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硬件 - 电量计配置GG详解 - 以BQ40Z80为例

目录

一、Settings

1.1 Protection

1.1.1 Enabled Protections A

1.1.2 Enabled Protections B

1.1.3 Enabled Protections C

1.1.4 Enabled Protections D

1.2 Permanent Failure

1.3 Configuration

1.3.1 Charging Configuration

1.3.2 Temperaure Enable

1.3.3 Temperature Mode

1.3.4 DA Configuration

1.3.5 Cell Configuration

1.3.6 FET Options

1.3.7 Sbs Gauging Configuration

1.3.8 Sbs Configuration

1.3.9 Auth Config

1.3.10 Power Config

1.3.11 IO Config

1.3.12 Pin Configuration

1.3.13 GPIO Sealed Access Config

1.3.14 FlagMapSetUp0-7

1.3.15 LED Configuration

1.3.16 SOC Flag Config A

1.3.17 SOC Flag Config B

1.3.17 Balancing Configuration

1.3.18 IT Gauging Configuration

1.3.19 IT Gauging Ext

1.4 AFE

1.4.1 AFE Protection Control

1.4.2 ZVCHG Exit Threshold

1.5 Fuse 那里我全默认

1.6 BTP

1.7 SMBus 默认不动

1.8 Current Scaling

1.9 Manufacturing 我全按默认

二、Protections

2.1 CUV / CUVC / COV

2.2 OCC / OCD / AOLD / ASCC / ASCD

2.3 OTC / OTD / OTF / UTC / UTD

2.4 HWD / PTO / CTO / OC / CHGV / CHGC / PCHGC

三、Permanent Fail

3.1 SUV / SOV / SOCC / SOCD / SOT / SOTF

3.2 Open Themistor / QIM / CB / VIMR / VIMA / IMP

3.3 CD / CFET / DFET / FUSE / AFER / AFEC/ 2LVL

四、Advanced Charge Algorithm

4.1 Temperature Ranges

4.2 各个温度下充电电压、电流

4.3 Pre-Charging 

4.4 Maintenance Charging

4.5 Voltage Charging 

4.6 SoC Range

4.7 Degrade Mode 1 2 3

4.8 CS Degrade

4.9 Termination Config

4.10 Charging Rate of Change

4.11 Charge Loss Compensation

4.12 IR Correction

4.13 Cell Balancing Config

五、Gas Gauging

5.1 Current Threshold

5.2 Design

5.3 Cycle

5.4 FD / FC / TD / TC

5.5 State

5.6 Turbo Cfg

5.7 IT Cfg

六、Power

6.1 Power

6.2 Shutdown

6.3 Sleep

6.4 Pre-Discharge

七、LED Support


一、Settings

1.1 Protection

1.1.1 Enabled Protections A

名称作用
AOLDL放电过载保护锁存器,注意放电过载保护属于硬保护,这里是AOLD的锁存器关闭
OCD11nd 放电过流保护开启
OCD22nd 放电过流保护开启
OCC11nd 充电过流保护开启
OCC22nd 充电过流保护开启
COV电芯过压保护开启
CUV电池欠压保护开启
RSVD_1预留,没啥用,需要设置为1

1.1.2 Enabled Protections B

名称作用
CUVCIR检测的补偿欠压保护开启
OTD放电过温保护开启
OTC充电过温保护开启
ASCDL放电短路保护锁存器关闭
RSVD_1设置为1
ASCCL充电短路保护锁存器关闭
RSVD设置为0

1.1.3 Enabled Protections C

名称作用
CHGC充电电流高于要求值(设计值)开启
OC过充开启
CTO充电超时开启
PTO预充超时开启
HWDFSBS看门狗开启
OTFMOS过温开启
RSVD设置为0

1.1.4 Enabled Protections D

名称作用
OCDL放电过流锁存关闭
COVL电芯过压锁存关闭
UTD不处于充电状态时的,低温保护开启
UTC充电时低温保护开启
PCHGC预充电电流过高关闭
CHGV充电电压过高,我这里因为项目需求关闭,正常需要开启关闭
RSVD设置为0

1.2 Permanent Failure

永久保护PF,我全关;

