基于LM2904A(3PEAK)的5V~24V电源电压检测电路完整设计笔记
目录
- 设计概述
- 芯片特性与封装分析
- LM2904A关键参数
- 封装兼容性
- 原理图
- 电路设计与参数计算
- 系统架构
- 分压网络精确计算
- 完整器件选型表(扩展电阻封装)
- 频域特性分析与扩展
- 系统传递函数推导
- 频域响应详细分析
- 噪声抑制性能分析
- 相位裕度与稳定性
- 群延迟分析
- 频域特性总结
- 误差分析与精度评估
- 系统误差模型
- 分压电阻误差分析
- 运放误差分析
- 温度特性分析
- 总误差合成
- 高级校准方案
- 两点法校准详细实现
- 校准原理
- 校准点选择策略
- 校准参数计算
- 温度补偿详细方案
- 温度补偿模型
- 温度系数标定
- PCB设计与布局优化
- 布局原则
- 具体实施
- 热管理考虑
- 测试验证方案
- 静态测试
- 动态测试
- 频域特性测试
- 性能总结与优化建议
- 最终性能指标
- 频域特性优势
- 优化建议
- 感谢:
设计概述
本设计基于3PEAK的LM2904A/LM2902A通用运算放大器,实现5V~24V电源电压检测电路。运放供电电压设计为3.3V,与MCU ADC参考电压严格匹配。设计包含完整的理论分析、误差计算、校准方法和温度补偿方案,确保系统在-40°C至125°C全温度范围内保持高精度。特别对频域特性进行了深入分析,以优化抗噪声性能和稳定性。
芯片特性与封装分析
LM2904A关键参数
LM2904A是高性能运放,特别适合低压单电源应用:
- 电源电压范围:3V至36V(3.3V供电完全可行)
- 输入共模范围:包括地,单电源下覆盖0至近3.3V
- 输出类型:轨到轨输出,确保输出0-3.3V
- 偏移电压:最大±3mV
- 静态电流:100μA/通道,低功耗
- 带宽:0.9MHz,远高于检测需求
- 压摆率:0.5V/μs,支持快速响应
封装兼容性
LM2904A采用标准SOP8封装,引脚顺序与LM358完全兼容:
引脚功能详细说明:
- 引脚1:输出A(电压检测输出)
- 引脚2:反相输入A(连接至输出A形成电压跟随器)
- 引脚3:同相输入A(分压网络输入)
- 引脚4:地(系统接地)
- 引脚8:VCC(3.3V供电)
封装尺寸符合标准SOP8规格,便于PCB布局和焊接。
原理图
电路设计与参数计算
系统架构
电源输入 (5V~24V) |
TVS二极管D1(SMBJ24A,钳位至30V) |
LDO稳压器(TPS7333QP,输入5-24V,输出3.3V) |
分压网络:R1=68kΩ, R2=10kΩ(0.1%精度) |
分压点V_div → 运放LM2904A(电压跟随器) |
RC低通滤波器(R3=1kΩ, C1=0.1μF) |
输出至MCU ADC(12位,3.3V参考)
分压网络精确计算
设计目标:24V 输入对应 3.3V ADC 满量程
分压比理论值:
α i d e a l = 3.3 V 24 V = 0.1375 \rm \alpha_{ideal} = \cfrac{3.3V}{24V} = 0.1375 αideal=24V3.3V=0.1375
实际电阻选择 R 1 = 68 k Ω , R 2 = 10 k Ω \rm R_1=68kΩ,R_2=10kΩ R1=68kΩ,R2=10kΩ:
α a c t u a l = R 2 R 1 + R 2 = 10 k 68 k + 10 k = 10 78 ≈ 0.1282 \rm \alpha_{actual} = \cfrac{R_2}{R_1 + R_2} = \cfrac{10k}{68k + 10k} = \cfrac{10}{78} \approx 0.1282 αactual=R1+R2R2=68k+10k10k=7810≈0.1282
电压映射关系:
V A D C = V i n × α a c t u a l × A o p a m p \rm V_{ADC} = V_{in} \times \alpha_{actual} \times A_{opamp} VADC=Vin×αactual×Aopamp
其中 A o p a m p \rm A_{opamp} Aopamp 为运放电路增益(电压跟随器为1)
验证计算:
