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PN结的交流等效电阻

作为半导体器件中最常见的PN结,他的等效模型是很常用的,

下面我们讨论PN结在交流小信号模型中为何表现出电阻性,以及电阻的决定值。

基础知识只有PN的电流公式:
ID=Is(eVDnVT−1) I_D = I_s (e^{\frac{V_D}{nV_T}}- 1) ID=Is(enVTVD1)
这是直流电流公式,我们知道,交流小模型实际上是在直流上的一个小小的电压“扰动”, 表现在数学上,就是在直流工作点处的"斜率"

交流小信号的电阻是:r=ΔVΔIr =\frac{\Delta V}{\Delta I } r=ΔIΔV在直流工作点上微小的电压扰动带来的电流变化,这个特性展现就是阻性

那还说啥了,直接求导不就完了。
如果我们的PN已经导通(工程意义上),那必然有eVDnVT≫1所以我们使用的电流公式是:ID=IseVDnVT,这也是当前的电流ID如果PN两端的电压在直流工作点上变化了ΔV(交流小信号扰动)那新的电流就是:I′=IseVD+ΔVnVT所以电流的变化就是ΔI=I′−I=IseVD+ΔVnVT−IseVDnVT=IseVDnVT(eΔVnVT−1)=ID(eΔVnVT−1)这个公式还是太复杂,由于这是小信号,可以使用等价无穷小这个数学技巧因为ΔV≪kTe 所以ΔI=ID⋅(1+ΔVnVT−1)=ID⋅ΔVnVT综上,ΔI=ID⋅ΔVnVT \begin{align*} &如果我们的PN已经导通(工程意义上),那必然有e^{\frac{V_D}{nV_T}}\gg 1 \\ &所以我们使用的电流公式是:I_D = I_s e^{\frac{V_D}{nV_T}} ,这也是当前的电流I_D \\ &如果PN两端的电压在直流工作点上变化了\Delta V (交流小信号扰动) \\ &那新的电流就是: I' = I_s e^{\frac{V_D + \Delta V}{nV_T}} \\ &所以电流的变化就是 \Delta I = I' - I \\ &= I_s e^{\frac{V_D + \Delta V}{nV_T}} - I_s e^{\frac{V_D}{nV_T}} \\ &= I_s e^{\frac{V_D}{nV_T}} \left( e^{\frac{ \Delta V}{nV_T}} - 1 \right) \\ &= I_D \left( e^{\frac{ \Delta V}{nV_T}} - 1 \right) \\ &这个公式还是太复杂,由于这是小信号,可以使用等价无穷小这个数学技巧 \\ & 因为\Delta V \ll \frac{kT}{e} \, \\ &所以 \Delta I = I_D \cdot \left( 1 + \frac{ \Delta V}{nV_T} - 1 \right) = I_D \cdot \frac{ \Delta V}{nV_T} \\ &综上,\boxed{ \Delta I = I_D \cdot \frac{ \Delta V}{nV_T} } \end{align*} 如果我们的PN已经导通(工程意义上),那必然有enVTVD1所以我们使用的电流公式是:ID=IsenVTVD,这也是当前的电流ID如果PN两端的电压在直流工作点上变化了ΔV(交流小信号扰动)那新的电流就是:I=IsenVTVD+ΔV所以电流的变化就是ΔI=II=IsenVTVD+ΔVIsenVTVD=IsenVTVD(enVTΔV1)=ID(enVTΔV1)这个公式还是太复杂,由于这是小信号,可以使用等价无穷小这个数学技巧因为ΔVekT所以ΔI=ID(1+nVTΔV1)=IDnVTΔV综上,ΔI=IDnVTΔV

Q1信号幅度远远小于热电压,而热电压常温下是26mV,可能有人想吐槽,\ 这也太小了,万一小信号电压大了呢?

只能说数量级一致ヾ(•ω•`)o , 理论和现实还是有些距离的

Q2这个公式也用在BJT的基极回路的分析中,因为基极回路就是一个PN结

嗯,然后我们从这个公式容易得出PN结表现的交流电阻的值
r=ΔVΔI=nVTID(因为是交流电阻,这个r用小写)(n由工艺决定,一般是取1) r = \frac{ \Delta V}{ \Delta I} = \frac{n V_T}{I_D} \\ (因为是交流电阻,这个r用小写)\\ (n 由工艺决定,一般是取1) r=ΔIΔV=IDnVT(因为是交流电阻,这个r用小写)n由工艺决定,一般是取1
从这个公式,我们能得到一些有趣的结论

  • PN结交流电阻r是变化的,和直流电流呈现反比,和热电压呈现正比
  • PN结的交流电阻r在小电流时约几欧,大电流时仅零点几欧
  • 哪怕是不同材质的PN结,规律一致,硅管和锗管在直流电流一致的时候,表现的交流电阻是一致的。 原理见下方:
    在这里插入图片描述

嗯,老师前些日子教诲我说,要研究的更深入一点。思考不能仅提留在表面或者浅尝辄止。值得思考我接下来该研究什么😶‍🌫️😶‍🌫️😶‍🌫️😶‍🌫️ 我打算先开一个专栏,分析半导体器件的特性,也算复习本科时候的基础知识,就叫Basic Analog Guide 吧。 虽然我的水平可能不够做大家的Guiderヾ(•ω•`)o
不过尝试一下,也是监督自己。
----------------------------------------------------------- 25/10/8

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