Onsemi展示了垂直GaN-on-GaN半导体

据该公司宣称，VGaN功率半导体能够削减近50%的损耗，并缩小系统尺寸。Onsemi推出了垂直GaN - on - GaN功率半导体，该公司表示，此款半导体为人工智能数据中心、电动汽车以及其他能源密集型应用的功率密度、效率和坚固性树立了全新的标杆。

Onsemi公司战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示：“垂直GaN改写了行业格局，进一步巩固了Onsemi在能源效率和创新领域的领先地位。”

通过垂直传导电流，新型的vGaN功率半导体能够在单片芯片中应对1200 v及以上的高压，以更高的效率在高频状态下切换大电流，进而打造出更为小巧轻便的系统。

这项技术由Onsemi位于纽约锡拉丘兹的研发团队所研发。据该公司所言，该技术可使高端电力系统的损耗降低近50%。凭借在更高频率下运行，它还能够缩减包括电容器和电感等无源器件在内的系统尺寸。与市面上在售的横向GaN相比，vGaN器件的体积大约小了三倍。

目前，该公司正在为早期客户提供700V和1200 v设备的样品。

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