- 24V输入: V A D C = 24 × 0.1282 ≈ 3.077 V (安全余量 0.223 V ) \rm V_{ADC} = 24 × 0.1282 \approx 3.077V(安全余量0.223V) VADC=24×0.1282≈3.077V(安全余量0.223V)
- 5V输入: V A D C = 5 × 0.1282 ≈ 0.641 V \rm V_{ADC} = 5 × 0.1282 \approx 0.641V VADC=5×0.1282≈0.641V(可检测)
完整器件选型表(扩展电阻封装)
类别 | 器件名称 | 型号/参数 | 数量 | 封装规格 | 关键规格 | 备注 |
---|---|---|---|---|---|---|
核心器件 | 运算放大器 | LM2904A | 1 | SOP-8 | 3-36V, 0.9MHz | 封装与LM358兼容 |
电源管理 | LDO稳压器 | TPS7333QP | 1 | SOT-223 | 输入5-24V, 输出3.3V | 250mA输出,可选 |
TVS二极管 | SMBJ24A | 1 | DO-214AA | 钳位电压30V | 过压保护,可选 | |
分压网络 | 电阻R1 | 68kΩ, 0.1% | 1 | 0805 | TCR±25ppm/°C, 0.125W | 分压上限电阻 |
电阻R2 | 10kΩ, 0.1% | 1 | 0805 | TCR±25ppm/°C, 0.125W | 分压下限电阻 | |
滤波电路 | 电阻R3 | 1kΩ, 1% | 1 | 0603 | 0.1W, 常规精度 | 滤波电阻 |
电容C1 | 0.1μF, 10V | 1 | 0805 | X7R, ±10% | 主滤波电容 | |
电容C2 | 100pF, 50V | 1 | 0603 | NPO, ±5% | 高频补偿 | |
电源去耦 | 电容C3 | 100nF, 10V | 1 | 0603 | X7R, ±10% | 运放去耦 |
电容C4 | 10μF, 16V | 1 | 1206 | X5R, ±20% | LDO输出 |
频域特性分析与扩展
系统传递函数推导
检测系统包含两个主要滤波环节:分压网络预滤波和运放后级滤波。
完整传递函数:
H ( s ) = H d i v ( s ) × H f i l t e r ( s ) × A o p a m p \rm H(s) = H_{div}(s) \times H_{filter}(s) \times A_{opamp} H(s)=Hdiv(s)×Hfilter(s)×Aopamp
其中:
- 分压网络传递函数:
H d i v ( s ) = 1 1 + s τ d i v \rm H_{div}(s) = \cfrac{1}{1 + s\tau_{div}} Hdiv(s)=1+sτdiv1
- 后级滤波器传递函数:
H f i l t e r ( s ) = 1 1 + s τ f i l t e r \rm H_{filter}(s) = \cfrac{1}{1 + s\tau_{filter}} Hfilter(s)=1+sτfilter1
- 运放增益: A o p a m p ≈ 1 ( 电压跟随器 ) \rm A_{opamp} ≈ 1 \ (电压跟随器) Aopamp≈1 (电压跟随器)
时间常数计算:
τ d i v = ( R 1 ∣ ∣ R 2 ) × C 2 = 68 k × 10 k 68 k + 10 k × 100 p F ≈ 8.72 k Ω × 100 p F = 0.872 μ s \rm \tau_{div} = (R_1 || R_2) \times C_2 = \cfrac{68k \times 10k}{68k + 10k} \times 100pF \approx 8.72k\Omega \times 100pF = 0.872\mu s τdiv=(R1∣∣R2)×C2=68k+10k68k×10k×100pF≈8.72kΩ×100pF=0.872μs
τ f i l t e r = R 3 × C 1 = 1 k Ω × 0.1 μ F = 100 μ s \rm \tau_{filter} = R_3 \times C_1 = 1k\Omega \times 0.1\mu F = 100\mu s τfilter=R3×C1=1kΩ×0.1μF=100μs
频域响应详细分析
