半导体功率器件IGBT工艺全流程
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。
功率器件IGBT工艺流程
| 1.基板 |
| 2.B+注入使用离子注入设备 |
| 3.绝缘膜形成通过CVD形成掩膜 |
| 4.掩膜用绝缘膜加工通过刻蚀和去胶处理绝缘膜 |
| 5.P+注入使用离子注入设备 |
| 6.形成沟槽通过刻蚀形成沟槽 |
| 7.形成绝缘膜通过CVD形成绝缘膜 |
| 8.绝缘膜加工通过刻蚀和去胶处理绝缘膜 |
| 9.形成Emitter电极通过溅射或蒸镀形成电极 |
| 10.形成P+FS层通过离子注入设备形成 P+FS层 |
| 11.形成B+（Collector）通过离子注入设备形成B+（Collector） |
| 12.形成Collector通过溅射或蒸镀形成Collector |
