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第2课 SiC MOSFET与 Si IGBT 静态特性对比

2.1 输出特性对比

2.2 转移特性对比


2.1 输出特性对比

        器件的输出特性描述了当温度和栅源电压(栅射电压)为某一具体数值时,漏极电流(集电极电流

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