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LPDDR4内存颗粒命名规则全解析：三星、镁光、海力士、南亚、长鑫等厂商型号解码与选型指南

news 来源：原创 2025/6/27 3:03:37

由于之前DDR的系列选型文章有很好的反馈，所以补充LPDDR4低功耗内存的选型和命名规则，总结了目前市面上常用的内存，供硬件工程师及数码爱好者参考。
在智能手机、平板电脑和低功耗设备中，LPDDR4 SDRAM凭借其高带宽、低功耗特性成为主流选择。但面对三星、镁光、海力士等厂商复杂的颗粒型号命名规则，许多用户直呼“看不懂”。
基于此，本文将从LPDDR4颗粒命名规则、厂商技术特点到选型实战，深度解析六大厂商的颗粒命名规则，并提供选型建议，帮大家掌握规律，助你快速掌握选型技巧！

一、三星（Samsung）

三星作为全球DRAM市场龙头，其颗粒型号以**“K4F”开头**，共16位编码，核心规则如下：
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前三位：
K4：代表DRAM颗粒。
F：表示LPDDR4X SDRAM。
第4-5位：容量标识。例如：
6E：16G, 8K/32ms。
第6-7位：位宽（数据通道宽度），如3s代表32位。
第8位：bank数，如4代表8Bank。
第9位：接口的电平要求。
第10位：generation说明。

后缀编码：
M：封装类型（如FBGA）。
G：温度和功率等级。
CJ：性能等级与批次。

二、镁光（Micron）

镁光颗粒型号以**“MT53E”开头**，专为LPDDR4设计，例如MT53E512M32D2NP-046 WT:E：
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MT53E：LPDDR4系列标识。工作电平等级
512M：单颗容量512Mb（即64MB）。
32：位宽32位。
D2：addressing, Die数量（D2为2 die）。
DS：封装标识，DS为300-ball WFBGA.
046: 时序参数，046对应468ps, 2133MHz频率（等效4266Mbps）。
WT:E：封装地与批次代码（WT为中国台湾省封装）。

三、海力士（SK Hynix）

海力士LPDDR4颗粒型号以“H9”开头**，例如H9HC4GXXXXX：
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H5：DRAM产品线标识。
TC4G：容量4Gb（TC=Mobile LPDDR4）。
63C：位宽32位（63为内部代码）。
FR：频率与时序（FR对应1600MHz，时序14-14-14）。
PBA：封装与批次（PBA为FBGA封装）。
性能分级：CJR（H5AN8G8NCJR）颗粒兼容性强，DJR（H5ANAG6NCJR）超频上限更高。

四、南亚（Nanya）

南亚颗粒型号以**“NT6”或“NT5”开头**，例如NT6CL512T32BP-H1：
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NT6：LPDDR4系列。
CL：消费级（工业级为IL）。
512T：容量512Mb。
32：位宽32位。
BP-H1：封装与频率（H1代表1600MHz）。
市场定位：南亚颗粒性价比高，但超频潜力较弱，适合预算有限的入门设备。

五、长鑫（CXMT）

长鑫作为国产DRAM领军企业，其LPDDR4型号以**“CX”开头**，例如CXDB5CCAM-ML
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CX：长鑫自研颗粒标识。
DB: DRAM LPDDR4X;。
5：容量信息：32Gb。
C: 封装类型，200 ball FBGA
C: 存储配置信息，代表32位，2通道，2CS。
后缀L：频率代码（如2133MHz, 4266Mbps）。
优势：国产颗粒价格低、供货稳定，已通过主流设备厂商认证。