禾纳AET3156AP数据手册，增强型p沟道MOSFET芯片，替代AO4805方案

禾纳推出的AET3156AP是一款增强型p沟道MOSFET，具有VDS=-30V和ID=-10A的特性，典型导通电阻为15mΩ（VGS=-10V，ID=-10A）和19mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5A）。该器件支持快速切换，具备低电阻特性，且不含卤素和锑，符合Rohs标准

ATE3156AP特性
VDS=-30V,ID=-10A
RDS (ON)=15mΩ (TYP.)VGS=-10V, ID=-5A
RDS (ON)=19mΩ (TYP.)VGS=-4.5V, ID=-5A
可靠且坚固耐用
雪崩额定
低电阻

工作温度范围为-55℃至125℃
采用PDFN3030和SOP8封装

ATE3156AP应用

电源管理：便携设备、台式机电源系统

开关电路：高频率开关电源、DC-DC转换器

电机驱动：低压大电流负载控制