【氮化镓】GaN HEMT器件中Ec-0.9eV缺陷位置识别

2022 年 12 月 9 日，哈尔滨工业大学的万鹏飞等人在《Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B》期刊发表了题为《Location identify of EC - 0.9 eV trap in AlGaN/GaN high electron mobility transistors》的文章，基于氦离子辐照实验以及深能级瞬态谱（DLTS）和 TCAD 模拟方法，研究了 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMTs）中由辐照导致的 EC - 0.9 eV 陷阱位置。实验结果表明，40 keV 氦离子仅使钝化层和 AlGaN 层受损，造成阈值电压负向偏移、载流子迁移率降低；400 keV 氦离子主要在 GaN 层造成损伤，使阈值电压正向偏移，且 DLTS 结果显示辐照后 GaN 层出现 EC - 0.9 eV 的缺陷。该研究的结果对深入理解 AlGaN/GaN HEMTs 的辐照效应、明确缺陷位置以及提升其抗辐射性能具有重要意义。

一、引言

引言着重凸显了空间探索领域对辐射耐受型电子技术的依赖，而 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMTs）凭借其在高频、高功率与高温电子领域的卓越表现，