1.3 Configuration

1.3.1 Charging Configuration

名称作用
CYCLE_DEGRADE是否基于充电循环次数,降低充电电压电流关闭
SOH_DEGRADE是否基于电池寿命,降低充电电压电流关闭
DEGRADE_CC根据充电循环次数、电池寿命只降低充电电流开启
COMP_IRIR补偿,确保Pack端处电压正常关闭
CS_CV在特定电池电压、温度阈值下降低充电电压,控制鼓包关闭
SOC_CHARGE充电算法中用剩余容量(1),还是电压值判断(0)0
CCC是否开启充电损耗补偿关闭
CRATE充电电流是否根据 [满充容量/设计容量] 进行调整开启

1.3.2 Temperaure Enable

这里RSVD都设置为0,

TS4~TS1表示那四个NTC,TSint芯片内部温度。开启就是使能该NTC,比如我这里只用到TS1和TS2,我就只使能TS1和TS2。

1.3.3 Temperature Mode

主要设置NTC是作为检测电芯温度,还是设置为检测MOS温度;

电芯温度设置为0,MOS温度设置为1;

RSVD全都设置为0,

这里主要就是NTC放哪,塞到电池里就0,放在MOS那边就用1;

1.3.4 DA Configuration

名称作用
CTEMP[1:0]
(Bits7-6)

这里显示输出传感器温度,11不使用,10是最低温度,01平均温度,00最高温;

比如要输出平均温度,那么CTEMP1=0,CTEMP2=1

00
EMSHUT_PEXIT_DIS当设置为1时,SHUTDN引脚 高-低电平转换时,FET不退出紧急关断。0
FTEMPMOS温度保护平均值(1)还是最大值(0)0
EMSHUT_EN紧急关断MOS0不开启
SLEEP是否开启休眠模式开启
IN_SYSTEM_SLEEP接入系统的时候,IC能否休眠不开启 0
NR有PRES脚时,1表示固定模式,0可移动模式0
RSVD全设置为0

1.3.5 Cell Configuration

RSVD 全设置为0;

CC2,CC1,CC0用于设置电池串数,比如我这里6串,那么为110,

CC2=1,CC1=1,CC0=0;

1.3.6 FET Options

名称作用
PDSG

是否开启预放电功能

1开启,0不开

1
PACK_FUSE

检测最小熔断保险丝电压源,1为Pack电压,0为电池组电压

0
SLEEPCHG休眠时是否启用充电MOS0 不启用
CHGFET

充电完成后,是否要关闭MOS,

1 关闭,0不关闭

1
CHGIN

禁止充电模式下,是否要关闭MOS,

1关闭,0不关闭

1
CHGSU

充电暂停时,是否要关闭MOS

1关闭,0不关闭

1
OTFET

过温保护后,MOS要不要关,

1关闭,0不关闭

1
PARALLAL_FETS

充放电MOS是串联还是并联,

0串联,1并联

0
PCHG_COMM预充电用充电MOS,还是额外预充电MOS
1充电MOS,0额外预充电MOS
0
RSVD全设置为0

1.3.7 Sbs Gauging Configuration

名称作用
RSOC_RND_OFF1 使能RSOC舍入,0 RSOC向上取整;0
LOCK0

电池放电到0后,静置一段时间,是否允许RSOC回到0以上 (因为静置后电压回升)

1 禁止回升,0不禁止

1
RSOC_HOLD

RSOC在放电过程中,是否能增加,

0 不受限制

1 不允许增加

1
RSOCL

充电没充满,RSOC是否保持99%,直到充电终止才设置为100%

1 充电终止后才到100%

0 显示实际值

0
RSVD全设置为0

1.3.8 Sbs Configuration

名称作用
FLASH_BUSY_WAIT

允许在闪存编程或擦除操作期间进行时钟扩展。

0
SMB_CELL_TEMP

温度寄存器是否可写

0
BLT[1:0]
(Bit5-Bit4)

总线低超时

00,没加入超时

01,1s 超时

10,2s超时

11,3s超时

10
XLSBS速度,1 速度为400khz,0默认速度0
HPE是否使能主机上PEC通信0
CPE是否使能充电器上的PEC0
BCAST

启用从设备到主机的警报和充电广播

0

1.3.9 Auth Config

名称作用
ECC_TEST0
SHA1_SECURE开启SHA10
SPLIT_RESPONSE42字节的ECC响应以单个块或两个块的形式返回0
LEGACY_SHA1启用了ECC或SHA-1认证0
RSVD0