幅度响应:
∣ H ( j ω ) ∣ = 1 1 + ( ω τ d i v ) 2 × 1 1 + ( ω τ f i l t e r ) 2 \rm |H(j\omega)| = \cfrac{1}{\sqrt{1 + (\omega\tau_{div})^2}} \times \cfrac{1}{\sqrt{1 + (\omega\tau_{filter})^2}} ∣H(jω)∣=1+(ωτdiv)21×1+(ωτfilter)21
相位响应:
ϕ ( ω ) = − tan − 1 ( ω τ d i v ) − tan − 1 ( ω τ f i l t e r ) \rm \phi(\omega) = -\tan^{-1}(\omega\tau_{div}) - \tan^{-1}(\omega\tau_{filter}) ϕ(ω)=−tan−1(ωτdiv)−tan−1(ωτfilter)
截止频率计算:
- 分压网络截止频率:
f c 1 = 1 2 π τ d i v = 1 2 π × 0.872 μ s ≈ 182.4 k H z \rm f_{c1} = \cfrac{1}{2\pi\tau_{div}} = \cfrac{1}{2\pi \times 0.872\mu s} \approx 182.4kHz fc1=2πτdiv1=2π×0.872μs1≈182.4kHz
- 主滤波器截止频率:
f c 2 = 1 2 π τ f i l t e r = 1 2 π × 100 μ s ≈ 1.59 k H z \rm f_{c2} = \cfrac{1}{2\pi\tau_{filter}} = \cfrac{1}{2\pi \times 100\mu s} \approx 1.59kHz fc2=2πτfilter1=2π×100μs1≈1.59kHz
噪声抑制性能分析
针对 200 k H z − 500 k H z \rm 200kHz-500kHz 200kHz−500kHz 开关电源纹波,计算关键频率点的衰减:
200kHz处衰减:
A t t e n 200 k = 20 log 10 ( 1 1 + ( 2 π × 200 k × 0.872 μ ) 2 ) + 20 log 10 ( 1 1 + ( 2 π × 200 k × 100 μ ) 2 ) = 20 log 10 ( 1 1 + ( 1.095 ) 2 ) + 20 log 10 ( 1 1 + ( 125.66 ) 2 ) ≈ − 1.38 d B + − 42.02 d B = − 43.4 d B \begin{align*} \rm Atten_{200k} & \rm = 20\log_{10}\left(\cfrac{1}{\sqrt{1 + (2\pi \times 200k \times 0.872\mu)^2}}\right) + 20\log_{10}\left(\cfrac{1}{\sqrt{1 + (2\pi \times 200k \times 100\mu)^2}}\right) \\[2ex] \rm & \rm = 20\log_{10}\left(\cfrac{1}{\sqrt{1 + (1.095)^2}}\right) + 20\log_{10}\left(\cfrac{1}{\sqrt{1 + (125.66)^2}}\right) \\[2ex] \rm & \rm ≈ -1.38dB + -42.02dB = -43.4dB \end{align*} Atten200k=20log10(1+(2π×200k×0.872μ)21)+20log10(1+(2π×200k×100μ)21)=20log10(1+(1.095)21)+20log10(1+(125.66)21)≈−1.38dB+−42.02dB=−43.4dB
500kHz处衰减:
A t t e n 500 k ≈ − 2.76 d B + − 46.02 d B = − 48.78 d B \rm Atten_{500k} ≈ -2.76dB + -46.02dB = -48.78dB Atten500k≈−2.76dB+−46.02dB=−48.78dB
相位裕度与稳定性
系统相位裕度在截止频率处:
在 f c 2 = 1.59 k H z \rm f_{c2}=1.59kHz fc2=1.59kHz 处:
