功率场效应晶体管MOSFET关键指标

1. 击穿电压（Breakdown Voltage，V_DS(max)）
   定义：MOSFET 漏极-源极之间在关断状态下所能承受的最大电压。
   意义：决定了MOSFET在高电压应用中的安全工作范围。击穿电压越高，器件承受过压能力越强。

2. 导通电阻（R_DS(on)）
   定义：MOSFET导通时漏极到源极之间的电阻。
   意义：影响导通损耗（P = I² × R），R_DS(on)越小，导通损耗越低，效率越高，发热越少。

3. 栅极电荷（Gate Charge，Q_g）
   定义：将MOSFET从关断切换到导通（或反之）所需的电荷量。
   意义：影响开关速度和驱动功率。Q_g越小，切换越快，开关损耗越低，但抗干扰能力可能降低。

4. 开关速度（Switching Speed）
   定义：MOSFET从导通到关断、或从关断到导通所需的时间（包括 t_on、t_off、t_rise、t_fall）。
   意义：直接影响系统开关频率上限与开关损耗。速度快有助于实现高频工作和减小磁性器件体积。

5. 耗散功率（Power Dissipation，P_D）
   定义：MOSFET最大允许的功耗，通常与结温和散热条件有关。
   意义：决定了MOSFET的热管理要求。P_D大，意味着需要更好的散热设计。

6. 最大漏极电流（I_D max）
   定义：MOSFET在特定条件下所能承受的最大电流。
   意义：限制了通过 MOSFET 的最大负载电流，影响其在高电流应用中的能力。

7. 体二极管反向恢复时间（t_rr）
   定义：内置体二极管在从导通到截止状态时的恢复时间。
   意义：反向恢复慢会引起浪涌电流和EMI，影响高速开关的效率和可靠性，特别是在反激类拓扑中。

8. 输入电容（C_iss）、输出电容（C_oss）、反向传输电容（C_rss）
   定义：
   C_iss：栅源+栅漏之间的电容
   C_oss：漏源之间的电容
   C_rss：栅漏之间的电容（也称 Miller 电容）
   意义：决定了开关速度与驱动器的选型，尤其 C_rss 影响 Miller 效应，决定电压变化时的电流峰值。