1.3.10 Power Config

名称作用
SLEEPWKCHG睡眠模式下,检测电荷积累0
SLP_ACCUM在睡眠模式下允许电荷积累0
CHECK_WAKE_FET防止意外唤醒MOS0
CHECK_WAKE启用管理从Shutdown状态意外唤醒的选项0
EMSHUT_EXIT_COMM

如果接收到有效的SMBus通信,退出EMSHUT

0
EMSHUT_EXIT_VPACK充电器接入退出EMSHUT模式1
PWR_SAVE_VSHUT当达到特定阈值时,启用节能关机0
AUTO_SHIP_EN自动关机以便运输0
RSVD全0

1.3.11 IO Config

名称作用
BTP_POL

BTP(Battery Trip Point)触发时,BTP引脚极性;

1 高电平,0低电平

0
BTP_EN当BTP被触发时,是否允许对BTP引脚进行断言。0
RSVD全0

1.3.12 Pin Configuration

名称作用
MFP20_SEL[2:0]
(Bit7-6)

设置RL0,RL1,RL2引脚的功能,

000 LED ; 001 GPIO ; 010 GPIO+PDSG; 其它未使用

000

MFP17_SEL[2:0]

(Bit4-2)

设置RH0

000 PRES; 001 shuntdown; 010 LED按钮;

011 PDSG; 100 GPIO;其它未使用

000

MFP16_SEL[1:0]

(Bit1-0)

设置RH1

00 Cell-7均衡MOS控制; 01 PDSG控制;

10 GPIO; 11未使用;

01

MFP15_SEL[1:0]

(Bit7-6)

设置RH2

00 Cell-7电压测量使能;01 LED按钮;

10 GPIO;11 未使用

01

MFP13_SEL[2:0]

(Bit4-2)

设置RC3

000 LED按钮;001 TS4;010 ADCIN2

011 GPIO;其它未使用

001

MFP12_SEL[2:0]

(Bit1-0)

设置RC2

000 Cell-7 ADC;001 TS3;010 ADCIN1

011 GPIO;其它未使用

001

1.3.13 GPIO Sealed Access Config

这里主要是当Gauge被锁的时候,能否读写对应GPIO脚;

1可以,0不行;

这里默认全0;

1.3.14 FlagMapSetUp0-7

名称作用
FLAG_EN是否开启映射控制0
Flag_OD输出模式是否开漏(1)0
FLAG_OR

与映射到同一GPIO引脚的其他标志进行“或”运算与“与”运算。此“或”/“与”运算在评估来自FLAG_POL的极性之后进行。 

0 与;1或

0

FLAG_GPIO[2,0]

(Bit3-1)

000 RC2;001 RC3;010 RH0;011 RH1;100 RH2

101 RL0;110 RL1;111RL2

000
FLAG_POL

映射到GPIO引脚时标志的极性

1反转极性,0不反转

0

FLAG_BIT[3,0]

Bit7-4

标志的16位寄存器内的位位置

二进制,表示Bit0到15

000

FLAG_REG[3,0]

Bit3-0

包含标志的寄存器的地址

0, 0, 0, 0 = BatteryMode()

0, 0, 0, 1 = BatteryStatus()

0, 0, 1, 0 = OperationStatusA() lower 16 bits of OperationStatus()

0, 0, 1, 1 = OperationStatusB(), higher 16 bits of OperationStatus()

0, 1, 0, 0 = ChargingStatus()

0, 1, 0, 1 = TempStatus()

0, 1, 1, 0 = GaugingStatus(), lower 8 bits

0, 1, 1, 1 = ITStatus(), Bits 23–8 of GaugingStatus()

1, 0, 0, 0 = SafetyStatusAB(), lower 16 bits of SafetyStatus()

1, 0, 0, 1 = SafetyStatusCD(), higher 16 bits of SafetyStatus()

