模拟电子技术 第一章＜半导体基础＞

一.PN结

1.   纯净的硅是不导电的晶体,叫本征半导体.

      在本征半导体里掺入5价磷,得到多数载流子为电子的N型半导体,

       掺入3价硼,得到多数载流子为空穴的P型半导体.(空穴会让附近的电子填充进来,相对于电电子就是正电荷作与电子相反的运动,所以完全可以理解为它就是一个自由运行的正电荷).

2.    将P/N半导体贴在一起,因正,负多数载流子的浓度差而发生扩散运动.电子流向P型,空穴流向N型, 这时中间的PN结阻止扩散运动的电场越来越大,最终扩散运动与漂移运动(电场作用的运动)平衡.

        所以,当外电场从P进N出时,正好与内电场相反,多数载流子因: 扩散运行+外电场作用漂移运动而.导通. 

        当外电场从N进P出时,内电场增加,PN结层加厚,多数载流子无法运动, 截止.

3.     为什么PN结正偏时的扩散远大于漂移？

•   正偏电压降低内电场后，使多子的扩散运动呈指数级增长。
•   内电场的漂移运动降低这个好理解;
•   外电场的作用也有漂移运动,但相对于上面的扩散运动只占极小部分。

4.      结电容    

• 势垒电容：反偏时由耗尽层电荷变化引起，类似平行板电容。
• 扩散电容：正偏时由少子注入和积累引起，与电流强相关。
• 关键区别：势垒电容是电场效应，扩散电容是载流子扩散与复合效应

5.       国

二.二极管

1

这是理想的,实际:

IRs般很小可以忽略不计,但n在spice中都有这个参数的,在1-2之间,不能忽略,计算值相差非常大的.

2,   Is 受温度影响: 温度上升10度Is增大 1 倍

3.