Marin说PCB之POC电路layout设计仿真案例---16

好人不能当啊，这不我才休息了半个小时的时间不到，新来的硬件同事郝建就又让再我帮忙看下板子上的POC电路ESD的封装对其S参数性能的影响，我也是醉了，他天天那里来那么多事情啊，找我帮忙都不会搞一下人情世故啥的。例如说请我喝杯82年的瑞幸咖啡或者是吃个铁锅炖啥的我也是可以接受的，想郝建这样的人想必大家中工作中遇到的不少吧，这些人老是想白嫖人家，简直可恶啊。好了，我们言归正传吧，牢骚发完了，接着该干正事了。

一，ESD的封装规格参数如下所示：

下图所示展示的是ESD的寄生电容数值，并不是真正的器件的S参数。

导入真正的器件的S参数模型带入到仿真软件中看下高亮的这两个不同封装尺寸对其GMSL2走线的S参数的性能影响有多少？

首先看下这个ESD器件不同封装尺寸下的S参数性能的比对：

ESD_0402封装和ESD_0201封装的IL在低频段整体都是相同了，在7GHz以后才有一些小的区别。

二，仿真原理图的变更,注意这次仿真是理想的CASE，没有修改PCB设计，只是直接把ESD_0402封装S参数模型在仿真原理图中直接替换成ESD_0201封装的了。

                                                    （ESD_0402封装）

                                                              （ESD_0201封装）

IL :

RL:

新建了ESD-0201封装库后带入到PCB中去，再去看下其S参数的性能表现如何？

IL :

RL:

放在一起比对看下ESD器件实际导入0201封装尺寸后的S参数性能和只是仅仅在仿真原理图上变更ESD器件的S参数数据：

IL :

RL:

分析结论：ESD_0201封装的IL和RL都优于ESD_0402封装的，原因是ESD_0201封装其内部的键合线或焊盘到PCB的路径比0404封装的更短一些，这样其寄生电感就更小了，因为寄生电感会破坏纯容性器件的阻抗，在高速信号下引起更大的阻抗失配，从而导致更多的信号反射，恶化回波损耗。

好了，诸位道友们以上就是本期的所有内容了，我们下期文章不见不散。

 

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