1, 0, 1, 0 = Any Safety Status bit in SafetyStatus()

1, 0, 1, 1 = PFStatusAB(), lower 16 bits of PFStatus() 1, 1, 0, 0 = PFStatusCD(), higher 16 bits of PFStatus() 1, 1, 0, 1 = Any PF Status bit in PFStatus()

1, 1, 1, 0 = Unused

1, 1, 1, 1 = Unused

000
RSVD全0

1.3.15 LED Configuration

名称作用
LEDONFC1 LED充满后常亮,直到LED FC Time;1
BLINKMIDPT低电量闪烁,1的时候,电量0~10%时闪烁1
LEDIFCUV电池欠压时,也允许LED亮0
LEDPFONPF模式下是否允许LED0

LEDC[1,0]

Bit7-6

LED电流设置

00,0.94mA;

01,1.87mA;

10,2.81mA;

11,3.75mA;

00

LEDPF[1,0]

Bit5-4

LED显示PF错误代码;

00 不显示,01 DISP在LED时低电平,则显示电量后显示错误代码;

10 按下DISP显示PF;11显示电量后显示PF错误代码;

01
LEDMODE

1 LED显示电量来自ASOC

0 LED显示电量来自RSOC

0
LEDCHG1 充电时LED流水灯1
LEDRCA剩余容量到达警报时,LED是否闪烁0
LEDR设备复位退出时,LED显示激活1
RSVD全00

1.3.16 SOC Flag Config A

名称作用
TCSETVCT启用由初级充电终止设置的TC标志1
FCSETVCT启用由主充电终止设置的FC标志1
TCCLEARRSOC通过RSOC阈值使TC标志清零1
TCSETRSOC启用由RSOC阈值设置的TC标志0
TCCLEARV通过电池电压阈值使TC标志清除0
TCSETV启用由电池电压阈值设置的TC标志0
TDCLEARRSOC通过RSOC阈值使TD标志清除1
TDSETRSOC启用由RSOC阈值设置的TD标志1
TDCLEARV通过电池电压阈值实现TD标志清除0
TDSETV启用由电池电压阈值设置的TD标志0
RSVD全0

1.3.17 SOC Flag Config B

名称作用
FCCLEARRSOC通过RSOC阈值启用FC标志清除1
FCSETRSOC启用由RSOC阈值设置的FC标志0
FCCLEARV通过电池电压阈值启用FC标志清除0
FCSETV启用由电池电压阈值设置的FC标志0
FDCLEARRSOC通过RSOC阈值使FD标志清除1
FDSETRSOC启用由RSOC阈值设置的FD标志1
FDCLEARV通过电池电压阈值使FD标志清零0
FDSETV通过电池电压阈值启用FD标志0

1.3.17 Balancing Configuration

名称作用
CBS休眠时电池均衡0
CB_RLX_DOD0EW1 当处于休眠模式时,启用用于电池平衡时间更新的误差加权DOD0
0 当处于休眠模式时,使用DOD0进行电池平衡时间更新
0
CB_CHG_DOD0EW1 充电模式下进行电池平衡时间更新时启用误差加权DOD0
0 充电模式下进行电池平衡时间更新时使用DOD0
0
CBR静止时电池均衡0
CBM1使用外部均衡电路,0内部均衡电路0
CB是否开启电芯均衡1
RSVD全0

1.3.18 IT Gauging Configuration

名称作用
DOD_RSCALE_EN使能放电深度(DOD)的比例缩放功能1
RELAX_SMOOTH_OK

静置时,RSOC平滑

1
TDELTAV0
SMOOTH

1 使用平滑后的RSOC

0 使用实时RSOC

1
RELAX_JUMP_OK是否允许静置时RSOC跳动0
DELAY_DROP_TO_0Delay,默认为00
CELL_TERM1 = 基于电芯的终止
0 = 基于Pack电压的终止(默认)
0
FAST_QMAX_FLDQmax是否快速更新1
FAST_QMAX_LRNQmax在Learning时,是否快速更新1
RSOC_CONVRSOC是否快速缩放1
LFP_RELAX针对磷酸铁锂(LFP)电池的静置特性优化,调整静置时的电压采样和 SOC 校准逻辑,用LFP时才开启0
DOD0EW用于设置放电深度的预警阈值,提前提示电池即将过放0
OCVFR在电池静置时通过 OCV 曲线更精准地校准 SOC,弥补库仑计数的累积误差1
RFACTSTEP控制内阻(Rfact)的步长调整,动态优化内阻模型的更新频率和幅度,提升不同工况下的内阻估算精度1
CSYNC有效充电终止的时候,把RSOC与FSOC进行同步;1
CCT默认00

