PNP加速关断驱动电路

PNP加速关断驱动电路

MOS管讲究慢开快关，所以实际应用中，常常使用加速关断电路，下面介绍一种PNP三极管加速关断电路

如下图使用PNP三极管加速N-MOS管关断：

使MOS管开启时，电流通过二极管D，为G极加电压；

关断时则利用PNP三极管，从而使G极电压快速泄放。

下图展示了PNP加速N-MOS关断的动态过程电流流向。

左图在控制端从低电平往高电平切换时，Vbe>0，Q2处于截止状态，充电电流从二极管D流入，Q1（mos）开启；

右图在控制端从高电平往低电平切换时，G极电平不会瞬间变化，此时Vbe<-0.7V，Q2处于导通状态，Q2快速将电荷从G极汲取走，使G极电平快速下降，达到Q1快速关断的目的。

PNP加速关断电路是目前应用最多的电路，在加速三极管的作用下可以实现瞬间的栅源短路，从而达到最短的放电时间。之所以加二极管，主要是为三极管b极e极提供电压，从而控制三极管的开关。

该电路的优点为可以近似达到推拉的效果，加速效果明显。缺点是栅极由于经过PN节，不能使栅极真正的达到0V（GND），在实际应用中，做半桥上下管驱动更好，有反向电压。