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【模拟CMOS集成电路设计】带隙基准(Bandgap)设计与仿真

  • 前言
    • 工程文件&部分参数计算过程,私聊~
  • 一、 设计指标
    • 指标分析:
  • 二、 电路分析
  • 三、 仿真
    • 3.1仿真电路图
    • 3.2仿真结果
    • (1)运放增益
    • (2)基准温度系数仿真
    • (3)瞬态启动仿真
    • (4)静态电流仿真
    • (5)线性调整率仿真
    • (6)电源抑制PSR仿真
  • 四、仿真结果汇总
  • 五、总结
  • 六、附件(参数计算+工程文件)

前言

  此次设计,使用电流镜结构为基础的 B a n d g a p Bandgap Bandgap 来满足设计指标,主要目标是在结构简单的前提下满足设计指标要求,本文供学习参考。
  关于 B G R BGR BGR 的基础,可以看【笔记:模拟MOS集成电路】带隙基准(基本原理+电流模+电压模电路详解)

  文末附带核心管支路关键参数计算方法

工程文件&部分参数计算过程,私聊~

一、 设计指标

  本次设计指标,如表1所示

在这里插入图片描述
  (*线性调节率指输出基准电压随直流VDD的变化率,电源电压从电路正常工作的最小电压起到额定电源电压为止)

指标分析:

  本次Bandgap设计,选用的工艺是 T S M C 18 µ m TSMC 18µm TSMC18µm工艺,采用运放结构为基础,设计参数要求电源抑制 P S R < − 50 d B PSR < -50dB PSR<50dB ,如果不考虑具体电路,可以通过提升运放增益、减小BGR输出阻抗和Cascode结构提升PSR性能。
  以减小 B G R BGR BGR 输出阻抗提升 P S R PSR PSR 为例进行电路设计,此时 P S R PSR PSR 和整体功耗相互折中,一方面是运放增益尽可能大,另一方面是因为低的输出阻抗会需要大的电流偏置,如果PSR要求放宽,功耗可以迅速下降。
考虑到功耗指标,对电流进行分配,自偏置电流镜两支路共分配 10 µ A 10 µA 10µA,运放分配 80 µ A 80µA 80µA,两路核心管分别分配 10 µ A 10µA 10µA ,剩余电流分配给输出级。
  本次设计电源电压 3.3 V 3.3V 3.3V,对于TSMC18工艺, “ p m o s 3 v ” “pmos3v” pmos3v 晶体管, NMOS器件,选取 “ n m o s 3 v ” “nmos3v” nmos3v 晶体管。
优化措施也有很多,比如更换运放结构、采用Cascode层叠电流镜和单位增益的运放输出buffer等,都可以显著降低PSR然后减小功耗,但是电路会复杂一丢丢。

二、 电路分析

  通过对表1的指标分析,搭建的电路如图2.1所示。
在这里插入图片描述
   B G R BGR BGR 原理此处不再赘述,关于 B G R BGR BGR 的基础,参考:

    【笔记:模拟MOS集成电路】带隙基准(基本原理+电流模+电压模电路详解)

  另一个电路结构是采用cascode电流镜的结构:

    【模拟CMOS集成电路设计】带隙基准(Bandgap)设计与仿真(基于cascode电流镜的电流模BGR)

  这种方案的功耗会小很多,此次设计中,因为运放增益相对不高,并没有把“基于运放结构的BGR”优势完全发挥出来,最常见的优化措施,放文章末尾了。下面继续本次设计,输出电压可以表示为:
在这里插入图片描述
  对上式求导,得到
在这里插入图片描述
  典型情况下, ∂ V B E / ∂ T ≈ − 2 m V / K ∂V_{BE}/∂T≈-2mV/K VBE/T2mV/K,令 ∂ V r e f / ∂ T = 0 ∂V_{ref}/∂T=0 Vref/T=0,选取合适的 N N N值,可以得到 R 1 / R 4 R_1/R_4 R1/R4的关系;然后在 V B VB VB节点应用 K C L KCL KCL,设定核心管的静态电流 I Q I_Q IQ,便可解的具体的 R 1 R 3 R_1~R_3 R1 R3的具体值;最后根据输出电流镜的复制比 M M M,乘以静态电流 I Q I_Q IQ,得到输出支路电流 I o u t I_{out} Iout,最终的参考电压是 I o u t R 4 I_{out}R_4 IoutR4。至此得到 B G R BGR BGR所有设计参数。
  更详细计算过程,看第六部分内容~

三、 仿真

3.1仿真电路图

在这里插入图片描述

3.2仿真结果

(1)运放增益

  通过 a c ac ac 仿真,仿真得到运放的增益为 58.637 d B 58.637dB 58.637dB,仿真结果如图3.1所示。
在这里插入图片描述

(2)基准温度系数仿真

  通过 d c dc dc 仿真,将温度从 − 25 -25 25~ 125 ℃ 125℃ 125℃进行扫描,观察输出波形,温度特性良好,基准温度系数: T C V = V m a x − V m i n V r e f × ( T m a x − T m i n ) × 1 0 6 = 8.46 p p m / C TCV=\frac{V_{max}-V_{min}}{V_{ref}\times(T_{max}-T_{min})}\times10^{6}=8.46ppm/C TCV=Vref×(TmaxTmin)VmaxVmin×106=8.46ppm/C,测试结果如图3.3所示。
在这里插入图片描述

(3)瞬态启动仿真

  通过 t r a n tran tran 仿真,通过图3.4,该电路可正常启动。
在这里插入图片描述

(4)静态电流仿真

  通过 t r a n tran tran 仿真,电路稳定时,所有支路的总电流, 209 µ A 209µA 209µA
在这里插入图片描述

(5)线性调整率仿真

  通过 d c dc dc 仿真将电源电压从 0 3.3 V 0~3.3V 0 3.3V 进行扫描,在正常工作电源电压下,测量输出线性调整率: S L I N E = V m a x − V m i n V r e f × 100 % = 1.03 m V / V S_{LINE}=\frac{V_{max}-V_{min}}{V_{ref}}\times100\%=1.03\mathrm{mV/V} SLINE=VrefVmaxVmin×100%=1.03mV/V
在这里插入图片描述

(6)电源抑制PSR仿真

  通过 a c ac ac 仿真,在电源电压加小信号波动,观察输出,测量 P S R PSR PSR,通过图3.5可知,在低频为 P S R = − 50.8 d B PSR = -50.8dB PSR=50.8dB,最高 P S R = − 19.4 d B PSR = -19.4dB PSR=19.4dB
在这里插入图片描述

四、仿真结果汇总

  本次 B a n d g a p Bandgap Bandgap设计,通过仿真测得相关参数,结果汇总如表2所示。
在这里插入图片描述

五、总结

  本次Bandgap设计,通过基于运放结构的电路模BGR,因为最终要压低 P S R PSR PSR,所以减小了负载电阻,为了实现特定输出电压,需要进一步提升输出电流,因此功耗有些高,如前所示,优化措施也有很多,
  (1) 更换运放结构实现更大的增益;
  (2) 采用 C a s c o d e Cascode Cascode 层叠电流镜复制电流,有效提升 P S R PSR PSR
  (3) 运放和电流镜栅极之间插入单位增益的运放输出 b u f f e r buffer buffer 如图所示。
在这里插入图片描述

六、附件(参数计算+工程文件)

  私聊~

http://www.dtcms.com/wzjs/141827.html

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