车载Class D功放电源脚烧蚀可能原因
近期不同项目均遇到功放烧蚀的案例，主要表现是IC的PVDD电源pin脚烧蚀了，发生的概率是数万分之1，FA分析起来比较困难，没有实质进展。咨询不同功放IC原厂提供了一些潜在的排查方向，汇总在这里，做个记录和分享。
烧蚀现场如下：
潜在因素一：Layout没有将PVDD去耦电容放置在功放芯片同侧
这个是最容易出现情况之一，多家功放PCB校核时均提到这一点，也是个人认为最有可能导致烧蚀问题的原因。我们统计不同项目失效率，电容未放在同面的发生烧蚀的概率明显会更大些。而且pin脚周围空间有限，如果没有特意强调，Layout很容易放到背面。
0.1uF的去耦电容可以有效滤除PVDD上的纹波，从而避免内部MOS击穿损坏。TI的EE论坛上也有类似问题的官方答复。由于空间有限，10uF的电容可以放置在背面，10nF电容必须放置在IC同面。
潜在因素二：时钟错误导致损坏
需要说明的是这一点仅针对某些特定品牌的系列功放，且没有有效验证。功放IC调研时有厂家反馈，某国际大厂型号XXX80X本身存在设计bug，当TDM时钟跳变或切换的时候，内部锁相环失锁，会引起PWM信号错乱，导致输出级烧毁。
而国产某型号从设计上进行了优化，从而规避该问题。
针对这个点我们用特定型号进行验证：
- 将工作中的80X TDM时钟从12.28M切换为25M，80X的输出PWM变得混乱；
- 用外部信号发生器给TDM灌信号，80X的PWM有波形输出，同样操作6424没有PWM输出。一定程度上印证了上述说法，但都没有永久损坏，仅当个参考。
潜在因素三：电源PVDD超压或波动过大
这个用不多说，长时间超过DS电气规格，也是可能损坏的。
注：以上信息来自个人经验，出现的部分功放型号仅为方便交流使用，无意对比各家优劣。