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前言：
其实从启动日志里面是可以直接发现一些问题的，尤其是关于flash和ram的一些信息，以及配置的一些模式是否正常，都可以从中看得出来。

一、看出flash的配置模式

1、原始日志

I (35) qio_mode: Enabling default flash chip QIO
I (40) boot.esp32s3: Boot SPI Speed : 80MHz
I (45) boot.esp32s3: SPI Mode       : QOUT
I (50) boot.esp32s3: SPI Flash Size : 16MB

2、分析日志

Flash 模式：QOUT（Quad Output） 含义：使用四线SPI（Quad I/O）模式进行数据输出，但地址和命令仍通过单线传输。
性能：比QIO（Quad I/O）稍慢（约15%），但比DIO（Dual I/O）和DOUT（Dual Output）快。
适用场景：适用于需要较高速度但不需要全四线模式的场景（如某些Flash芯片仅支持QOUT）。
验证：确认你的Flash芯片（如Boya品牌）是否支持QOUT模式。若不支持，需在menuconfig中改为QIO或DIO。 Flash
速度：80MHz 说明：Flash时钟频率直接影响读写速度。ESP32-S3支持最高80MHz的SPI频率。
优化建议：若Flash芯片支持更高的频率（如160MHz），可尝试调整menuconfig中的SPI Flash Clock
Frequency以提升性能。

3、根据你用的模组进行修改

4、在工程中修改

二、看出分区表信息

1、原始日志（分区表信息）

I (60) boot: Partition Table:
I (63) boot: ## Label            Usage          Type ST Offset   Length
I (71) boot:  0 nvs              WiFi data        01 02 00009000 00006000
I (78) boot:  1 phy_init         RF data          01 01 0000f000 00001000
I (86) boot:  2 factory          factory app      00 00 00010000 00200000
I (93) boot:  3 storage          Unknown data     01 81 00210000 00800000
I (101) boot: End of partition table
I (105) esp_image: segment 0: paddr=00010020 vaddr=3c070020 size=126ae8h (1207016) map
I (315) esp_image: segment 1: paddr=00136b10 vaddr=3fc97300 size=03110h ( 12560) load
I (318) esp_image: segment 2: paddr=00139c28 vaddr=40374000 size=063f0h ( 25584) load
I (326) esp_image: segment 3: paddr=00140020 vaddr=42000020 size=6d95ch (448860) map
I (405) esp_image: segment 4: paddr=001ad984 vaddr=4037a3f0 size=0ce44h ( 52804) load
I (416) esp_image: segment 5: paddr=001ba7d0 vaddr=600fe000 size=00068h (   104) load
I (416) esp_image: segment 6: paddr=001ba840 vaddr=600fe068 size=00008h (     8) load
I (430) boot: Loaded app from partition at offset 0x10000

2、分析日志

1、打印分区表内容
2、app程序启动地址，这点在OTA升级中很关键，我这个程序启动地址是0x10000

3、在工程中修改

三、PSRAM 信息

1、原始日志（PSRAM 初始化信息）

octal_psram: vendor id    : 0x0d (AP)
octal_psram: dev id       : 0x02 (generation 3)
octal_psram: density      : 0x03 (64 Mbit)
octal_psram: good-die     : 0x01 (Pass)
esp_psram: Found 8MB PSRAM device
esp_psram: Speed: 80MHz

2、分析日志

PSRAM 模式：Octal（八线SPI）
说明：使用八线SPI模式（数据线+命令线+地址线），速度比Quad模式快。
硬件要求：确保PSRAM芯片（如AP品牌）支持Octal模式，并且开发板的GPIO引脚正确连接。
验证：ESP32-S3 N16R8等模组通常集成Octal PSRAM，若使用外部PSRAM，需确认硬件兼容性。
PSRAM 大小：8MB
用途：扩展堆内存，用于动态分配大对象（如图像缓冲区、AI模型权重）。
性能：PSRAM访问速度低于内部SRAM，但远高于Flash。避免高频访问PSRAM中的数据。

3、原始日志（PSRAM 内存分配）

heap_init: Initializing. RAM available for dynamic allocation:
At 3FCA8830 len 00040EE0 (259 KiB): DRAM
At 600FE070 len 00001F78 (7 KiB): RTCRAM
esp_psram: Adding pool of 5773K of PSRAM memory to heap allocator

4、分析日志

内部DRAM：约259KB，用于栈、堆和关键数据。
RTCRAM：7KB，用于深度睡眠模式下的低功耗内存。
PSRAM：5773KB（约5.6MB），通过heap_caps_malloc(MALLOC_CAP_SPIRAM)分配。
关键点：
PSRAM 已成功启用，可用于扩展堆内存。
若应用需要更多内存，可进一步优化PSRAM分配策略（如减少内部DRAM的使用）。

四、RTC时钟

1、原始日志

W (1250) clk: 32 kHz XTAL not found, switching to internal 150 kHz oscillator

2、分析日志

32kHz 外部晶振缺失，使用内部150kHz振荡器可能导致定时精度下降，若硬件未焊接32kHz晶振，需在开发板上添加；若已有，检查焊接和电路设计

五、其他

1、原始日志

esp_psram: Reserving pool of 32K of internal memory for DMA/internal allocations

2、分析日志

内存预留，为DMA和内部操作预留32KB内部内存