当前位置: 首页 > news >正文

VASP计算层错能(SFE)全攻略2

目录

步骤1: 准备Ni单胞

步骤2: 构建超胞

步骤3: 引入堆垛层错

步骤4: 运行VASP计算

步骤5: 计算层错能

注意事项


层错能(Stacking Fault Energy, SFE)是衡量金属材料中堆垛层错形成难易程度的重要参数,对于镍(Ni)这样的面心立方(FCC)金属,计算SFE有助于理解其变形行为。上期介绍了层错能的定义和VASP计算层错能的一般流程,本期将以计算纯金属Ni的层错能为例,给出具体的计算步骤。(需注意:所有计算需在Linux环境下运行,或者具备远程提交任务的条件)

上期内容回顾:

https://blog.csdn.net/weixin_50519490/article/details/150770544?spm=1001.2014.3001.5501https://blog.csdn.net/weixin_50519490/article/details/150770544?spm=1001.2014.3001.5501

步骤1: 准备Ni单胞

纯Ni为FCC结构,空间群为Fm-3m,晶格常数a=3.52 Å。首先创建Ni单胞的POSCAR文件。

  • atomsk进行单胞构建:让[110] [-110] [001]分别沿着atomsk的x, y, z方向,注意.cfg文件可被多种可视化软件打开,所以推荐设置为.cfg格式。随后可以用VESTA软件将格式转为VASP可以读取的POSCAR文件。实际计算中需扩展为超胞(见步骤2)。
atomsk --create fcc 3.52 Ni orient [112] [110] [111] Ni.cfg

步骤2: 构建超胞

为引入层错,需沿[111]方向创建超胞(例如,6-12个原子层)。使用Materials studio,atomsk,VESTA或ASE工具生成超胞。

  • atomsk扩胞:例如要构建2*3*4的supercell,此时沿[111]方向有12层原子。。随后可以用VESTA对文件格式进行转换。
atomsk Ni.cfg -duplicate 2 3 4 supercell.xyz

    步骤3: 引入堆垛层错

    本征堆垛层错(ISF)通过修改原子位置模拟。例如,在超胞中部移除一层原子或改变堆垛顺序(ABCAB|C|ABC → ABCAB|A|BCABC)。

    方法:

    • 使用Python脚本(如ASE库)移动原子:
      import ase
      from ase.build import stack_fault
      # 加载完美超胞
      atoms = ase.io.read('POSCAR_perfect')
      # 引入层错(在z=0.5位置)
      atoms_fault = stack_fault(atoms, layer_index=6, offset=0.5)
      ase.io.write('POSCAR_fault', atoms_fault, format='vasp')
      
    • 使用atomsk进行层错能构建:将上半部超胞沿着x方向平移1.463Å。(-wrap指令避免原子溢出)
    atomsk supercell.xyz -shift above 0.5*box Z 1.463 0.0 0.0 -wrap Ni_SF.xsf

    步骤4: 运行VASP计算

    准备VASP输入文件,分别计算完美晶体和有层错结构的能量。

    • INCAR文件关键参数:
      SYSTEM = Ni SFE Calculation
      PREC = Accurate
      ENCUT = 500       # 截断能,需测试收敛
      ISMEAR = 1; SIGMA = 0.1  # 金属体系推荐
      IBRION = -1       # 静态计算
      NSW = 0
      LREAL = .FALSE.
      ALGO = Fast
      EDIFF = 1e-6      # 能量收敛标准
      
    • KPOINTS文件: 使用Monkhorst-Pack网格。
    • POTCAR文件: 选择Ni的PAW赝势(如POTCAR_Ni)。
    • 执行命令:
      # 完美晶体计算
      mpirun -np 4 vasp_std > log_perfect.out
      # 层错结构计算
      cp POSCAR_fault POSCAR
      mpirun -np 4 vasp_std > log_fault.out
      

