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【氮化镓】GaN基半导体器件电离辐射损伤基可靠性综述

news 2025/9/12 6:09:08

SANDEEP V, PRAVIN J C, KUMAR S A. Ionizing radiation defects and reliability of Gallium Nitride-based III-V semiconductor devices: A comprehensive review[J]. Microelectronics Reliability, 2024, 159: 115445. DOI: 10.1016/j.microrel.2024.115445.

2024年6月25日，印度Kalasalingam Academy of Research and Education的J. Charles Pravin等人在《Microelectronics Reliability》期刊发表了题为《Ionizing radiation defects and reliability of Gallium Nitride-based III-V semiconductor devices: A comprehensive review》的文章，基于对质子、中子、γ射


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