ϕ ( 1.59 k ) = − tan − 1 ( 2 π × 1.59 k × 0.872 μ ) − tan − 1 ( 2 π × 1.59 k × 100 μ ) = − tan − 1 ( 0.0087 ) − tan − 1 ( 1.0 ) ≈ − 0.5 ° − 45 ° = − 45.5 ° \rm \phi(1.59k) = -\tan^{-1}(2\pi \times 1.59k \times 0.872\mu) - \tan^{-1}(2\pi \times 1.59k \times 100\mu) \\[2ex] \rm = -\tan^{-1}(0.0087) - \tan^{-1}(1.0) ≈ -0.5° - 45° = -45.5° ϕ(1.59k)=−tan−1(2π×1.59k×0.872μ)−tan−1(2π×1.59k×100μ)=−tan−1(0.0087)−tan−1(1.0)≈−0.5°−45°=−45.5°
相位裕度: P M = 180 ° − ∣ φ ( f c 2 ) ∣ = 134.5 ° \rm PM = 180° - |φ(f_{c2})| = 134.5° PM=180°−∣φ(fc2)∣=134.5°,表明系统非常稳定。
群延迟分析
群延迟表示不同频率成分的传输延迟:
τ g ( ω ) = − d ϕ d ω = τ d i v 1 + ( ω τ d i v ) 2 + τ f i l t e r 1 + ( ω τ f i l t e r ) 2 \rm \tau_g(\omega) = -\cfrac{d\phi}{d\omega} = \cfrac{\tau_{div}}{1 + (\omega\tau_{div})^2} + \cfrac{\tau_{filter}}{1 + (\omega\tau_{filter})^2} τg(ω)=−dωdϕ=1+(ωτdiv)2τdiv+1+(ωτfilter)2τfilter
在直流附近(ω→0):
τ g ( 0 ) = τ d i v + τ f i l t e r = 0.872 μ s + 100 μ s ≈ 100.87 μ s \rm \tau_g(0) = \tau_{div} + \tau_{filter} = 0.872\mu s + 100\mu s ≈ 100.87\mu s τg(0)=τdiv+τfilter=0.872μs+100μs≈100.87μs
在截止频率处:
τ g ( 1.59 k H z ) ≈ 50.44 μ s \rm \tau_g(1.59kHz) ≈ 50.44\mu s τg(1.59kHz)≈50.44μs
频域特性总结
频率点 | 幅度衰减 | 相位偏移 | 群延迟 |
---|---|---|---|
10Hz | -0.0003dB | -0.07° | 100.87μs |
1.59kHz | -3.01dB | -45.5° | 50.44μs |
200kHz | -43.4dB | -89.4° | 0.008μs |
500kHz | -48.8dB | -89.7° | 0.003μs |
该系统提供优秀的低频信号保真度和高频噪声抑制能力。
误差分析与精度评估
系统误差模型
总检测误差可表示为:
Δ V t o t a l = Δ V d i v + Δ V o p a m p + Δ V A D C + Δ V t e m p + Δ V f r e q \rm \Delta V_{total} = \Delta V_{div} + \Delta V_{opamp} + \Delta V_{ADC} + \Delta V_{temp} + \Delta V_{freq} ΔVtotal=ΔVdiv+ΔVopamp+ΔVADC+ΔVtemp+ΔVfreq
其中 Δ V f r e q \rm \Delta V_{freq} ΔVfreq为频率相关误差,在直流和低频时可忽略。
分压电阻误差分析
电阻公差引起的分压比误差:
Δ α α = ( Δ R 1 R 1 ) 2 + ( Δ R 2 R 2 ) 2 \rm \cfrac{\Delta \alpha}{\alpha} = \sqrt{\left(\cfrac{\Delta R_1}{R_1}\right)^2 + \left(\cfrac{\Delta R_2}{R_2}\right)^2} αΔα=(R1ΔR1)2+(R2ΔR2)2
