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MCU的闪存(FLASH)存储器的接口寄存器

MCU(微控制器单元)中的闪存存储器接口寄存器(Flash Memory Interface Registers),是MCU 内核与片内 Flash 之间的桥梁,用于控制和管理 MCU 内部闪存(Flash Memory)读写、擦除、编程以及保护等操作的一组特殊功能寄存器(SFRs)。这些寄存器通常由 MCU 的**闪存控制器(Flash Controller)**提供,允许开发者对 Flash 进行底层操作,比如固件升级(IAP,In-Application Programming)、出厂程序保护、低功耗模式下的管理等等。

不同厂商(如 STMicroelectronics、NXP、Microchip、TI、国产如华大、兆易创新等)和不同型号的 MCU,其闪存接口寄存器的名称、功能和地址可能有所不同,但基本功能和结构具有相似性。


一、闪存接口寄存器常见功能模块

一般来说,MCU 的闪存接口寄存器主要包括以下几类功能:

1. 闪存控制寄存器(Flash Control Register, 如 FLASH_CR)

用于控制 Flash 的主要操作,比如:

  • 启动/禁止 Flash 编程或擦除
  • 选择操作模式(读、页擦除、整片擦除、编程等)
  • 使能/失能中断
  • 选择 Flash 操作电压范围(在某些 MCU 中)

🔧 示例(以 STM32 为例):

  • FLASH_CR:Flash 控制寄存器,控制擦除/编程操作。
  • 包含位域如:
    • PG(Programming):编程使能
    • PER(Page Erase Request):页擦除请求
    • MER(Mass Erase):整片擦除
    • STRT(Start):启动操作
    • LOCK:Flash 锁定状态

2. 闪存状态寄存器(Flash Status Register, 如 FLASH_SR)

用于反映当前 Flash 操作的状态,比如:

  • 是否正在忙于擦除/编程(Busy 位)
  • 操作是否成功
  • 是否有错误(如写保护错误、编程对齐错误等)

🔧 常见状态位:

  • BSY(Busy):Flash 忙碌中,不能接受新命令
  • EOP(End Of Operation):操作完成标志
  • PGERR(Programming Error):编程错误
  • WRPERR(Write Protection Error):写保护错误

3. 闪存地址寄存器(Flash Address Register, 如 FLASH_AR / FLASH_ADDR)

用于指定要擦除或编程的 Flash 地址,比如:

  • 指定要擦除的页地址
  • 指定要写入数据的 Flash 目标地址

4. 闪存选项字节控制寄存器(Option Bytes Registers)

用于管理 Flash 的选项字节(Option Bytes),这些字节通常存储了:

  • 读写保护配置(Read/Write Protection)
  • 硬件看门狗配置
  • 启动模式选择(Boot Pin/Mode)
  • nRST 停止/复位行为
  • 用户自定义配置(如芯片 ID 或默认配置)

这些寄存器通常有特殊的访问机制,有的需要解锁、有的只能在特定模式下修改。


5. 闪存密钥寄存器(Flash Key Register, 如 FLASH_KEYR)

由于 Flash 的保护和关键操作(如解锁控制寄存器、擦除选项字节)涉及安全机制,因此需要通过**写入特定钥匙序列(Key)**才能进行操作,比如 STM32 中的 FLASH_KEYR 寄存器。

🔐 例如 STM32:

  • 写入 KEY1 = 0x45670123KEY2 = 0xCDEF89ABFLASH_KEYR 才能解锁 Flash 控制寄存器。

6. 闪存选项键寄存器(Option Key Register)

与选项字节相关的解锁寄存器,比如 OPTKEYR,用于解锁对选项字节的修改权限。


二、常见 MCU 厂商的闪存寄存器举例

1. STM32 系列(ARM Cortex-M)

  • FLASH_ACR:Flash 访问控制寄存器(配置等待状态、预取等)
  • FLASH_KEYR:Flash 密钥寄存器(用于解锁)
  • FLASH_OPTKEYR:选项字节密钥寄存器
  • FLASH_SR:状态寄存器
  • FLASH_CR:控制寄存器
  • FLASH_AR(或 FLASH_ADDR):地址寄存器
  • FLASH_OBR / FLASH_WRPR:选项字节相关

