【氮化镓】横向GaN 器件注入隔离区的电场相关载流子传输特性
文章的关键结论和发现如下：
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在GaN横向功率器件中，注入隔离区的载流子传输具有明显的电场依赖性，且其泄漏电流和击穿特性主要由注入的GaN区域决定，与缓冲层和UID GaN层的性质关系不大。
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载流子传输机制随电场强度变化呈现三个不同区域：低电场下为欧姆传导，符合变程跃迁（VRH）机制，电导率仅依赖温度；中等电场下为场增强热激活跃迁，电导率同时受温度和电场影响；高电场下为无激活跃迁，电导率主要依赖电场。
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中等电场区域的电导率变化符合场增强热激活跃迁理论，其激活长度约为10 Å，与温度无关。高电场区域的临界电场约为125±15 V/μm，受局域化长度限制，而局域化长度受注入条件影响。
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在室温及以下，隔离区击穿由无激活跃迁引起；室温以上则可能因高泄漏电流导致热失控，引发灾难性击穿。