DB Hitek宣布推出650V GaN HEMT工艺

韩国半导体巨头DB Hitek正将其业界领先的BCD工艺技术版图拓展至化合物半导体领域，在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这片新蓝海中扬帆起航。这家专注于8英寸晶圆代工的企业，其650V增强型GaN HEMT工艺已如黎明前的启明星，即将在技术的地平线上绽放光芒。公司还宣布将于金秋十月推出专门的GaN多项目晶圆(MPW)计划，为行业创新搭建孵化平台。

"DB Hitek在硅基功率半导体领域的技术皇冠早已镶嵌着璀璨的明珠——全球首个0.18微米BCDMOS工艺的突破就是最好的证明。"公司发言人如是说，"如今我们为这项王冠再添GaN这颗新宝石，通过构建更丰富的技术矩阵，让创新之树枝繁叶茂。"这款650V GaN HEMT工艺犹如电子世界的短跑健将，兼具迅捷的开关性能和稳健的运行表现，将成为电动汽车充电桩、超大规模数据中心电源系统以及5G通信设备的"心脏起搏器"。

在技术路线图上，DB Hitek正以稳健的步伐绘制着未来蓝图：继650V工艺成熟后，200V GaN工艺和面向IC集成的优化版650V工艺将在2026年前相继亮相。公司更放眼长远，计划将GaN技术平台拓展至更宽广的电压谱系，让技术之花在不同应用场景中绚丽绽放。

为支撑这场技术革命，DB Hitek正在忠清北道生产基地挥动建设之笔，为FAB2洁净室描绘新的空间画卷。扩建工程完成后，这座"晶圆工坊"每月将新增35,000片8英寸晶圆的产能，成为GaN、BCDMOS和SiC三大技术交响曲的演奏厅。届时公司总产能将提升23%，达到月产190,000片晶圆的规模。

即将在釜山BEXCO举行的2025碳化硅及相关材料国际会议(ICSCRM)上，DB Hitek将化身技术信使，向世界传递其在SiC工艺开发以及GaN、BCDMOS技术演进中的创新故事。这场金秋九月的行业盛会，必将成为展示韩国半导体技术实力的重要舞台。

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