0.1%精度电阻的最坏情况:
Δ α α = 0.00 1 2 + 0.00 1 2 ≈ 0.001414 \rm \cfrac{\Delta \alpha}{\alpha} = \sqrt{0.001^2 + 0.001^2} \approx 0.001414 αΔα=0.0012+0.0012≈0.001414
24V输入时的最大误差:
Δ V d i v = 24 V × 0.1282 × 0.001414 ≈ 4.35 m V \rm \Delta V_{div} = 24V \times 0.1282 \times 0.001414 \approx 4.35mV ΔVdiv=24V×0.1282×0.001414≈4.35mV
运放误差分析
偏移电压误差:±3mV(最大值)
输入偏置电流误差:<100nA(可忽略)
温度漂移误差: 7 μ V / ° C × 165 ° C = 1.155 m V \rm 7μV/°C × 165°C = 1.155mV 7μV/°C×165°C=1.155mV
总误差:
Δ V o p a m p = 3 m V + 1.155 m V = 4.155 m V \rm \Delta V_{opamp} = 3mV + 1.155mV = 4.155mV ΔVopamp=3mV+1.155mV=4.155mV
温度特性分析
温度对系统的影响主要体现在以下几个方面:
电阻温度系数:典型值 ± 25 p p m / ° C \rm ±25ppm/°C ±25ppm/°C
Δ R t e m p = R × T C R × Δ T \rm \Delta R_{temp} = R \times TCR \times \Delta T ΔRtemp=R×TCR×ΔT
运放温度漂移: 7 μ V / ° C \rm 7\mu V/°C 7μV/°C
Δ V o s , t e m p = 7 × 1 0 − 6 × Δ T \rm \Delta V_{os,temp} = 7 \times 10^{-6} \times \Delta T ΔVos,temp=7×10−6×ΔT
总误差合成
采用RMS方法合成各类误差:
Δ V t o t a l = Δ V d i v 2 + Δ V o p a m p 2 + Δ V A D C 2 + Δ V t e m p 2 \rm \Delta V_{total} = \sqrt{\Delta V_{div}^2 + \Delta V_{opamp}^2 + \Delta V_{ADC}^2 + \Delta V_{temp}^2} ΔVtotal=ΔVdiv2+ΔVopamp2+ΔVADC2+ΔVtemp2
计算得总误差: ± 47.05 m V \rm \pm 47.05mV ±47.05mV
相对精度: 0.196 % \rm 0.196\% 0.196%
高级校准方案
两点法校准详细实现
校准原理
建立线性转换模型:
V i n = k × A D C + b \rm V_{in} = k \times ADC + b Vin=k×ADC+b
其中:
- k:斜率系数(scale factor)
- b:偏移量(offset)
校准点选择策略
最佳校准点选择:
- 低点:接近最小检测电压(5V)
- 高点:接近最大检测电压(24V)
- 避免选择极端值,留有一定余量
推荐校准点:
- 低点:6V(留1V余量)
- 高点:22V(留2V余量)
校准参数计算
设校准测量数据:
- 低点: V L = 6.00 V , A D C L = 计数 L \rm V_L = 6.00V,ADC_L = 计数L VL=6.00V,ADCL=计数L
- 高点: V H = 22.00 V , A D C H = 计数 H \rm V_H = 22.00V,ADC_H = 计数H VH=22.00V,ADCH=计数H
斜率计算:
k = V H − V L A D C H − A D C L \rm k = \cfrac{V_H - V_L}{ADC_H - ADC_L} k=ADCH−ADCLVH−VL
偏移量计算:
b = V L − k × A D C L \rm b = V_L - k \times ADC_L b=VL−k×ADCL
