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硬件工程师面试常见问题(11)

第五十一问:器件手册的翻译题目

要学英语啊,孩子。

第五十二问:二极管三极管常识题

1.二极管的导通电压一般是 0.7V
2.MOS管根据掺杂类型可以分为 NMOS和PMOS
3.晶体三极管在工作时,发射结和集电结均处于正向偏置,该晶体管工作在一饱和态。
4.二进制数(11010010),转换成十六进制数是D2
5.贴片电阻上的103代表 10k
6.输出使用 0C门或OD门 实现线与功能。

第五十三问:DRAM结构

具体问题:DRAM 上电时存储单元的内容是全 0而 Flash 上电时存储单元的内容是全 1。

A. 正确
B. 错误

答案:B,DRAM掉电丢失,所以上电时可能全为0,或者全为1;Flash掉电不丢失,所以上电就是存储在Flash里的数据有0有1;

DRAM结构:

DRAM电路构成上包括一个读写开关管和一个存储电容器,如下图所示。利用存储电容器存储数据,如果存储电容器上存有电荷,则表示存储单元存诸1,否则存储0。

 

第五十四问:BUCK电路纹波问题

在 Buck 电路中,不能起到减小纹波作用的措施是 (4 分)
A. 采用多项并联的模式
B. 开关管内置,提高电源的开关频率
C. 输出滤波电容由陶瓷电容改为容量相同电解电容
D. 增大输出滤波电感量

 选C,电解电容ESR比陶瓷电容大Vopp增大,纹波增大;

A:纹波的突刺通过并联反向的纹波中和;

B:公式提高频率,Ilpp减小;

D:更稳;

第五十五问:放大电路设计

具体问题:用三极管设计一个 2 倍的放大电路。

要设计一个放大两倍的电路就去掉C3,按照R3比R4 = 2的比例来设计;

因为放大倍数近似于R3/R4; 

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