📌 STM32 的 Flash 操作通常需要按照严格的步骤,比如先解锁、清除状态、设置控制位、启动操作、等待完成等。


2. NXP(如 Kinetis、i.MX RT、LPC 系列)

  • 寄存器命名可能为 FTFL_FSTAT, FTFL_FCNFG, FTFL_FCCOB 等(Kinetis Flash 模块)
  • 使用 FCCOB(Flash Common Command Object)寄存器组来执行命令(擦除、编程等)

3. GD32(国产,兼容 STM32)

  • 与 STM32 类似,寄存器名称也类似,如 FLASH_ACR, FLASH_KEYR, FLASH_SR, FLASH_CR
  • 适用于国产替代方案,寄存器级兼容度高

4. Microchip(如 PIC、AVR、SAM)

  • 不同架构差异较大,比如 AVR 的 Flash 通过特殊指令和 SPM(Store Program Memory)寄存器操作
  • SAM(ARM-based)系列类似于 STM32,有专门的 Flash 控制器寄存器

三、典型操作流程(以擦除/编程 Flash 为例)

以 STM32 为例,对 Flash 进行编程或擦除的大致流程如下:

  1. 解锁 Flash 控制器

    • FLASH_KEYR 写入正确的解锁键序列
  2. 检查并清除状态标志

    • 读取 FLASH_SR,确保没有错误(如 WRPERR, PGERR)
    • 必要时通过写 1 清除标志(如 EOP, PGERR)
  3. 等待 Flash 不忙(BSY = 0)

  4. 配置控制寄存器

    • 设置 PGPER / MER 位,选择操作类型(编程/页擦除/整片擦除)
  5. 设置地址

    • FLASH_ARFLASH_ADDR 中写入要操作的 Flash 地址
  6. 启动操作

    • 设置 STRT 位,开始执行擦除/编程
  7. 等待操作完成

    • 轮询 BSY 位,或者等待中断(如果使能了中断)
  8. 检查操作结果

    • 查看 EOP(操作成功)或其他错误标志
  9. 重新上锁(可选)

    • 设置 LOCK 位,防止误操作

四、如何查找具体 MCU 的 Flash 寄存器?

每个 MCU 的 Flash 寄存器都定义在其技术参考手册(Technical Reference Manual, TRM)数据手册(Datasheet) 中,通常位于以下章节:

  • Flash Memory Controller
  • Flash Programming Manual
  • Memory Chapter(内存章节)
  • Register Map(寄存器映射表)

🔍 推荐步骤:

  1. 找到你所使用的 MCU 的型号(如 STM32F103C8T6、GD32F303、LPC55xx 等)
  2. 下载该型号的 Reference Manual(参考手册)
  3. 搜索关键词:Flash、Flash Controller、Flash Registers、FTFA、FLASH_CR
  4. 查看寄存器定义、地址、功能描述与使用流程

五、总结

寄存器类别功能说明常见寄存器名(举例)
控制寄存器控制 Flash 操作(读/写/擦除)FLASH_CR, FTFA_FCCOB
状态寄存器反映 Flash 状态与错误FLASH_SR, FSTAT
地址寄存器指定要操作的 Flash 地址FLASH_AR, FLASH_ADDR
密钥寄存器解锁 Flash 控制器或选项字节FLASH_KEYR, OPTKEYR
选项字节相关配置读写保护、启动模式、安全特性等选项字节寄存器、OBR、WRPR
Flash 访问配置配置等待状态、预取、缓存等(影响性能与稳定)FLASH_ACR
http://www.dtcms.com/a/406219.html

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