什么是离子注入的注入剂量？

什么是离子注入的注入剂量？

注入剂量（Dose）指的是单位面积内注入到硅晶圆等材料中的离子总数，其单位通常为 ions/cm²。它反映了掺杂杂质的总量，是决定器件电性的重要参数之一。

注入剂量的定义与计算方式

其中：

I：离子束电流（单位：A，安培）

t：注入时间（单位：s）

q：单个离子的电荷（单位：C，库仑）

A：注入区域的面积（单位：cm²）

注入剂量的作用？

注入剂量直接决定了掺杂浓度，从而影响器件的以下性能：1，晶体管阈值电压2，寄生电容/电阻3，杂质分布均匀性等

常见剂量范围？

掺杂类型	应用举例
轻掺杂（LD）	LDD结构、阱区、沟道掺杂等
中掺杂（MD）	某些浅层结、偏压调节
重掺杂（HD）	S/D重掺杂、接触区、抗静电结构等

注入剂量的控制方法

离子束电流控制：通过控制离子源电流精确调节单位时间注入粒子数。

注入时间控制：设定准确的时间窗口，确保剂量稳定。

束斑扫描控制：均匀扫描覆盖整个晶圆，防止局部过量或不足。