台式真空共晶炉口碑企业
“少投入、高产出，实验室级真空共晶工艺竟如此触手可及” ——中科同帜半导体打造桌面级精密封装新标杆
在半导体封装工艺研发与小批量生产中，如何兼顾设备灵活性、工艺稳定性与成本可控性，始终是技术决策者面临的现实挑战。中科同志半导体（江苏）有限公司依托二十年技术积累，推出TS系列台式真空共晶炉，以“实验室精度、工业级性能”重新定义研发与小批量生产场景的工艺标准。
一、为何聚焦台式真空共晶炉？三大痛点驱动设备升级
研发验证效率低下
传统大型设备占地大、耗气量高，而院校实验室及企业研发中心常需快速迭代工艺。TS系列台式真空共晶炉（含TS110/TS210型号）仅需0.5㎡台面空间，真空度达0.01mbar，支持显微镜在线观测，实现“即放即用”的研发闭环。
小批量生产成本高企
某重点大学微电子实验室曾测算：使用传统大型设备进行10组芯片共晶试验，氮气消耗成本占比超总成本30%。TS系列采用高效换热设计，氮气消耗量降低40%，且支持0.2MPa微正压模式，兼顾成本与工艺质量。
工艺数据追溯缺失
研发阶段需精确记录温度曲线、真空度变化等参数。TS系列配备多通道数据采集系统，支持工艺参数导出与云端存储（符合ISO9001质量管理体系），为工艺标准化提供溯源依据。
二、核心技术突破：桌面设备如何实现工业级性能？
真空系统优化
采用涡旋干泵+分子泵组设计，极限真空度达10⁻⁶mbar，优于同类桌面设备1-2个数量级（基于TKTZ-2023-08-bg011测试报告）。
热场均匀性控制
石墨加热板配合PID智能控温算法，200×200mm加热区内温场均匀性达±1%℃，满足激光器Bar条、TEC器件等敏感材料的共晶需求。
人机交互升级
7英寸触摸屏集成“一键工艺包”功能，预存激光器焊接、芯片密封等6类标准工艺方案，降低操作门槛。
三、实证场景：从实验室到小批量生产的无缝衔接
院校科研场景
某大学光电实验室采购TS210设备后，激光器芯片共晶空洞率从15%降至3%，并依托设备完成3项省级重点课题的工艺验证。
企业研发场景
某医疗设备企业使用TS110进行内窥镜传感器共晶试验，研发周期缩短50%，年度试错成本降低超20万元。
军工小批量场景
某军工研究所采用TS210进行微波组件小批量生产，累计交付500套产品，良率稳定在99.2%（数据来源：客户验收报告TKTZ-2025-03-bg027）。
四、选择台式真空共晶炉的四大标准
极限真空度需达10⁻⁶mbar级——避免因真空不足导致氧化残留
温场均匀性≤±1%℃——确保大面积芯片焊接一致性
支持工艺数据追溯——符合ISO9001体系要求
占地面积＜1㎡——适应实验室空间约束
中科同帜半导体思考
台式设备并非“简化版”工业设备，而是以精准需求为导向的技术重构。我们通过85项专利技术下沉（其中发明专利19项），让研发阶段也能享受工业级工艺稳定性，这正是“专精特新”企业对社会创新底层支撑的体现。
精准投入，决胜研发起跑线——台式真空共晶炉已成为前沿技术从实验室走向量产的关键桥梁。
中科同帜半导体（江苏）有限公司持续输出产业干货，点个关注，转给负责采购、技术或工艺的同事，少踩坑。
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