

保护电容

L2

保护电感

变压器核心

U2(SM7022

控制芯片

R2、D6、C4

保护作用,防止3脚电压过高,损坏U2

6、7、9、10

变压器次级输出

D1、D2

整流电容

C2

输出电容

变压器输入4、5

提供电压给U2芯片、PC817B供电

输出

L1、C3

LC滤波,降低电流纹波

D3

稳压管,防止输出电压>16V

D5、R1

指示灯

反馈

PC817B

光耦隔离

TL431A

基准电压2.5V,可以算出输出电压(通过电阻R4、R6、R9分压)

输出电压变化→光耦电流变化→控制导通程度→芯片反馈,调节PWM→Vout=12V

以上图片有的来源于网络,仅供学习使用

下节预告-降压电路BUCK-Boost升压电路

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