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基本命名规则

格式:V + 器件类型 + 极性/功能

第一个字母:电量类型

  • V = Voltage(电压)
  • I = Current(电流)

第二个字母:器件类型

  • C = Collector(集电极)- 双极晶体管
  • B = Base(基极)- 双极晶体管 / Battery(电池)
  • E = Emitter(发射极)- 双极晶体管
  • D = Drain(漏极)- MOSFET
  • G = Gate(栅极)- MOSFET
  • S = Source(源极)- MOSFET

第三个字母:极性标识

  • D = 正电源(Drain/正极)
  • S = 负电源/地(Source/负极)

常见电压符号

双极晶体管电路

  • VCC - 正电源电压(NPN晶体管集电极电源)
  • VEE - 负电源电压(PNP晶体管发射极电源)
  • VBB - 基极偏置电压

MOSFET电路

  • VDD - 正电源电压(N沟道MOSFET漏极电源)
  • VSS - 负电源电压/地(N沟道MOSFET源极)
  • VGG - 栅极偏置电压

通用符号

  • VCC - 正电源(最常用)
  • GND - 地线/零电位参考点
  • VIN - 输入电压
  • VOUT - 输出电压
  • VREF - 参考电压
  • VPP - 峰-峰值电压
  • VRMS - 有效值电压

特殊功能电压

  • VBAT - 电池电压
  • VIO - 输入/输出电压
  • VCORE - 核心电压
  • VANA - 模拟电源电压
  • VDDA - 模拟正电源
  • VSSA - 模拟地
  • AVDD - 模拟VDD
  • DVDD - 数字VDD

应用示例

典型微控制器电路

VDD/VCC: +3.3V 或 +5V(主电源)
VSS/GND: 0V(地线)
VDDA: +3.3V(模拟电源)
VSSA: 0V(模拟地)
VBAT: +3V(备用电池)

运算放大器电路

VCC: +15V(正电源)
VEE: -15V(负电源)
GND: 0V(信号地)

数字逻辑电路

VDD: +5V 或 +3.3V
VSS: 0V
VIH: 输入高电平
VIL: 输入低电平
VOH: 输出高电平
VOL: 输出低电平

现代命名趋势

CMOS电路常用:

  • VDD/VSS(来自MOSFET术语)

传统TTL电路:

  • VCC/GND(来自双极晶体管术语)

混合使用:

  • 现代电路中VCC和VDD经常混用,都表示正电源
http://www.dtcms.com/a/535812.html

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