1.3.19 IT Gauging Ext

名称作用

TS[1,0]

Bit7-6

IT算法使用NTC时,用哪个

11 都不用; 10 最低温的哪个;

01 平均温度;00最高温

00
CELL_INTER_IR是否启用电池互连电阻用于根据电池EDV检测来补偿电池电压0
THERM_SAT是否启用IT热模型调整1
THERM_IV是否启用温度模型冻结1
AMB_PRED是否启用环境温度预测0
CHG_100_SMOOTH_OK是否启用向 100% 的平滑过渡1
DSG_0_SMOOTH_OK是否启用向 0% 的平滑过渡0
RSVD全0

1.4 AFE

1.4.1 AFE Protection Control

名称作用

RSTRIM[3,0]

Bit7-4

不要动,设置为0x70111
SCDDx2是否启用双倍 SCD 延迟时间0
RSNS

AOLD、ASCC、ASCD1、ASCD2 阈值

1正常阈值,0阈值只有设计值的一半

1
RSVD全0

1.4.2 ZVCHG Exit Threshold

ZVCHG充电退出阈值,我这里用默认的2200mV;

1.5 Fuse 那里我全默认

1.6 BTP

Init Discharge Set

Init Charge Set

用在WIN8上面的,放电/充电到该容量时,触发/清除警报;

我这里 Dischg给150,Chg给175;

1.7 SMBus 默认不动

1.8 Current Scaling

Scale Factor 电流缩放因素,主要解决内部电流寄存器不够用的情况(最多到32A那里),我这边因为要用到50A以上,所以我设置为2,相对应的和电流、容量有关的全除2;

1.9 Manufacturing 我全按默认

二、Protections

2.1 CUV / CUVC / COV

  • CUV 电芯欠压保护,CUVC 欠压补偿,Threshold值填单个电芯欠压值,Recovery多个一些;CUVC值比CUV值少一点;
  • COV 类似,但是有不同温度下对应值;

2.2 OCC / OCD / AOLD / ASCC / ASCD

  • OCC1和2分别是充电过流保护1nd和2nd,遵循1nd小电流,长时间触发。2nd大电流,短时间触发;OCC 则是恢复值,要填负值,也就是放电。比如触发了OCC1或者2,那么放点电恢复;OCD1和2同理,只不过是放电过流,OCD则是充电时恢复;不能出现OCC填正值(充电),因为充电过流保护后,充电MOS关闭了,这时候充不进去了,放电同理;
  • AOLD 的 counter Dec Delay / Recovery / Reset那些,主要是对应短时间多次触发后锁存的;Threshold[7:4]为触发时间,[3:0]与触发电流关联;

  • ASCC的[7:4]同样为触发时间,[2:0]与电流相关

  • ASCD的[7:4]同样为触发时间,[2:0]与电流相关

2.3 OTC / OTD / OTF / UTC / UTD

对应 充电过温、放电过温、MOS过温、充电低温、放电低温;

里面Threshold 是触发值,Recovery是恢复值;

2.4 HWD / PTO / CTO / OC / CHGV / CHGC / PCHGC

HWD 是看门狗那个;

PTO 预充超时,里面有开启计算预充时的充电电流,和暂停计算的充电电流;

CTO 充电超时,和PTO同理;

OC 过充,主要是填容量值,过充超过了多少mAh;

CHGV 充电超出电压;

CHGC 充电超出的电流;

PCHGC 预充超过的电流;

