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N76E003新唐MCU实现将变量保存到flash实现非易失存储IAP

news 2025/9/9 8:03:49

场景

需求：需要每次上电加载上次运行的配置或者状态。
解决思路：每次修改配置后，将变量保存在flash非代码区。每次启动从非代码区读取配置。

如何判断代码区，非代码区？

如下图的案例，加载HEX文件后，可以在APROM栏目看到实际HEX文件最后到0x2BF0地址。那么
我们可以将变量存储在 > 0x2BF0的位置，比如0x3000。
在这里插入图片描述

代码解释

第一步：确定写入地址，这里假定0x3000，前面说的
第二步：进入IAP模式
第三步：APROM页擦除，从0x3000开始擦除128byte
第四步：APROM从0x3000开始写具体的byte
第五步：退出IAP

如下是IAP命令：我们只用到了页擦除和字节编程两条命令
在这里插入图片描述

看代码

#define  PAGE_ERASE_AP 0x22      //  页擦除  ，前面表格中有说明
#define  BYTE_PROGRAM_AP  0x21      // 字节编程， 前面表格中有说明
/* 实际要改写的地址0x200 */
volatile unsigned char code Data_Flash[128] _at_ 0x3000;  //因为擦了页128byte，这里定义一个地址映射
Function (void)
{// 这一块是进入IAP模式TA = 0xAA;  //CHPCON is TA protectedTA = 0x55;CHPCON |= 0x01; //IAPEN = 1, enable IAP modeTA = 0xAA;  //IAPUEN is TA protectedTA = 0x55;IAPUEN |= 0x01; //APUEN = 1, enable APROM update//擦除页IAPCN = PAGE_ERASE_AP;  //Erase page 3000h~307FhIAPAH = 0x30;//地址高位 IAPAL = 0x00;//地址高位IAPFD = 0xFF;// 写具体的byte数TA = 0xAA;  //IAPTRG is TA protectedTA = 0x55;IAPTRG |= 0x01;  //write ‘1’ to IAPGO to trigger IAP process//将3001H地址写0x55IAPCN = BYTE_PROGRAM_AP;  // Program 3001h with 55hIAPAH = 0x30;   //地址高位 IAPAL = 0x01;   //地址高位IAPFD = 0x55;  // 写具体的值TA = 0xAA;TA = 0x55;IAPTRG |= 0x01;  //write ‘1’ to IAPGO to trigger IAP process// 退出IAP模式TA = 0xAA;  //IAPUEN is TA protectedTA = 0x55;IAPUEN &= ~0x01; //APUEN = 0, disable APROM updateTA = 0xAA;  //CHPCON is TA protectedTA = 0x55;CHPCON &= ~0x01; //IAPEN = 0, disable IAP mode//  读取3001H的值，这里之前写了0x55，看看回读效果P0 = Data_Flash[1]; //Read content of address 200h+1while(1);
}