MOS管驱动栅极出现振铃现象
一、MOS管驱动栅极出现振铃现象,如果不能有效处理,则容易出现温度过高MOS管烧毁现象。
原因:驱动线路走线会有寄生电容,而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路;
MOS管有 三个引脚名称:G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。
1.一般的解决方法是在栅极串联10Ω左右的电阻,降低LC振荡电路的Q值,使振荡迅速衰减掉。
2.建议在MOS管G S 之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗,同时也给电容一个放电回路。
3.如果担心瞬间高压击穿MOS管的话,可以在GS 之间在并联一个稳压管或者TVS管。
4.布线设计,MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小,否则可能会引入外来的电磁干扰,驱动芯片的旁路电容要尽量靠近驱动芯片的VCC和GND引脚,否则走线的电感会很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。
MOS管出现这种波形,一般可以调整栅极电阻Rg,增加Rg的值,让整个回路的Q值变大,破坏谐振条件。
二、MOS管驱动栅极出现缓升缓降,MOS管导通时间增加,发热量具体,也是容易烧毁MOS管。
1.阻抗不匹配导致的。→改变Rg下拉电阻
2.芯片驱动能力太差。→增强驱动信号
3.栅极电阻太大。→减小栅极电阻Rg,此电阻过小会出现振铃现象。