三、Permanent Fail

3.1 SUV / SOV / SOCC / SOCD / SOT / SOTF

SUV 欠压安保

SOV 过压安保

SOCC 充电过流安保

SOCD 放电过流安保

SOT 芯片过温安保

SOTF MOS过温安保

3.2 Open Themistor / QIM / CB / VIMR / VIMA / IMP

Open Themistor 热敏电阻开路安保

QIM QMAX差异安保

CB 电芯均衡安保

VIMR 静置时电压不均衡安保

VIMA 工作时电压不均衡安保

IMP 阻抗不匹配安保

3.3 CD / CFET / DFET / FUSE / AFER / AFEC/ 2LVL

CD 容量衰减安保;

CFET 充电MOS安保,主要检测充电MOS关断下的充电电流;

DFET 放电MOS安保,检测放电MOS关断下的放电电流;

FUSE 保险丝

AFER 用AFE与IC的进行对比;

AFEC IC 与 AFE通信

2LVL 判断二保IC是否触发

四、Advanced Charge Algorithm

4.1 Temperature Ranges

这里主要写温度范围,Hysteresis Temp 是写防抖的那个温度的;

4.2 各个温度下充电电压、电流

4.3 Pre-Charging 

预充电流

4.4 Maintenance Charging

维护充电时的电流,主要就是充满的时候,一个保持电流;和截止电流一样就行;

4.5 Voltage Charging 

主要定义预充开始电压、电压等级范围;

4.6 SoC Range

主要用于定义电池限制容量状态;

4.7 Degrade Mode 1 2 3

主要是电池寿命降低到多少后,充电电流、电压需要跟着下降多少;

4.8 CS Degrade

配合Degrade Mode123用的

4.9 Termination Config

与终止充电关联,电流那里是平均电流小于Charge Term Taper Current,电压是当前电压+Charge Term Voltage 超过设计值时触发;

4.10 Charging Rate of Change

我是直接按默认都给1;

4.11 Charge Loss Compensation

开启补偿的话,这里写最大充电电流,还有单颗电芯电压;

4.12 IR Correction

默认

4.13 Cell Balancing Config

均压3.7V电池,Cell1为64,Cell2-7为63;

Delta为3;

五、Gas Gauging

5.1 Current Threshold

进入充放电、静置模式下的电流阈值;

充放电模式下,进入静置模式下的延迟时间;

5.2 Design

  • Design Capacity mAh 和 cWh;
    mAh 为 容量,
    cWh 是用  单个电芯平均电压*串数*mAh那个容量;
  • Design Voltage 是单个电芯平均电压*串数

5.3 Cycle

Cycle Count Percentage 按默认90%一次循环

5.4 FD / FC / TD / TC

满放,满充,终止放电,终止充电 标志位电压;

FC ≥ TC > TD > FD

FC,TC 的阈值设置成电芯满充电压就行了,清除标志少个100mV;

FD设置成放完的电压,TD可以多个200mV,清除标志各自多个100mV

5.5 State

Qmax Cell 1-7 可以填容量最小一节的电芯,或者电芯标注的值;

Cell 1-7 Chg Voltage at EoC 是满充电压;

Current at EoC是满充电流;

5.6 Turbo Cfg

默认;

5.7 IT Cfg

Term Voltage 用于容量计算时,最小电池组电压;

Term Min Cell V 容量计算时,最小电芯电压,需要大于等于CUV;

六、Power

6.1 Power

Valid Update Voltage 整个电池包电压,小于这个值,Flash不更新;

6.2 Shutdown

Shutdown Voltage写单颗电芯电压,小于这个值超过时间时,不能放电。Pack 脚再低于Charger Present Threshold时,进入Shutdown;

PF那几个参数是PF模式下的上述值;

PS是省电模式下的;

6.3 Sleep

休眠电流;

总线无通信时休眠时间;

还有休眠模式下电流、电压更新周期;

唤醒比较器保持默认;

6.4 Pre-Discharge

主要就是打开预放MOS,当Pack端电压超过电池电压百分比后再开放电MOS;

或者

超过延时后打开放电MOS;

七、LED Support

LED Flash Period:LED 报警闪烁周期;

LED Blink Period:显示容量时 LED 闪烁时间;

LED Delay:按下按钮 LED 依次点亮的时间;

LED Hold Time : 按下按钮后,LED显示电量的时间;

LED FC Time:满充后LED长亮的时间;

http://www.dtcms.com/a/512715.html

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