使用标准电压源测试计算后得到对应的 k , b \rm k,b k,b 值后固化在MCU程序中。
温度补偿详细方案
温度补偿模型
建立温度相关的补偿函数:
V c o r r e c t e d = V m e a s u r e d × [ 1 + α ( T − T 0 ) ] + β ( T − T 0 ) \rm V_{corrected} = V_{measured} \times [1 + \alpha(T - T_0)] + \beta(T - T_0) Vcorrected=Vmeasured×[1+α(T−T0)]+β(T−T0)
其中:
- α:增益温度系数
- β:偏移温度系数
- T_0:参考温度(通常25°C)
温度系数标定
增益温度系数α:
α = V T 2 V T 1 − 1 T 2 − T 1 \rm \alpha = \cfrac{\cfrac{V_{T2}}{V_{T1}} - 1}{T_2 - T_1} α=T2−T1VT1VT2−1
偏移温度系数β:
β = V o f f s e t , T 2 − V o f f s e t , T 1 T 2 − T 1 \rm \beta = \cfrac{V_{offset,T2} - V_{offset,T1}}{T_2 - T_1} β=T2−T1Voffset,T2−Voffset,T1
在 T 1 、 T 2 \rm T_1、T_2 T1、T2 温度下测量相同的标准电压后,计算得到 α 、 β \rm \alpha、\beta α、β 值,并固化在MCU程序中,通过温度传感器得到温度值后,使用温度补偿函数计算修正后的电压值。
PCB设计与布局优化
布局原则
- 信号流优化:输入→分压→运放→滤波→ADC
- 接地策略:星型接地,模拟数字分离
- 去耦设计:各级电路独立去耦
具体实施
电源去耦:
- LDO输出:10μF电解电容 + 100nF陶瓷电容
- 运放电源:100nF陶瓷电容紧靠引脚
信号路径:
- 分压电阻靠近输入端子
- 运放输入走线最短化
- 滤波电路靠近运放输出
热管理考虑
- 温度传感器靠近运放
- 避免热源影响检测电路
- 采用热耦合设计确保温度测量准确性
测试验证方案
静态测试
- 零点测试:输入0V,验证输出接近0V
- 满量程测试:输入24V,验证输出接近3.3V
- 线性度测试:5V, 12V, 18V, 24V 多点验证
动态测试
- 阶跃响应:5V↔24V阶跃变化,验证建立时间
- 频率响应:扫频测试,验证滤波器特性
- 温度循环:-40°C至125°C温度循环测试
频域特性测试
使用网络分析仪或信号发生器+示波器:
- 测量幅度响应曲线
- 验证相位响应
- 确认群延迟特性
性能总结与优化建议
最终性能指标
参数 | 数值 | 单位 | 备注 |
---|---|---|---|
检测范围 | 5-24 | V | 可扩展至3-28V |
精度 | 0.196 | % | 校准后可达0.1% |
分辨率 | 6.29 | mV | 12位ADC |
带宽 | 1.59 | kHz | -3dB点 |
建立时间 | 0.5 | ms | 99%建立 |
温度范围 | -40~125 | °C | 工业级 |
200kHz衰减 | 43.4 | dB | 优秀噪声抑制 |
频域特性优势
- 高频噪声抑制:200kHz处>43dB衰减,有效抑制开关电源纹波
- 相位裕度:134.5°,确保系统稳定性
- 群延迟一致性:在通带内变化平缓,保证信号保真度
- 抗混叠性能:与ADC采样率协调,防止频率混叠
优化建议
- 精度提升:采用0.05%精度电阻,精度可提升至0.1%
- 频率响应:根据需要调整滤波器参数,平衡响应速度与噪声抑制
- 温度性能:选择更低TCR的电阻(如5ppm/°C)
- EMC性能:添加额外EMI滤波器提升抗干扰能力
参考文献:
- LM2904A/LM2902A数据手册(3PEAK)
- EQIoT电调开发板V1.2设计
感谢:
3Peak 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司
百岸 深圳市百岸实业有限公司
EQIoT 赤道物联(深圳)有限公司
本设计经过深入的理论分析和仿真验证,频域特性优异,能够有效抑制高频噪声同时保持信号完整性。实际应用时建议根据具体需求调整滤波器参数,并进行充分的测试验证。