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Xx 芯片测试结果显示，offset 指标偏高，不符合指标要求。所以查看了资料，温习了减小的失配的方法。

注意点一：

将所有offet折算到输入端，得到以下公式：

可以看到a）阈值电压失配直接折算成输入offset。b）负载电阻失配与晶体管尺寸失配对失调的影响，随着（VGS-Vth）增大而增大。

如果负载是管子

负载管对失调的作用需要乘以gmp/gmn.要减小失调需要减小负载管的gm，增大出入对管的gm。

注意点二：

电流镜之间的失配公式：

（Vgs-Vth）要大些，失配才小些。

由于有连线电阻，电流镜远距离匹配不容易。通常做法，送一路电流到本地，本地产生电流镜送到需要的模块。本地电流镜layout 需要遵循匹配画法，晶体管取向要一致，所有沟道长度必须相等。

注意点三：

大管子有线性梯度效应，引起失配，所以可以采用共中心的布局方法，但是连线对称要求会很高，很复杂。所以一般只采用一维交叉耦合的方法来抑制。

图a是ABBA，图b是ABAB。效果是ABBA 效果好。记得需要两边加dummy，因为有栅阴影效应，主要是离子注入的时候会倾斜7°，在注入区退火后，使源区和漏区的边缘的扩散产生了细微的不对称。

增加dummy管的方式，使M1和M2管的栅阴影效应一致。如果没有dummy，M1源区的右边是M2，M2源区的右边为场氧。M1和M2的周围环境不一致。

注意点四：
需匹配的管子周边环境需要保持一致，加dummy管是一种办法。还要注意以下几点
a）走线也需要对称
b）Poly 方向要一致
c）避免match管上走线，M1尤其要注意，如果不可避免，要对称
d）如果gate 要接长线，需要尽早改用高层走线，避免天线效应
e）网状poly连接不好，就是用poly相连成网状，建议把网状分开，用metal连线
f）Match管两边打的co和va 位置要对称，数量一致。

根据这些规则，检视了版图，去掉匹配管上的走线，改成其他方案走线。流片回来后重新测试，失配性能改善，满足规格要求。