      如果需要远程提交任务,请参考往期内容:VASP新手入门,远程超算提交——1 准备文件_vasp提交计算的命令-CSDN博客:

    https://blog.csdn.net/weixin_50519490/article/details/143467594https://blog.csdn.net/weixin_50519490/article/details/143467594

    步骤5: 计算层错能

    首先从OUTCAR提取总能量E_0(完美超胞的能量)和E_SF(构建层错后体系能量)。

    层错能由能量差除以层错面积给出: γ = (E_SF - E_0)/A 其中:

    • E_SF和E_0单位为eV,从OUTCAR获取。
    • A为层错面积(单位为Ų)。

    示例计算:

    • 假设E_0 = -1000.0 eV, E_SF = -999.5 eV。
    • a = 3.52 Å, 假设沿x,y方向上扩胞为3*3,则A =\frac{\sqrt{3}}{2}*3.52*3.52*3*3 ≈ 96.6 Å²。
    • γ = ((-999.5) - (-1000.0)) / 96.6 ≈ 0.0052  eV/Ų ≈ 82.9 mJ/m² 。

    注意事项

    1. 收敛测试: 必须测试K-点网格、截断能(ENCUT)和超胞尺寸的收敛性(例如,增大密排面方向原子层N至18层检查能量变化)。
    2. 赝势选择: 使用PAW赝势,并验证其对Ni的结合能是否准确(实验晶格常数约3.52 Å)。
    3. 误差控制: 层错能对原子位置敏感,建议使用ISIF=2优化离子位置(但静态计算更高效)。计算后检查OSZICAR确保能量收敛。
    4. 扩展: 对于更精确结果,可考虑广义层错能(GSFE)曲线,通过多点计算拟合。
    5. 工具推荐: 使用ASE、pymatgen或VASPKIT辅助脚本生成结构,避免手动错误。

    通过以上步骤,可以系统计算Ni的层错能。

    参考:Effect of alloying elements on stacking fault energies of γ and γʹ phases in Ni-based superalloy calculated by first principles.

    http://www.dtcms.com/a/350644.html

    相关文章:

  • python自学笔记12 NumPy 常见运算
  • QT(1)
  • 独立显卡接口操作指南
  • 小程序开发指南(四)(UI 框架整合)
  • Linux系统网络管理
  • UE5 UI遮罩
  • 人形机器人产业风口下,低延迟音视频传输如何成为核心竞争力
  • Linux笔记9——shell编程基础-3
  • OpenFeign的原理解析
  • FMS回顾和总结
  • C++ 中 `std::map` 的 `insert` 函数
  • 【机器学习项目 心脏病预测】
  • 【广告系列】流量归因模型
  • centos 用 docker 方式安装 dufs
  • 【C++11】auto关键字:自动类型推导
  • Python爬虫实战: 爬虫常用到的技术及方案详解
  • Leetcode top100之链表排序
  • Swift 解法详解 LeetCode 362:敲击计数器,让数据统计更高效
  • 【猿人学】web第一届 第16题 js-逆向 windows蜜罐 / webpack初体验
  • 通过C#上位机串口写入和读取浮点数到stm32实战5(通过串口读取bmp280气压计的数值并在上位机显示)
  • java 并发编程八股-多线程篇
  • 【已解决】统信UOS安装后没有有线网络,缺少Chengdu Haiguang IC Design Co., Ltd. 10 Gb Ethernet网卡驱动
  • 支付宝直连商户,自动处理支付交易投诉,支持多支付宝应用
  • 【VS2022】背景设置详细教程(背景透明)
  • AI 时代“驯导师”职业发展方向探究
  • 用AI生成的一个BadgerDB的管理工具
  • 深入剖析Hugging Face Transformers中的KV Cache
  • Element plus日期选择器从今天开始、时间跨度为3天
  • 【Android 16】Android W 的冻结机制框架层分析
  • 茶艺实训室建设方案:打造沉浸式茶文化教学空间