打工人日报#20251105
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RAM(Random Access Memory,随机存取存储器)
静态 RAM(SRAM, Static Random - Access Memory)
工作原理:SRAM 使用触发器(flip - flop)来存储数据。每个存储单元由多个晶体管组成,通常为 6 个晶体管,这些晶体管形成一个稳定的电路结构来保持数据。只要电源持续供电,存储在 SRAM 中的数据就会一直保持,无需刷新。
特点:
速度快:由于其简单的存储结构和快速的访问机制,SRAM 的读写速度非常快,能够满足高速数据处理的需求,例如在 CPU 的高速缓存(cache)中广泛应用。
成本高:每个存储单元需要多个晶体管,使得 SRAM 的集成度相对较低,单位容量的成本较高。
功耗低:不需要定期刷新,因此功耗相对较低。
动态 RAM(DRAM, Dynamic Random - Access Memory)
工作原理:DRAM 使用电容来存储数据,每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成。电容充电表示 “1”,放电表示 “0”。然而,由于电容会逐渐漏电,导致存储的数据丢失,所以 DRAM 需要定期刷新(refresh)来保持数据的正确性。
特点:
容量大:相比于 SRAM,DRAM 每个存储单元的结构更简单,占用的芯片面积更小,因此可以在相同的芯片面积上集成更多的存储单元,实现更大的存储容量,常用于计算机的主内存。
速度较慢:由于需要刷新操作以及电容充放电的延迟,DRAM 的读写速度比 SRAM 慢。
成本低:单位容量的成本较低,适合大规模存储需求。
ROM(Read - Only Memory,只读存储器)
工作原理:ROM 在制造时或之后通过特定的编程方式将数据永久性地存储在其中。数据一旦写入,在正常工作条件下只能读取,不能轻易修改。不同类型的 ROM 其写入方式有所不同。
特点:
非易失性:即使断电,存储在 ROM 中的数据也不会丢失,常用于存储计算机启动代码(BIOS)、嵌入式系统的固件等重要的、不需要频繁修改的数据。
类型多样:常见的有掩模 ROM(Mask ROM),在制造过程中根据用户需求定制存储内容;可编程 ROM(PROM),用户可以一次性编程写入数据;可擦除可编程 ROM(EPROM),可以通过紫外线照射擦除数据后重新编程;电可擦除可编程 ROM(EEPROM),能够通过电气信号进行擦除和编程,操作更加方便;闪存(Flash Memory)是一种特殊的 EEPROM,具有快速擦写和大容量存储的特点,广泛应用于 U 盘、固态硬盘等设备。
Block Memory Generator IP 核
概述:Block Memory Generator 是一种知识产权核(IP 核),通常由 FPGA(Field - Programmable Gate Array)厂商提供,用于在 FPGA 内部生成定制化的块存储器。FPGA 内部有一定数量的块状存储资源,通过这个 IP 核,可以方便地将这些资源配置成满足特定需求的存储器。
功能特点:
灵活的配置选项:可以根据设计需求配置存储器的深度(存储单元的数量)、宽度(每个存储单元的数据位宽)。例如,可以配置成深度为 1024,宽度为 32 位的存储器,以满足不同的数据存储和处理要求。
多种存储类型:支持配置为不同类型的存储器,如单端口 RAM、双端口 RAM、ROM 等。单端口 RAM 只有一组读写端口,适用于大多数简单的存储需求;双端口 RAM 有两组独立的读写端口,允许在不同的时钟域或不同的逻辑模块同时对存储器进行读写操作,常用于数据交互频繁的场景。
初始化功能:能够对存储器进行初始化,即在生成存储器时可以加载预先设定的数据,例如在设计一个查找表(LUT)时,可以将查找表的初始值通过 IP 核的初始化功能加载到生成的 ROM 中。
参数化设计:IP 核采用参数化设计,用户可以通过修改参数来快速调整存储器的特性,而无需修改底层的硬件描述语言代码,提高了设计的灵活性和可重用性。
应用场景:
数据缓存:在数据处理系统中,用于缓存临时数据,例如在图像处理中,缓存图像数据以进行后续的算法处理。
指令存储:在一些嵌入式系统中,生成的 ROM 可以用于存储程序指令,类似于传统的 ROM 功能。
通信缓冲:在通信系统中,双端口 RAM 可作为数据缓冲,实现不同模块或不同时钟域之间的数据交换,确保数据的稳定传输。
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《晚熟的人》
表哥宁赛叶
这个世界有许多有所成就的人,也有很多碌碌无为的人,是自暴自弃,还是自力更生,都是人生自己的选择吧,引以为戒!

