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• tcbn28: 代表工艺类型是台积电28nm工艺
• hpcplus: 代表工艺平台是HPC +
• BWP: 其中B代表标准单元的类型是 “standard” base cell；W代表N-well 工艺，放置在 P-substrate上；P表示该 cell 使用的是 P-type transistor layout orientation；常见的还有BNP
• 30: 代表标准单元的Gate length为30nm；
• p140：代表标准单元中poly的间距是140nm；

具体的Gate length和Poly在器件模型中对应如下

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