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电路作用与每个器件
R1（10 kΩ，上拉到 3V3）
让 NRST 在无外力时保持高电平＝不复位；同时与电容形成 RC，决定上电复位延时。阻值不能太小（否则调试器或芯片复位驱动下拉电流太大），10 kΩ是通用值。K1（按键到 GND）
人工复位。按下立即把 NRST 拉低＝异步复位；松开后靠 R1 把 NRST 拉高，电容让上升沿变缓，起到去抖与延时作用。C3（0.1 µF 到 GND）
提供 上电/松手后的延时与抗干扰。抑制尖峰与毛刺，避免误复位；也能在电源很慢爬升时，保证“电源稳定后再释放复位”。
多数 STM32 的 NRST 口内置一只约 40–50 kΩ 的弱上拉；外接 10 kΩ 后并联等效约 8 kΩ，有利于抗干扰但不会过载拉低驱动。
上电与松手时序（为啥能“稳”）
上电或松开按键后，NRST 电压按 RC 充电关系上升：
$$
V_{NRST}(t) = V_{DD}\big(1-e^{-t/RC}\big), \quad R\approx 10\,\text{k}\Omega,\ C=0.1\,\mu\text{F}
$$
RC = 10k × 0.1µF = 1 ms
当 NRST 的上升阈值取不同比例时，释放复位的近似时间：
$$0.5·VDD：t≈0.693 RC≈0.69t \approx 0.693\,RC \approx 0.69t≈0.693RC≈0.69 ms$$
$$0.7·VDD：t≈1.20 RC≈1.2t \approx 1.20\,RC \approx 1.2t≈1.20RC≈1.2 ms$$
$$0.8·VDD：t≈1.61 RC≈1.6t \approx 1.61\,RC \approx 1.6t≈1.61RC≈1.6 ms$$
这 1~2 ms 的延时确保：
上电后 等电源稳定再起跑；
按键松开回弹的抖动被 RC 滤掉，不会刚松手就误判为已高电平。
传统“复位按键抖动”主要发生在松开瞬间，RC 能把高沿拉得更迟缓、更干净。
为何外部 RC 仍然必要（芯片已带 POR/BOR）
STM32 确有 上电复位 POR / 检测 PDR / 掉电复位 BOR，但外部 RC 仍然能提供：
对慢爬升电源或噪声/浪涌更强的免疫力；
配合 BOOT0（在 NRST 上升沿锁存）保证其电平已稳定；
可靠的人工复位与调试器控制（ST-Link 的 NRST 为开漏下拉，10 kΩ 不会影响）。
参数怎么选
想更长的上电延时：把 C3 改为 1 µF（得 ~10 ms）、或 R1 改为 47 kΩ（得 ~4.7 ms）。
干扰环境很重（电机、继电器旁）：可把 C3 提到 220 nF～1 µF；或在 NRST 与芯片脚之间串 100–220 Ω 小电阻以限流、抑制快沿。（多数场景不必加）
按键去抖：RC 已基本够用；若仍不稳，检查按键到地的走线与 ESD 路径。
布局布线建议
R1 与 C3 紧贴 MCU 的 NRST 脚放置，回地要短直；避免 NRST 线路穿越强噪声区；必要时用地铜“围一圈”。
复位按键尽量靠近 MCU 一侧，长线可并联 小电容（几 pF～几十 pF） 或增加串阻，避免外界耦合。
调试接口（SWD）到 NRST 的线也要短，避免形成天线引入毛刺。
常见问题与诊断
无缘无故复位：多半是 NRST 进了毛刺或 VDD 掉电触发 BOR；示波看 NRST 是否出现短暂低脉冲，必要时增大 C3。
复位牵连调试异常：R 太小或 C 太大都会让调试器拉不动或复位释放太慢；通常 10 kΩ + 100 nF 最稳妥。
上电跑飞：电源爬升慢或 BOOT0 未稳，适当提高 RC 延时，或检查 BOOT0 的下拉是否足够（典型 10 kΩ→GND）。
结论：
这套 10 kΩ 上拉 + 0.1 µF 到地 + 复位按键 的 NRST 电路，是 STM32 的经典、可靠做法。它在上电、人工复位与抗干扰方面提供恰到好处的延时与滤波，既不影响调试器拉低，也能保证系统在电源稳定后再释放复位。若现场环境更严苛，只需按需微调 R 或 C 即可。
如何理解，当按下按键后松开。这个时候电容相当于短路状态。当电容充满电后，电容相当于断路状态
“电容相当于短路 / 断路”的理解，来源于电容在不同工作阶段的等效电路模型，是一个很重要的电路分析思路
1. 电容的本质
电容的电流、电压关系是：
$$
i = C \dfrac{dv}{dt}
$$
意思是：电容上的电压不能突变，电容两端电压的变化速度决定了电流大小。
2. 按键按下（NRST 拉到 GND）
这时电容一端被拉到 GND，另一端直接和按键相连，所以电容被迅速放电，电容两端电压接近 0。
在电路角度：电容放电时瞬间电流较大，可以等效为短路，即电容就像一根导线，快速把残余电荷释放掉。
3. 松开按键（NRST 松开，上拉电阻+电容）
松开后，R1 将电容上端拉向 3.3V。
电容两端电压从 0 V 开始充电，上升是一个指数曲线：
$$
V(t) = V_{DD}\left(1 - e^{-t/RC}\right)
$$在刚开始时，电容电压为 0 V，相当于电容“还没充电”，此时它阻止电压突然跳变 → 等效为短路。
随着电容逐渐充满电，电流越来越小，最终趋近于 0，相当于断路（开路），电容两端电压稳定在 VDD。
4. 总结直观理解
刚接通电源或松开按键瞬间：电容两端电压不能立刻上升 → 电容就像短路，强行“拖住”节点电压不上升。
电容充电完成后：电流停止流动 → 电容就像开路，不再影响电路。
👉 所以电容在瞬态过程中就是一个“短路到开路的过渡元件”：
瞬态时短路（抑制电压突变，提供延时），
稳态时开路（不影响直流工作点）。
画出了一个 等效电路状态图，更直观地展示了电容在 STM32 复位电路中，按键松开后从 短路 → 电阻状 → 开路 的演变过程：
阶段 1：松手瞬间（电容≈短路）
电容两端电压 = 0 V
电容强行“拖住”NRST 节点不让它马上升高 → 等效短路
MCU 保持在复位状态
阶段 2：充电过程（电容=电阻状）
电容开始充电，电压逐渐上升
电容阻抗介于 0 ~ ∞ 之间 → 等效成“电阻”
NRST 电压逐渐爬升，接近阈值（如 0.7·VDD）时，MCU 开始退出复位
阶段 3：稳态（电容≈开路）
电容充满电，电流≈0
电容相当于开路，不再影响电路
此时 NRST 高电平稳定，由上拉电阻维持
📌 这样你可以很清楚地看到：电容就是通过“先短路、后逐渐放开、最后开路”的方式，保证复位信号有 稳定的低电平保持 + 平滑的释放上升沿。