微硕WSP4884双N沟MOSFET：汽车智能座舱PMIC“微型稳压核”
智能座舱PMIC需在方向盘、仪表、HUD等8 mm×8 mm模块内，输出3.3 V/5 A，并承受24 V Load Dump，对功率器件提出“30 V耐压、18.5 mΩ低阻、SOP-8L小封装”三维硬指标。微硕WINSOK WSP4884（30 V／8.8 A／18.5 mΩ，SOP-8L）凭借双N集成、6 nC超低栅极电荷与20 mJ雪崩能量，成为座舱PMIC“微型稳压核”首选。
一、部件痛点
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24 V母线Load Dump 35 V，器件必须30 V耐压且单颗即可覆盖12 V/24 V平台。
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负载5 A，峰值8 A，要求18.5 mΩ导通电阻，功耗<0.5 W，避免8 mm×8 mm模块过热。
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开关频率1 MHz，对Qg与Ciss提出低电荷要求，避免驱动IC过热。
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感性负载关断能量15 mJ，需单管吸收，省去TVS，简化EMC。
二、WSP4884关键特性
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30 V BVDSS，单颗覆盖12 V/24 V平台，雪崩耐量20 mJ，9 A电流，省去TVS。
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18.5 mΩ（@10 V），5 A时导通压降仅0.09 V，功耗0.45 W，比23 mΩ竞品降低20 %，铝基板即可散热。
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Qg 6 nC，10 V驱动下开通6 ns，关断16 ns，支持1 MHz高频稳压，输出纹波<10 mV。
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RθJA 90 ℃/W，配合2 oz铜皮，85 ℃环温下连续8.8 A时结温<125 ℃。
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反向恢复trr 12 ns，Qrr 3.5 nC，关断过冲<15 V，EMI一次通过CISPR 25 Class 5。
三、座舱PMIC buck实例
拓扑：双相交错buck，两颗WSP4884作下管，同封装双N集成，节省50 %面积。
驱动：10 V栅极驱动器，死区200 ns，体二极管续流，省去外置肖特基。
保护：
• 电流采样：5 mΩ分流，硬件过流9 A关断，<2 µs，保护SoC核心。
• 雪崩吸收：断电时感性能量经WSP4884体二极管回馈，20 mJ实测通过。
• 温度：铝基板背面露铜，115 ℃降额，125 ℃关闭，符合ASIL-B。
实测：24 V输入，3.3 V/5 A输出，效率91 %，壳温75 ℃；EMI裕量>6 dB。
四、性能对比
与市面30 V／23 mΩ双N方案相比，WSP4884导通损耗降低20 %，开关损耗降低25 %，整体效率提升1 %，PCB面积缩小30 %，BOM成本节省0.02 USD，且雪崩能力翻倍，省去并联器件。
五、结论
WSP4884以30 V高耐压、18.5 mΩ低导通电阻与6 nC超低栅极电荷，为汽车智能座舱PMIC提供“双N集成-微型稳压-高可靠”方案，实现1 MHz高频、低纹波、零TVS。随着“一芯多屏”与域控制器普及，WSP4884将在更多微型电源模块中持续发挥“稳压核”关键作用，助力整车厂节省50 %布板面积。